CD16型磁性参数测量电桥

一、概述CD16型磁性参数测量电桥,主要测试频率在1KHz～1.5MHz范围内的各种电感器件和软磁材料的基本性能。电桥能直接读取电感值和等效串联损耗电阻值。在规定的工作频率范围内,频率连续可调。在电桥允许的最大高频电压范围内,有磁化电流指示,且可连续调节。并且,电桥能对具备直流磁化条件下     

BaTiO3-NiCuZn陶瓷-铁氧体复合材料的性能

目前制作抗EMI滤波器的材料主要有铁氧体系列和纳米晶软磁系列。本文主要介绍一新型抗EMI软磁铁氧体—陶瓷复合材料的制备及其磁性能的研究。复合材料的截止频率达到1．5GHz以上，有利于高频器件的使用。且介电常数大于45，有望成为电感、电容双用材料。     

磁性快速测试器

一、引言在软磁材料性能的测试中,绕线法是一种最常见、最通用的测量方法。采用绕线法将使很多人力、物力消耗在样环线圈的绕制上。采用磁性快速测试器测量时,只要将磁性样环放入测试器,就如绕线法一样,配以ICCG-1型电感电容测量仪测量磁芯的电     

NiZn软磁材料的制备方法

叙述了采用普通干压方法制备镍锌软磁材料的工艺制备的材料可用于生产ＣＡＴＶ器件，也可作调频收音机的电感元件。     

21世纪软磁铁氧体材料和元件发展趋势

综述了国内软磁铁氧体材料及器件的生产现状及应用。指出在其广播的应用领域内,软磁功率铁氧体材料将进一步向高频、高磁导率和低损耗发展。其产品如电感、线圈,向小型化片式化发展;电子变压器向小、轻、高效和表面贴装化发展。强调了21世纪的市场将以高档材料及元器件为主体。     

新的电源铁氧体磁心及其应用

当前高频开关电源已经在计算机、通信及广播电视等电子设备中得到了广泛应用，这种电源的主变压器及扼流圈等均使用软磁铁氧体磁心。软磁铁氧体材料的工业生产已有40多年历史，国内生产企业很多，个别企业已实现规模生产，产品质量已接近或达到国际水平。早期．软磁铁氧体主要制作弱磁场范围的电感器件，     

空气振动自动测试矫顽力计

空气振动轿顽力计，是以感应法为基础，在开磁路中测量软磁材料和软磁零件桥顽力的仪表。多年以来，软磁材料矫顽力的测量，都是以测量标准样件来代替各种形状软磁零件的检测方法。针对继电器各种软磁零件需要直接测试矫顽力的问题，研制成计算机控制全自动测试系统，并采用空气振动线圈传感器作为零磁通检测系统。灵敏度比磁通门磁强计高两个数量级（1012T）。解决了不用制作标准试样，可直接准确、快速测试各种软磁零件的问题。     

用于压接IGBT动态测试平台的高储能密度电感

压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因其独特的优势在我国输电领域发挥重大作用,但在获取其开关特性曲线的动态测试平台方面仍存在不足.在此将高储能密度电感(Brooks电感)应用到平台中,以优化测试平台.首先根据IGBT双脉冲测试回路要求计算电感值,通过仿真得到在电感工作频率范围内集肤效应的影响可忽略,并设计电感参数;然后基于ANSYS Maxwell建立模型进行仿真分析,计算电感值为751.69 μH,符合设计要求;进而对电感进行加工制作,测量电感的阻抗特性并计算电感值、匝间电容等参数,同时对该电感进行了绝缘测试,提出该电感可应用于IGBT动态测试平台;最后将其接入动态测试平台中,分别进行高压小电流和低压大电流实验.经计算,所设计的高储能密度电感使平台得到优化并且其储能密度为原电感的56.28倍.     

多元回归法在饱和磁感应强度测量中的应用

饱和磁感应强度是磁性材料静态参数的一个重要指标。为克服传统冲击法测量饱和磁感应强度时测量时间过长的缺陷,本文将多元线性回归分析应用于软磁材料饱和磁感应强度的测量中。应用多元线性回归分析法建立软磁材料饱和磁感应强度与冲击偏转之间的回归模型。经显著性检验,选择最优回归模型,并将其用于软磁材料同一型号其他测试样品饱和磁感应强度的预测和置信区间的估计。最后将预测结果与传统冲击法测得的饱和磁感应强度进行比对,表明多元回归法可用于测量样品饱和磁感应强度。     

软磁测试及分析系统设计

软磁材料制作的部件是诸多产品的核心部分,需测量以确定其性能和质量符合使用标准。本文介绍了一种以工业控制计算机为核心的软磁测试及分析系统,采用磁化软磁部件的方法,确定该材料的磁性能参数并绘制磁滞回线。该测试系统包括程控信号发生电路,主线圈功放电路,副线圈调理电路,数据采集模块和工业控制计算机,由C＋＋编写的软件可计算软磁材料的磁性能参数并绘制磁化曲线。实践证明,本测试系统测试操作简单,精度和稳定性高。     

软磁合金铁芯的热处理

一、引言电流互感器、电压互感器、各种变压器、扼流圈、交直流变换器、铁芯电感器、磁头和磁放大器等电工仪表行业中广泛使用的磁性器件,他们主要由作为导电材料的漆包铜线和作为导磁材料的各种软磁铁芯构成。软磁铁芯的热处理是保证性能的关键技术之一。软磁材料一般是指矫顽力H_e低于120A/m的磁性材料,例如软磁铁氧体、金属软磁材料等。金属软磁材料最常用的如Fe—Si。Fe—     

软磁材料矫顽力的高精度测量方法研究

软磁材料的矫顽力一般分布于零点附近,一方面,在零外加磁场状态下,测量易受到噪声的干扰;另一方面,相对使之达到饱和所施加的最大磁场而言,软磁材料矫顽力的分辨率受到一定的限制。提出一种延迟外推的方法,高精度地估算软磁材料的矫顽力。     

纳米晶化处理对抗EMI材料电感特性的影响

解决现代通信和开关模式网络中的电磁干扰是近期国内外关注的焦点,利用磁性材料特别是纳米晶软磁材料研究开发成无源抗EMI器件是解决这一问题的得力途径。但就纳米晶抗EMI材料研究方面,目前存在两个方面的主要问题：第一,非晶丝带纳米晶化后脆化问题;第二,内绝缘层与磁耦合问题,就上述两个问题进行研究。首先对非晶材料进行不同晶化处理工艺,如真空炉退火,快速冷却退火,快速循环退火,使晶粒细化到20－30nm,电感L值有所提高。其次对材料采用不同的内层绝缘材料（如PI＋SiO 铁氧体和PI＋铁氧体）和退火先后涂膜进行对比,最后测试磁芯电感L＝68μH（10kHz),35μH(10MHz)。     

恒定磁场对镁锌铁氧体性能的影响

一、前言镁锌铁氧体材料,用于制作使用频率从0.5MHz到25MHz、甚至更高频率的各种软磁铁氧体元、器件,可以得到高的Q值。在这个应用频率范围内制作的中波高Q天线磁芯,其性能优于MnZn铁氧体;制作的短波天线磁芯,其性能不亚于NiZn铁氧体;并可生产R20～R4h一系列软磁铁氧体元件,如电视机天线匹配器用R20、R100双孔磁芯;电视机调节电感用     

无线电材料的介电常数的一种扫频测试法

目前,有许多方法可以用于测量微波材料的介电常数,但它们多属于点频测量,通常,测试频率选为10GHz。这在十年前还可满足应用,而对于现在工作频率为1.9GHz和2.4GHz,带宽为800MHz～900MHz的无线电产业来说,在10GHz频率点测试材料,却在2GHz左右的频率上工作,必然导致误差,影响电路工作。本文介绍一种扫频测量法,它能在用户的准确工作频率上给出材料的性能。因而消除了因测量与工作频率不一致所产生的误差。该方法就是用一根微带传输线扫过所要测量的频带,测出S参数中的S_(11)和S_(21),再将它们代入一较简单方程,就可得到所需频率或频带上的介质的精确介电常数。这种测量法对于多种类型和厚度的材料得到的精度与已公布的数据相比,误差不超过1％。     

高性能铁粉芯的应用动态

比较了各种软磁材料的磁通密度、工作频率及应用领域.介绍了高性能铁粉芯材料在直流电刷电机转子磁心和共轨式柴油机喷嘴电磁阀磁心上的应用动态.     

基于Hopkinson效应的计算机控制软磁材料居里温度测量仪的研制

研制了基于Hopkinson效应的计算机控制软磁材料居里温度测量仪.对测量仪用工业电解纯镍进行了测量精度考核,平均偏差为4℃,重复测量精度为±1℃,与经典数据吻合;用研制的测试仪研究测试了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶及纳米晶软磁材料的交流起始磁导率-温度特性和居里温度.     

共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。     

软磁铁氧体材料性能与器件性能之间的关系及其测试技术进展

本文从理论及测试等角度对软磁铁氧体材料性能、器件性能以及他们之间的联系与区别等进行了初步的分析和探讨,并就这两种性能的测试标准、测试方法及生产实际中与此二者相联系的一些现象进行了一些分析,同时就测试这两种性能时需注意的问题进行了一些探讨,对当前国际上在这些领域研究中的一些热点问题进行了讨论,以供元件生产单位和整机单位参考。     

寄生电感在IGBT开关损耗测量中的影响

MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响,在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的,比如常见的管脚引线电感。本文以实用的功率器件测试平台建造为背景,在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。