坚固型600V三相栅极驱动器IC

IRS26310DJPbF把功率MOSFET和IGBT栅极驱动器与三个高压侧及三个低压侧参考输出通道集成在一起,在20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下,可提供200mA／350mA的驱动电流。其整合了集成的自举二极管,可提供全面的保护功能,包括改进的负电压尖峰（Vs）免疫电路,以防止系统在大电流切换或短路情况下发生灾难性事件,实现更高水平的耐用性和可靠性。     

一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路

采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。     

大功率IGBT驱动器2SD315A的分析与测试

对大功率IGBT驱动器2SD315A的原理进行了分析与实测论证。包括驱动信号调制、隔离传输、解调及放大。说明了过流,短路及欠压的保护原理等。并给出了相关的实测波形及实际应用要点。     

600V单通道高压端驱动IC

AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC—Q100标准,可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程,而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰（V5）免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下发生损坏事件。     

模拟器件

ISO5500:隔离式栅极驱动器德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO₂）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长1倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。     

ISO5500：隔离式栅极驱动器

德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO_2）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长1倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。     

IR推出新型三相栅极驱动IC

国际整流器公司前不久推出了新款三相栅极驱动IC系列产品IRA233x（D），主要应用于包括永磁电机驱动的空调、洗衣机、泵和电风扇，以及微型、迷你型和通用变频器驱动在内的高、中和低压电机驱动应用。IRS233x（D）是一款采用参考输出通道的高压、高速功率MOSFET和IGBT三相桥驱动器，在高达20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA／420mA的驱动电流。     

210kV全固态高压脉冲调制器设计

为克服传统高压脉冲调制器中存在的波形畸变严重及高初级电压引入的可靠性差的缺点,介绍了一种以半导体器件作为脉冲开关的全固态高压脉冲调制器。详细阐述了全固态高压脉冲调制器的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由18级模块并联而成,每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离,每个模块采用一只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。该调制器输出方形高压脉冲幅度大于210 kV,脉冲顶部宽度为5μs,脉冲前沿约690 ns,脉冲后沿约920 ns,重复频率100 Hz。     

一种IGBT全桥逆变驱动电路的设计

简单阐述了2SC0435T模块的特点和IGBT的H桥互锁电路的特点。以2SC0435T为核心,给出了直接模式下的外围电路,以驱动IGBT全桥逆变电路。设计了栅极电阻的接法及其阻值的大小以及IGBT的栅极过压保护电路,给出了驱动信号波形,同时验证了此驱动器具有良好的保护功能和驱动功能。     

不接地系统双圈变压器缺相运行分析

通过结合35kV变电站高压侧进线单相断线时10kV母线及外接所变低压侧电压特征,用对称分量法和向量图分析YD11、YY0双圈变压器高压侧单相断线时高、低压侧电压、电流特点,对照分析不接地系统单相接地故障时电压特点,并得出结论,使调度人员能及时根据异常现象特点判断出YD11、YY0接线双圈变压器高压侧进线是否发生单相断线或者低压侧出线是否发生单相接地,进而快速判断隔离故障点,确保电网运行的安全稳定。     

ADI ADuM4146米勒箝位的单/双电源高电压隔离SiC栅极驱动方案

<正>ADI公司的ADuM4146是款单通道栅极驱动器,专门针对驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化.ADI公司的iCoupler?技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离.ADuM4146包含米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现稳健的SiC单轨电源关断.输出侧可以由单电源或双电源供电,是否使能米勒箝位功能也可以进行配置.     

具有高压隔离功能的检测控制系统

无论是离子注入机还是具有不同高电位差的各种形式装备,对于高压端的信号参数的测量和工况控制往往是必不可少的。其方法有许多种,采用光电信号变换,光导纤维高压隔离,多路信号传输的遥控遥测原理能适应测量对象繁多,控制工况复杂的各种设备。我们为强流离子注入机所研制的具有高压隔离功能的检测控制系统就是采用上述原理试制成功的,该系统解决了大于600kV高压隔离性能,具有信号传输通道多、测量精度高、稳定性好、运行连续可靠、抗干扰性能强等优点。     

压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法

压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流.结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响.在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控.研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素.利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2％分别降低至2.86％、7.1％和7.5％,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性.     

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.     

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.     

一种内置隔离电源的混合集成IGBT驱动器

对自带隔离电源的IGBT驱动器QP12WO5S-37的功能原理进行了说明。包括驱动信号的隔离与传输、驱动放大、过流与短路保护、软关断,自恢复等特性,并给出了相关的实测波形及应用要点。     

IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管(IGBT)的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用.重点讨论IGBT模块在铁路客车DC 600V供电系统逆变器中的应用与保护.IGBT模块具有损耗小,便于组装,开关转换均匀等优点.应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过栽、过热等保护功能,保证DC 600 V供电系统安全、可靠地运行.     

车用双低侧驱动IC

AUIRB24427S在整个温度范围内为每个通道提供超过6A的高输出电流,用于驱动采用模块和分立封装的大尺寸IGBT和MOSFET的栅极。由于该器件在开／关模式中的输出阻抗极低,功耗也非常低,因而可以在严苛环境和高温环境中操作,比如在混合动力电动汽车的电源级作为初级侧或次级侧驱动器。     

IGBT调制器工作状态及其栅极驱动特性分析( 上)

叙述了固态调制器过压和欠压状态的特点,伏安特性曲线和负载线在工程设计中的重要性.介绍了160个IGBT开关管组成的串联开关调制器工作状态选择,不同的工作状态对驱动电路设计提出了不同的要求和为了满足技术要求,在电路上必须采取的技术措施.给出的IGBT栅极驱动特性、密勒效应的数学表达式及其对栅极电压UGE波形的影响,为后面将要介绍的部分设计分析奠定了专业理论基础.     

高压浮置MOS栅驱动集成电路

引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通常比系统中的最高电位──固定电平要高。 2、栅电位一般是对地而言的,必须逻辑可控。因此,控制信号应抬高到高压侧功率器件的源电位,在大多数应用中,此源电位在两固定电平间摆动。 3、栅驱动电路所消耗的功率对整体效率不能有明显的影响。 由于以上的限制,目前已采用好几种工艺可用来完成功能,原理见表Ⅰ,每一种基本电路均可用多种结构来实现。 国际整流器公司的IR2110栅驱动器集成了驱动高压侧与低压侧功率MOSFET或IGBT所需的大部分功能,兼有小体积与高性能的封装。附加少许元件。IR2110便能提供很高的开关速度(见表Ⅱ)以及低耗