功率MOSFET高速驱动电路的研究

基于特定情况下对驱动电路特殊的要求,介绍了一种输出电流大,带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论,并给出了不同频率下该电路的实验结果。     

功率MOSFET用驱动电路探讨

本文主要讨论了功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路的设计方法以及主要注意事项，并给出了两种实用的驱动电路。     

具有保护功能的并联功率MOSFET驱动器

本文介绍了一个用于多管功率ＭＯＳＦＥＴ并联应用的驱动电路,该电路具有故障检测与保护功能,简单,实用,可靠。     

基于功率MOSFET模块驱动电路的研究与实现

功率MOSFET已广泛应用于开关电源、电机调速、不间断电源、超声波发生器以及高频感应加热电源等诸多领域.与GTR相比较,它具有开关速度高、安全工作区较宽、驱动功率小等优点,而限制其应用的一个重要因素是开关容量.文章讨论一种具有保护功能的功率MOSFET模块驱动电路,并讨论了其参数估算方法,该电路可工作在数百千赫兹频率下,常用于高频感应加热电源中.     

简单实用的功率MOSFET驱动电路

设计了采用脉冲变压器隔离的功率ＭＯＳＦＥＴ无源驱动电路,可工作在任意占空比下,具有实用性强、电路结构简单、响应速度快,输出阻抗小等优点。介绍了该驱动电路在零电流开关电路中的简化应用,并给出了实验波形。     

一种功率场效应管的高频驱动电路

介绍一种实用的场效应管驱动电路及工作原理，同时给出了隔离电路，互锁电路及保护电路图。     

一种适用于IGBT,MOSFET的驱动电路

讨论了一种适用于ＩＧＢＴ和ＭＯＳＦＥＴ的新型驱动电路，该电路无需附加单独的浮地电源，工作频率高，延迟时间小，适用于高频软开关变换器场合。     

功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

一种具有自保护功能的功率MOSFET驱动电路

提出了一种功率ＭＯＳＦＥＴ高频载波桥式整流驱动电路。该电路具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点，而且还具有自保护功能。     

一种新颖的MOSFET驱动电路

列出了几种常用的功率MOSFET驱动电路,在说明其共同不足的同时,详细分析了电荷泵电路的工作原理,阐明了其在MOSFET驱动电路中的应用。实验结果表明,电荷泵电路非常适合MOSFET的驱动电路。     

新型双功率MOSFET管谐振驱动电路

提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。     

用于三相桥式电路的600V驱动集成电路

介绍了一种６００Ｖ单片式智能驱动集成电路，它可连接ＴＴＬ，ＣＭＯＳ逻辑电路与三相桥式电路之间，用以驱动ＭＯＳ栅极器件。本文给出了该驱动电路在步进电机，高频镇流器中的应用电路。     

一种新型功率MOSFET逆变器的研究

提出一种新型逆变器方案，对逆变器主回路，驱动电路和控制回路进行了详细的分析，并给出了实验结果。     

一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路

介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的 ,从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。通过实验 ,证明了这种电路的正确性和实用性     

功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。     

功率MOSFET在中小功率电机调速中的应用

1引　言功率MOSFET是单极性载流子晶体管,与双极型器件表现出很大不同的特性。由于功率MOSFET没有积蓄载流子现象,所以具有较高的增益和极快的开关速度。解决了高电流、大电压的问题,它的出现,使MOS器件从小功率进入了大功率范围。目前生产的功率MOSFET多数为N沟道增强型,N沟道