苦卤制备硼酸镁(Mg2B2O5)晶须的研究

以苦卤、硼酸、氢氧化钠为原料,采用高温助熔剂工艺制备了硼酸镁(Mg2B2O5)晶须。系统研究了苦卤的脱色、镁硼比例以及成核方式对晶须组成和形貌的影响。结果表明:在苦卤体积确定的情况下,脱色剂次氯酸钠的加入量在0.2~1.0 mL之间时,色度去除率随着脱色剂加入量的增加而增大;镁硼比例为0.50和0.67时合成产物为Mg2B2O5;在相同的试验条件下,与籽晶法生长晶须相比较,自发成核制备的晶须细而短,实际应用中可根据需要制备所需形貌的晶须。     

硼酸镁晶须的合成及表征

以氢氧化镁和硼酸为原料,利用高温-助熔剂-湿法工艺合成了高品质的硼酸镁晶须。采用XRD、SEM、HR-TEM、SAED等手段表征,系统研究了焙烧温度、焙烧时间、硼镁物质的量比及助熔剂添加量对晶须形貌的影响。结果表明,在焙烧温度为850 ℃、焙烧时间为4 h、n（硼）∶n（镁）=3∶1、n（钠+钾）∶n（镁+硼）=4∶1的条件下,可合成直径为0.5~0.8 μm、长径比为40~240且表面光滑的硼酸镁晶须。还对硼酸镁晶须的高温-助熔剂-湿法工艺合成生长机理进行了探讨。     

煅烧条件对硼酸镁晶须组成和形貌的影响

以六水氯化镁、硼酸、氢氧化钠和氯化钠为原料,采用高温助熔剂工艺制备了新型复合材料增强剂——硼酸镁晶须。系统研究了马弗炉炉丝缠绕方式、匣钵形状及尺寸、匣钵材质——石英、黏土、刚玉以及莫来石等对晶须组成和形貌的影响。应用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对产品进行了表征。结果表明:在同样的温控程序下,矩形石英匣钵体积为3 500 mL、马弗炉炉丝采用内穿丝缠绕方式时制备的晶须为单一相三斜结构硼酸镁,且形貌均匀,无团聚,研究结果将为硼酸镁晶须的进一步发展提供技术依据。     

硼酸镁晶须的制备与表征

以氢氧化镁、硼酸为反应物,氯化钠-氯化钾混合作助熔剂,高温固相合成法合成硼酸镁晶须。通过正交实验探讨硼酸镁晶须制备的最佳工艺条件:原料镁硼摩尔比1∶1,原料与助熔剂摩尔比1∶1.5,800℃高温固相合成2 h。采用X射线衍射仪和扫描电镜对硼酸镁晶须结构表征及表面相貌观察分析,所制备的硼酸镁晶须长度20μm,直径1.5μm针状晶体。对硼酸镁晶须合成过程进行了探讨分析。     

硼酸镁晶须的水热合成及表征

以六水氯化镁和硼砂为原料,利用水热前躯体法在190℃水热10 h制备出长径比为30~90的碱式硼酸镁晶须,再将碱式硼酸镁晶须通过700℃高温焙烧3 h实现结构重整和物相转化,得到长径比为50~80、尺寸均一的硼酸镁晶须。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、热重分析(TG)等手段对碱式硼酸镁和硼酸镁的组成和形貌进行了表征。同时考察了反应物浓度、水热温度、水热时间及表面活性剂对前驱体形貌的影响。     

硼酸镁晶须的可控合成及表征

以六水合氯化镁和硼酸为原料,在水热条件下合成了碱式硼酸镁［MgBO2（OH）］晶须,将其焙烧得到硼酸镁（Mg2B2O5）晶须。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和热重-差热分析（TG-DTA）手段,对前驱体和焙烧产物的物相和形貌进行表征。主要考察了反应物浓度对前驱体物相和形貌的影响,并分析前驱体的形成过程。结果表明,前驱体的制备过程与反应物浓度直接相关,在Mg2+浓度为2.0 mol/L,硼酸浓度为0.75 mol/L的条件下,可合成形貌良好的碱式硼酸镁晶须,将其在较低焙烧温度650 ℃下焙烧3 h,可得到组分单一、直径为40~70 nm、长度为500~1 500 nm、长径比为10~20的硼酸镁晶须。     

硼酸镁晶须研究进展

硼酸镁晶须作为一种新型的功能材料正在金属、塑料、陶瓷、高分子等复合材料中获得应用。随着科技、经济的发展,其使用领域在不断扩展。本文主要介绍了硼酸镁晶须的制备方法及其特性,并对硼酸镁晶须发展方向进行了展望,这对于硼酸镁晶须的应用和工艺改进有重要的参考价值。     

硼酸镁晶须的制备与应用研究

系统地介绍了硼酸镁晶须在制备工艺及其应用技术领域的国内外研究现状,通过详细对比分析当前各种硼酸镁晶须的制备方法,回顾硼酸镁晶须的应用范围和增强效果,指出了硼酸镁晶须在制备、应用中存在的问题,以期对中国硼酸镁晶须的开发和综合利用起到促进作用。最后就硼酸镁晶须今后的发展趋势作了展望。     

硼酸镁晶须的制备及应用

硼酸镁晶须属于新型功能材料，主要介绍了硼酸镁晶须的制备方法及其应用。在制备方法中重点介绍了代表硼酸镁晶须发展方向、适合于工业化的高温固相合成法。最后有针对性地指出了现存的问题及今后硼酸镁晶须的发展趋势。     

尼龙6/硼酸镁晶须复合材料的制备与研究

使用自制的硼酸酯偶联剂BE-1和BE-2在硼酸镁晶须表面引发聚合形成有机涂层,用改性后的硼酸镁晶须制备尼龙6/硼酸镁晶须复合材料并对其性能进行了研究。结果表明:随着硼酸镁晶须含量的增加,复合材料的拉伸强度、弯曲强度及热变形温度出现了先增加后降低的趋势,当硼酸镁晶须在复合材料基体中的含量为30%时,复合材料的力学性能最佳,BE-1改性的尼龙6/硼酸镁晶须复合材料拉伸强度、弯曲强度、冲击强度、热变形温度分别比未改性的尼龙6/硼酸镁晶须复合材料提高了14.47%、13.72%、29.73%和7.19%;BE-2改性的尼龙6/硼酸镁晶须复合材料的拉伸强度、弯曲强度、冲击强度、热变形温度分别比未改性的尼龙6/硼酸镁晶须复合材料提高了23.37%、22.54%、37.84%和10.78%。     

溶胶-凝胶法硼酸镁晶须表面涂覆Al_2O_3

通过溶胶-凝胶法,采用异丙醇铝(Al(C3H7O)3)为原料,经过水解、缩聚、干燥和煅烧在硼酸镁晶须表面涂覆了Al2O3涂层。研究表明Al2O3颗粒细小、均匀分布在晶须表面,并提高了晶须的表面自由能,有利于晶须与液态金属的润湿,Al2O3溶胶浓度为0.4mol/L时预制块抗压强度高达48.4MPa,较未涂覆时预制块强度增加了115%。     

改性硼酸镁晶须/丁苯橡胶复合材料的制备与性能

采用偶联剂Si69对硼酸镁晶须进行改性,制备改性硼酸镁晶须/丁苯橡胶(SBR)复合材料,并对其性能进行研究。结果表明:硼酸镁晶须的加入使复合材料的物理性能和耐磨性能均有不同程度的提高;与未改性硼酸镁晶须相比,加入改性硼酸镁晶须的复合材料的物理性能较好。硼酸镁晶须能够显著提高复合材料的耐磨性能;与未改性硼酸镁晶须相比,加入改性硼酸镁晶须的SBR复合材料的耐磨性能较好。     

Mg2O2B5w/AZ91D复合材料热膨胀行为研究

文章研究了未经热处理处理、人工时效(200℃,16 h)和固溶(415℃,24 h)时效(200℃,8 h)的Mg2O2B5w/AZ91D复合材料的热膨胀行为。结合它们的维氏硬度和金相,得出析出相的数量越多,热膨胀系数越低;残余应力值越小,CTE到达峰值的温度越低。固溶时效样品的热膨胀系数在286.2℃时达到最大值2.60×10-5/K,时效样品的热膨胀系数在244.8℃时达到最大值CTE 2.19×10-5/K。     

硼酸镁晶须应用研究新进展

硼酸镁晶须是继硼酸铝晶须后的又一高性能低成本的晶须,其原料广,具有成本低廉、良好的机械强度和电绝缘性以及无毒无害无污染等优异性能,可作为增强增韧材料添加到其他材料中,是一种应用前景广阔的晶须材料。随着社会对轻质、高效材料的需求越来越大,以及对硼酸镁晶须理论问题的不断深入研究和制备技术的不断开发与完善,可以预见,硼酸镁晶须产品将会展现出极为广阔的应用前景。综述了硼酸镁晶须表面改性问题及其做为填充材料增强金属、树脂、陶瓷等的应用。     

石墨烯/碱式硫酸镁晶须/PVC复合材料的制备及性能表征

以改进的Hummers法制备还原氧化石墨烯(RGO),以RGO和碱式硫酸镁晶须(MHSHw)为填料,采用机械球磨法制备RGO/MHSHw/PVC复合粉料,经平板硫化机热压成型得三相复合板材。考察了RGO和MHSHw对复合材料电阻率、阻燃性能及力学性能的影响。结果表明:RGO具有很好的片层结构和导电性;当MHSHw添加量为5%,RGO添加量为1%时,RGO/MHSHw/PVC复合板材的表面电阻率为4×106Ω/square,比纯PVC下降8个数量级,达到了商业抗静电效果,拉伸强度达到最大值17.61 MPa,比纯PVC提高了44.04%,复合板材氧指数>33%,具有阻燃性能,得到力学性能优良兼具有抗静电和阻燃性能的复合材料。     

碱式硫酸镁晶须的水热合成工艺研究

研究了MgSO4.7H2O和NaOH一步法水热合成碱式硫酸镁晶须制备工艺,研究了各种合成条件对合成过程和产物质量的影响,得出最优工艺条件为:MgSO4.7H2O和NaOH的物质量比为1:1.5,反应时间10h,反应温度200℃。     

碱式硫酸镁晶须增强ABS复合材料制备及性能

以丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)及碱式硫酸镁晶须为原料,以环氧树脂(ER)和苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMA)作为界面相容剂,研究界面相容剂对晶须增强ABS复合材料力学性能及界面粘接的影响.结果表明:加入SMA或环氧树脂,碱式硫酸镁晶须增强ABS复合材料的力学性能明显提高;SMA与环氧树脂同时加入具有明显的协同效果,使复合材料的性能更为优越.当晶须加入质量分数为15％时,复合材料的拉伸强度、弯曲强度、冲击强度较未添加界面相容剂时分别提高了26％、19％、198％.     

二硼化镁超导晶体的制备与形貌表征

利用镁助熔剂法制备出六方片状的二硼化镁（MgB2）单晶,并通过扫描电子显微镜和金相显微镜对MgB2晶体形貌进行了研究。结果发现,（111）、（101）和（011）晶面的生长速率远远大于（1-10）、（100）和（010）晶面生长速率,即晶体沿口或6轴的生长速率明显很大,而沿c轴的生长速率很小,甚至随着晶体生长并未发生变化。在MgB2单晶中首次观察到{0001}晶面层的解理与石墨相似,对MgB2单晶的生长机制进行了讨论。