一类可由基本模型嵌套组成的工作流系统的性能分析方法

工作流是近年来网络领域里研究的一个热点，对工作流模型的性能分析是工作流研究的一个重要内容．实际的模型往往规模大而复杂，这为分析其性能带来了很大的困难．但有一类模型可由工作流的四种基本模型(顺序、并行、选择、循环)嵌套组成，对于这类模型，本文给出了计算其性能乘积解的数学公式．文中给出了如何由这四种基本模型嵌套组成实际模型的方法，推导出了计算这四种基本模型的性能等价公式，并按建立实际模型相反的顺序，用由里到外逐层的分析方法，给出了计算实际模型的性能乘积解．     

注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响

研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响． 氮注入SIMOX的埋氧层并退火后，将减小前栅MOSFET/SIMOX的阈电压，提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响．     

直拉硅单晶中氮关新施主的研究

研究了微氮硅单晶在６００～９００℃温区的新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响．明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主ＮＮＤ，其热处理行为类似于普通新施主，但形成特性受氮杂质的较大影响．对其形成机制也作了初步探讨     

一种研究Rydberg原子的新方法:非简并四波混频方法

众所周知，非简并回波混频可被用于高分辨率激光光谱学，以研究原子或分子能级结构和弛豫过程．我们曾用时间延迟Ｒａｍａｎ增强非简并四波混频光谱学方法测量振动的失相时间，尤其是将双频非简并四波混频方法用于超快调制光谱学，等等．Ｒｙｄｂｅｒｇ原子是原子物理学中的重要研究领域．在本论文中，我们首次将非简并四波混频方法推广到Ｒｙｄｂｅｒｇ态系列的研究．这种方法的主要特点是：它是非线性光学方法，信号为相干光，探测灵敏度高． 虽然人们对钠原子Ｒｙｄｂｅｒｇ态系列已进行了许多研究，但用非简并四波混频方法来研究用原子…     

微氮硅单晶热处理性质研究

实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究，着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化．实验指出，热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史，热处理温度及其它杂质的影响，实验发现微氮样品高温热处理时，氮浓度消失，低温再退火时氮浓度重新回升，以及碳杂质抑制氮浓度下降的新事实，并结合红外吸收光谱的研究，提出微氮硅单晶中存在稳定性不同的二种氧氮复合体的观点．     

快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．     

信道重叠信号分离方法的发展与展望

单信道多个时频重叠信号分量的分离，即仅利用一个信道或阵元接收，进行多个时频重叠信号分量的分离，是一个非常具有挑战性的工作，具有非常重要的实际应用和理论研究价值．本文从单信道分量信号定义，到信号分量可分离性分析，再到分离方法，对单信道重叠信号分离这一问题的发展过程和最新研究进展，以及一些领域中的应用进行了系统的介绍，并进一步讨论了其面临的问题和挑战．     

铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响

通过研究微氮掺铁硅单晶的氧沉淀行为，发现低温预处理有助于高温退火时的氧沉淀，且氮、铁杂质均对氧沉淀有明显促进作用．首次发现氮杂质部分抑制了铁对氧沉淀的促进作用．     

固-液水力旋流器颗粒运动行为分析

水力旋流器是一种应用非常广泛的分离非均相混合物的设备,文中对固-液旋流器的分离机理进行了介绍,并对固体颗粒的四种碰撞形式进行了分析比较,认为固体颗粒的碰撞是影响旋流器分离性能的重要因素,同时易引起"底流夹细"等问题。     

深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应．通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用，并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制，即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解，但栅氧中的氮提供了H＋的陷阱中心，导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加，其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加．     

氮分子激光照射及激光加光敏剂8-MOP照射对白色念珠菌生长的影响

实验研究了氢激光照射及激光加光敏剂8-MOP对白色念珠菌生长的影响。低能量氮散光照射（小于0．6mJ／cm^2）30′-m60′示见明显影响。如外加8-MOP时对霉菌生长发生中等抑制作用，但单独应用8-MOP则未见抑制作用。因此，这种抑制是由于光敏化作用引起的。较高船量氮嫩光照射（1．0mJ／cm^2）15′-90′时，不论单独照射或外加8-MOP，皆使霉菌生长完全抑制。作者认为，选到一定能量的氨激光照射可完全抑制白色念珠菌生长，氮激光似可临床应用于光照疗法及光化学疗法。     

微氮硅单晶中氧沉滨

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．     

硅中氮的电学行为的研究

用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．     

自适应机载雷达空-时处理性能的改善

在机载预警雷达中，对低速目标的检测是很重要的，却又是非常困难的．本文提出了一种时域预处理的时-空二维自适应处理新方法，与先前提出的TSA滤波法[1]相比，新方法稍增加一些运算量，但在低速日年检测性能上有较大的改善。     

线性多步算法解算四元数微分方程的误差分析

本文详细推导了解算四元数微分方程的线性多步算法，并构造了解算四元数微分方程的预测-校正算法．通过对算法的误差分析，将预测．校正算法进行改进，得到预测-校正-改进算法．此算法不仅具有较好的稳定性，而且精度较预测撒正算法提高了计算步长的一个数量级．     

微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态．     

医疗器械用高氮不锈钢薄板激光焊接接头的组织与性能

高氮奥氏体不锈钢具有良好的强韧性,且可避免不锈钢中镍离子引起的生物过敏反应,在医疗器械方面具有广泛应用前景.焊接性是高氮钢的重要应用性能.本文利用激光对3mm厚的高氮钢进行了焊接,研究了高氮钢激光焊接接头的组织、力学性能及其变化规律.研究结果表明,高氮钢激光焊接焊缝组织为奥氏体和少量的δ-铁素体,接头没有出现软化区,拉伸实验均断在母材处.焊缝具有较高的冲击韧性.     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

硅单晶中氮－氧复合体的红外吸收研究

对不同条件下含氮和不含氮的硅单晶，在３００Ｋ和８Ｋ下进行红外吸收研究．实验结果表明：含氮硅单晶和氮一氧复合体相关的红外吸收峰为１０３０ｃｍ－１，１０００ｃｍ－１和８０６ｃｍ－１．