氮化铝粉体工程的研究进展

电子技术微型化、轻型化、高集成和大功率的发展,对基板和封装材料提出更高要求。氮化铝陶瓷具有高导热性、绝缘性、热膨胀系数与半导体硅相近、机械强度高、化学稳定性好、无毒无害等优良特性,是理想的基板材料之一,具有很好的发展前景。高质量氮化铝粉体是制备高性能氮化铝陶瓷的关键。本文分别归纳介绍了微米/纳米氮化铝合成的新技术、新方法及其研究进展,并展望了氮化铝粉体合成的发展趋势。     

氮化铝粉体制备的研究及展望

氮化铝陶瓷具有高的热导率、良好的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗,以及与硅相匹配的热膨胀系数,是现今最为理想的基板材料和电子器件封装材料.氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量,因此,高质量氮化铝粉体的制备是获得性能优良氮化铝陶瓷的关键.本文综述了氮化铝粉体制备技术的研究进展,并对其未来发展方向进行了展望.     

氮化铝粉末制备与应用研究进展

氮化铝陶瓷因具有高导热率、各种电性能优越、机械性能好、良好的化学稳定性等优点,可作为封装散热基板和电子元件制造的理想材料.而氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高品质,要想获得性能优良氮化铝陶瓷,关键是要制备高质量的氮化铝粉体.随着5G时代的到来,氮化铝作为最理想的基片材料,如何制备高质量高性能的氮化铝粉末成为先进材料方向...     

氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展及展望

氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料.本文论述了目前国内外氮化铝陶瓷粉体的主要制备方法及其特点,分析了氮化铝粉体制备的主要影响因素,阐述了主要解决措施,展望了氮化铝陶瓷粉体制备技术研究发展的方向.     

高热导电绝缘氮化铝陶瓷在宇航器件中的应用：概述、挑战和展望

氮化铝(AlN)陶瓷具有高热导、高电阻、低介电损耗、低膨胀以及良好的力学性能等特性,可用作高性能导热基板和陶瓷封装材料。本工作评述了AlN粉体及陶瓷的制备技术、性能特性及宇航应用等方面的研究状况,讨论了宇航应用的挑战和启发,进一步对其在空间技术中的应用潜力进行展望。     

大功率LED中常用陶瓷基板研究

为解决大功率LED散热问题,简要介绍了大功率LED对基板材料的要求,分析了陶瓷基板在大功率LED领域应用的重大意义,概述了几种常用陶瓷基板材料的优缺点。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好,是未来大功率LED理想的基板材料。复合陶瓷基板材料综合了各种材料的优点,是大功率LED基板材料的发展趋势。     

亚微米氮化铝粉体改性微米氮化铝陶瓷的研究

以低温燃烧工艺结合碳热还原法制备获得的粒径30~180nm氮化铝粉体作为添加剂,探讨了不同量和不同粒径亚微米氮化铝粉体对微米氮化铝陶瓷烧结性能和热传导性能的影响规律。结果发现,在微米氮化铝粉体中添加适量的亚微米氮化铝粉体,可在一定程度上促进氮化铝陶瓷的烧结,在1800℃即能实现致密化,并提高氮化铝陶瓷的热导率;亚微米氮化铝粉体的添加量以1.5wt%、粒径以120~150nm为最佳。但亚微米氮化铝粉体对微米氮化铝陶瓷的改性作用有限,1800℃烧结得到陶瓷的极限密度仅为3.12g·cm-3,低于氮化铝陶瓷的理论密度3.26g·cm-3,且陶瓷内部存在少量的气孔,其热导率为64.87W/(m·K)。     

用作基片材料的氮化铝陶瓷的现状与展望

概括叙述了氮化铝陶瓷用作基片材料的现状，指出了制备氮化铝陶瓷时，所需粉末的合成方法制品的成型工艺，烧成及后处理的方法，各种方法的优缺点和可行性等，并对用作基本材料的高热导率氮化铝陶瓷的未来发展，进行了展望。     

氧化铝/氮化铝陶瓷显微组织研究

氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料.本文研究了AlN加入量和烧结温度对Al2O3/AlN复相陶瓷相组成和显微组织的影响.结果表明该陶瓷在1400～ 1550℃烧结时,AlN被部分保留,少量氧原子进入AlN晶格,烧结生成4种铅锌矿结构新相,有利于提高复相陶瓷热导率;氮化铝含量和烧结温度的提高,有利于形成大尺寸晶粒.     

高热导率氮化铝陶瓷研究进展

氮化铝(AIN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料.本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例.     

氮化铝陶瓷的研制及应用

氮化铝 (AlN)因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数及其他优良的物理特性 ,在新材料领域越来越引起人们的关注。此文主要介绍并分析了AlN粉体合成、烧结、性能结构、AlN陶瓷的应用与前景     

AlN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性,应用领域非常广泛。对A l N粉体的合成、烧结工艺、助烧结剂及其应用等方面进行了介绍,并对A l N未来的发展趋势进行了展望。     

氮化铝陶瓷的研制及应用

氮化铝（AIN）因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数及其他优良的物理特性，在新材料领域越来越引起人们的关注。此文主要介绍产分析了AIN粉体合成、烧结、性能结构、AIN陶瓷的应用与前景。     

氮化铝和氮化铝陶瓷

氮化铝和氮化铝陶瓷周文钊（无锡化工研究设计院，２１４０３１）过去基板材料以氧化铝为主，但随着现代电子技术的飞速发展，要求整机朝着微型化、轻型化、高集成度、高可靠性的方向发展。同时，器件愈来愈复杂，又将导致基板尺寸增大，基板功率耗散增加，发热量增加，基...     

AIN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率，低介电常数，与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性，应用领域非常广泛，对AIN粉体的合成，烧结工艺，助烧结剂及其应用等方面进行了介绍，并对AIN未来的发展趋势进行了展望。     

氮化铝的应用及其主要制法

<正> AlN(氮化铝)具有优良的热传导性、绝缘性、透光性、耐高温及抗腐蚀性,是制半导体集成电路基板、熔铸纯铁、铝及其合金的理想坩埚材料。AlN 有高导热和低膨胀系数,是目前较好的耐热冲击性材料。尤其它的透光性,被选作生产各种精细陶瓷的辅助添加剂,受到了人们极大的重视。     

电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展

高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及气孔等微结构因素对AlN陶瓷热导率的影响。提出选用高纯超细AlN粉体原料,合理选取烧结助剂的类型与添加量,优化排胶、高温烧结与热处理工艺是改善AlN陶瓷结构,实现AlN陶瓷热导率提升的有效途径。     

氮化铝陶瓷的研究与应用

氮化铝（ＡｌＮ）因具有高热导率,低介电常数、与硅相匹配的热膨胀率系数及其他优良的物理选场生在新领域越来越引起人们的关注,本文主要介绍分析了ＡｌＮ粉体合成、烧结技术、应用基础理论研究的最新动态和进展,以及ＡｌＮ陶瓷的应用领域与前景。     

AlN陶瓷烧结技术研究进展

氮化铝(AlN)因其具有高热导率,作为基片材料在电子元器件中得到日益重视.本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数,包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响.并指出可通过合适的AlN粉体制备技术,结合快速烧结方法可得到具有晶粒细小、结构均匀、高致密度和高导热率的AlN陶瓷.     

氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估

氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板.氮化硅陶瓷的弯曲强度800 MPa,断裂韧性8.0 MPa·m1/2,热导率90 W/(m·K),交流击穿强度40 kV/mm和体积电阻率3.7×1014Ω·cm;氮化硅陶瓷覆铜基板的剥离强度达到130 N/cm.在-45～150℃高低温循环冲击下,氮化硅陶瓷覆铜基板的冲击次数分别达到氮化铝和氧化铝覆铜基板的10倍和100倍;在铜厚0.32 mm/0.25 mm冲击次数达5000次和铜厚0.5 mm/0.5 mm冲击次数达1000次的情况下,样品均完好无损;在铜厚0.8 mm/0.8 mm冲击次数达500次时,样品仍未产生微裂纹等缺陷,这与铜厚0.32 mm/0.25 mm时氮化铝覆铜基板的循环次数相当;氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性明显优于现有产品.