EPC瞄准氮化镓功率器件市场兴起机遇

正功率器件一直都是由材料引导技术革新,硅材质的MOSFET已经应用多年,现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战,而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公     

RFMD开发出效率高达65%的75 W氮化镓功率晶体管

日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列,为RFMD客户提供更多     

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

正氮化镓(eGaN)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30V至200V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、     

EPC的eGaN FET实现更高的功率密度水平

美国国家半导体(NS)近日推出了业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器LM5113,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion,EPC)创始人之一兼首席执行官AlexLidow表示:"NS的LM5113桥式驱动器与我们的eGaNFETs配合使用,可以大幅     

EPC推出第二代200 V增强型GaN功率晶体管

EPC公司推出的第二代200 V增强型GaN场效应晶体管EPC2010,可实现高频率转换,性能更优势,并采用符合RoHS(《关于电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》)标准的无铅封装。与技术成熟、包含开启电阻的硅功率     

安森美牵手Transphorm开发基于氮化镓(GaN)的电源系统方案

正近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比     

安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目

正应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性,使其非常适合于要求高开关能效的功率器件及射频(RF)器件。如今,基于氮化镓的功     

TriQuint推出新氮化镓晶体管可使放大器尺寸减小50％

TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。     

富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

富士通半导体(上海)有限公司宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可     

射频功率晶体管及其脉冲应用

射频功率晶体管有三种主要品种:硅场效应晶体管(FET),硅双极晶体管(BT)以及砷化镓场效应晶体管(GaAsMESFET)。本文介绍了这三种功率晶体管的国外发展水平和一些应用特点,另外着重对功率晶体管的脉冲应用作了讨论,介绍了国外的一些应用实例。     

卫星广播电视地球站固态高功率放大器性能分析

随着微波半导体晶体管技术、新型材料的发展,固态高功率放大器的功率模块也从砷化镓场效应晶体管发展为氮化镓场效应晶体管,本文介绍了固态高功率放大器的基本原理,对采用砷化镓和氮化镓技术的两类固态高功率放大器的主要技术指标进行了比较.     

适用于宽带应用的氮化镓晶体管

氮化镓晶体管可耐受极度高温,并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件。此类器件的频率和功率处理能力对于为技术领域带来革命的高级通信网络中的放大器、调制器和其它关键器件非常重要。未来的无线网络基站就是一个很好的例子。     

电源调制电路在T/R组件中的应用与分析

简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在调制电压、电流和速度上优于p-MOS,但由于p-MOS电路简单,其在低功率应用中也被广泛使用。最后,对调制电路中出现阻尼振荡产生的原因进行分析,得到了通过调整外围参数进行优化的方法。     

元器件与组件

S波段RF功率晶体管S波段500W RF器件2729GN-500基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。在2.7～2.9GHz频段上,2729GN-500晶体管具有出色的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功     

氮化镓晶体管封装的先进性和热建模分析

近三年来,可替代功率MOSFET器件的基于氮化镓品体管产品系列已非常广阔（参考文献1）。除了优异的传导性能外,这些新一代器件的开关速度比传统硅器件要快十倍。     

得益于晶圆减薄工艺与创新的封装．功率MOSFET在不断进步

SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续娃著地增加功率转换效率（参考文献1）。但是,一直表现良好的硅功率MOSFET现在占市场统治地化,未来很多年,这种现状仍将持续下去。今年2月5日-9日在佛罗里达州奥兰多召开的APEC（实用功率电子大会）,     

NS开发增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成     

法国瑞士成功研制出高性能氮化镓晶体管

法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前,氮化镓只能用于（111）-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般在（100）-硅或（110）-硅晶圆上制成。     

首批商用GaN集成功率级器件诞生

国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台--GaNpowIR.据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,能够改善性能指数(FOM)高达10倍,可以显著提高性能并节省能源消耗,该技术平台是IR经过5年的时间,基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果.     

国外低频硅功率晶体管概况

一、硅功率晶体管的发展概况 一九五七年硅合金功率晶体管问世,是硅晶体管进入功率领域的良好开端。近二十年来,尽管其它名目繁多的半导体器件层出不穷地进行着新陈代谢,但硅功率晶体管这个老产品却一直在稳步地向前发展着。 图1是1970～1975年世界市场上硅功率晶体管和闸流管的增长情况。图2表示德克萨斯仪器公司1960～1980年半导体定货总量中功率器件所占的百分比。这在美国是有代表性的。从这两幅图表可以看出,即使在集成电路高速发展的今天,硅功率晶体管仍发挥着它的作用。