粘片机中芯片丢失的光敏检测方法及其分析

论述了粘片机中芯片丢失的检测方法,采用红外发光二极管和硅光敏晶体管,实现了芯片丢失的快速、准确的检测。     

LED粘片机芯片运动控制技术研究

1概述 LED全自动粘片机是一种用于LED（发光二极管）生产制成中进行管芯与引线框架粘接的自动化设备，是LED自动化生产线上必备的关键设备之一：适合各种高品质、高亮度LED（红色、绿色、黄色、蓝色、白色等）生产，还可用于部分半导体二极管、三极管、PCB及小型DIP、SOP等产品的生产。     

应用四连杆机构的粘片机键合头设计

键合头为粘片机上的关键部件,需要精确、平稳地往返于拾片和粘片位置,实现芯片的拾取、传送和粘接等动作。分析了粘片机用键合头机构的作用及性能要求,介绍了曲柄摇杆机构在粘片机键合头设计上的应用。     

换能器与固体微声器件

0327700声表面波器件压电芯片粘接工艺的可靠性研究(刊,中]/陈台琼//电子质量.—2003,(6).—89-91(E3)本文对声表面波(SAW)器件失效模式以及SAW器件粘片失效模式进行了初步分类和探讨。通过对粘片工序几种失效模式的对比试验,总结了一套针对该工序的较为完整的粘片可靠性增长率控制措施。     

TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计

介绍了自主开发TIP41C低频大功率平面晶体管芯片的设计过程.TIP41C晶体管芯片为通用大功率、中反压型芯片.其设计过程中所使用的材料均立足国内,设计成功后的1.78×1.78 mm2芯片的尺寸是目前市场上最小的,关键电参数已达到国际先进水平.     

GY-841型2×100W晶体管功率放大器

一、概述随着时代的发展,人们对舞台扩声的质量要求越来越高,进口的大功率晶体管功率放大器日益增多,国产晶体管功率放大器的生产逐渐被重视。杭州通信广播电视技术研究所从84年开始着手研制全国产化的大功率晶体管功率放大器,当年制成了GY-2×100W晶体管功率放大器;85年试生产了一批现将该机情况介     

DAD—87导电胶的特性和应用

一、前言 1967年美国首先采用一种银-环氧导电胶进行半导体器件的装片。这种新工艺的操作温度在室温至200℃之间,比传统的金-硅共晶,锡焊和银浆烧结温度低,可以避免高温对芯片特性的损伤;芯片背面和管座式引线框架不必镀金,可用镀银或镀镍;粘接牢度超过银浆烧结;操作简便,适合大批量生产和自动化作业。从而保证了半导体器件的质量,提高器件的合格率和工效,降低成本。七十年代由于世界黄金价格的上涨,用导电胶装片的工艺得到了普     

倒装芯片衬底粘接材料对大功率LED热特性的影响

针对倒装芯片(Flipchip)大功率发光二极管器件,描述了大功率LED器件的热阻特性,建立了Flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线,以三类典型粘接材料为例计算了不同厚度下的热阻,得出了Flipchip衬底粘接材料选择的不同对大功率LED的热阻存在较大影响的结论.     

微波芯片元件的导电胶粘接工艺与应用

导电胶常用于微波组件的组装过程,其粘接强度、导电、导热和韧性等性能指标严重影响其应用范围.分析了导电胶的国内外情况和主要性能参数,总结了混合微电路对导电胶应用的指标要求.通过微波芯片元件粘接工艺过程,分析了导电胶的固化工艺与粘接强度和玻璃化转变温度的关系、胶层厚度与热阻的关系、胶点位置和大小与粘片位置控制等方面的影响关系.测试结果显示,经导电胶粘接的芯片元件的电性能和粘接强度等指标均满足设计和使用要求,产品具有较好的可靠性和一致性.     

提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究

影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。     

2千兆赫20瓦和4千兆赫5瓦单片晶体管(三)

<正> 一、引言为了获得大功率微波晶体管,采用了多芯片混合内联技术和引线键合技术。用混合形式制造的器件价值是昂贵的。本工作的目的是建立和验证在小批试制中成批生产单片器件的制造技术。这种技术已在近三年中根据 No.00014-75-C-0405号合同在 NRL 的资助下进行了研究。为了验汪单片制造技术,本工作将进行两种微波晶体管即单片2千兆赫20瓦和4千     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。     

塑封碳化硅肖特基二极管粘片工艺

粘片工艺是塑封碳化硅肖特基二极管封装中的关键工艺,实现了芯片背面金属与引线框架的物理连接与电连接,对器件的参数以及可靠性影响较大。我们发现器件生产中或者器件可靠性的多种失效模式都产生于粘片工艺。我们通过对焊料成分、拍锡头结构,工艺参数的优化等,使器件的品质大大提升。     

X 射线无损探伤在高频大功率器件研制中的应用

本文一般地介绍了 x 射线无损探伤的原理和方法。较详细地讨论了它在高频大功率晶体管研制中的应用。通过实验说明了,在大功率器件的管壳结构设计及工艺质量、管芯片烧结等方面,x 射线无损探伤是一种科学的简单的分析和检查方法,也是管壳制造工艺质量筛选或抽验的方法之     

TIP31C和D880大功率晶体管的设计

介绍了用国产材料设计TIP31C和D880通用大功率中反压平面大功率晶体管芯片的设计过程。采用该方法设计的1．50×1．50mm^2芯片的关键电参数可以达到国际先进水平。     

半导体器件芯片软钎焊用Sn—Ag—Sb合金钎料的研究

大功率晶体管制造过程中所使用的软钎料,一直是国内外电子行业所普遍关心的问题。本文研究了过冷度对J合金显微组织及性能的影响;过冷度对J合金钎料强度的影响;进行了J合金的软钎焊性及热疲劳试验。研究表明:J合金冷却速度的大小直接影响钎料的润湿性和钎焊接头的致密性,从而影响接头的机械强度和抗热疲劳性能。     

LQFP和eLQFP热机械可靠性的有限元分析

封装形式的差异性对产品可靠性具有重要影响。基于有限元法,对比分析了薄型四方扁平封装(LQFP)和载体外露薄型四方扁平封装(eLQFP)在室温和回流焊温度下的翘曲、芯片和粘片胶的应力水平以及各材料界面应力分布。研究表明,LQFP的翘曲比eLQFP的大,但芯片和粘片胶上的最大应力无明显差别;eLQFP在塑封材料与芯片有源面界面的应力水平比LQFP的大;eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剪切应力比LQFP的大,但eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剥离应力比LQFP的小;eLQFP在塑封材料与芯片载体镀银区界面的应力水平高于LQFP的应力水平,由于塑封材料与镀银芯片载体的结合强度弱,eLQFP更易发生界面分层。     

芯片粘接失效模式及粘接强度提高途径

芯片粘接质量是电路封装质量的一个关键方面,它直接影响电路的质量和寿命。文章从芯片粘接强度的失效模式出发,分析了芯片粘接失效的几种类型,并从失效原因出发对如何在芯片粘接过程中提高其粘接强度提出了四种解决途径和方法,对提高芯片粘接强度和粘接可靠性具有参考价值。文章还指出了芯片粘接强度测试过程中的一些不当或注意点及其影响,并对不当的测试方法给出了改进方法,能有效地避免测试方法不当带来的误判。     

硅PNP型大功率达林顿晶体管

达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。