基于单片机的简易自动电阻测试仪

设计了一种具有自动电阻筛选测试仪,选用低功耗单片机C8051F005、多路开关CD4051、步进电机驱动芯片TA8435、LCDLM9033液晶显示器等器件。利用多路开关实现量程自动切换,测量量程为100Ω、1KΩ、10KΩ、10MΩ四档,测量精度为1%。用户通过键盘输入要求的电阻值和筛选误差值,测量时能在液晶显示器上显示出被测电阻的阻值以及被测电阻是否符合筛选要求,在自动测量时,液晶显示器能显示电位器阻值随旋转角度变化的曲线。所有电路结构简单,所选器件价格便宜,并给出了测试结果。测试结果表明,该电阻测试仪在自动电阻筛选和自动测量等方面具有较好的指标、较高的实用性。     

基于STC89C52单片机的自动电阻测量仪

用于测量电阻的仪器很多,但大都需要手动换挡,如果测量任务繁重则会大大降低测量效率,基于此,设计了一种以STC89C52作为核心控制器,并配以采集电路、档位切换电路、键盘电路、显示电路、报警电路等测量电阻及电位器的电阻测量仪。该测试仪具有自动切换量程、电阻筛选、超值报警等功能,可以对0~10M的电阻进行测量并显示测量结果,测量精度达到1%,同时还可以对电位器进行自动测量并绘制电位器的测量曲线。     

基于STC89C54RD单片机和AD574的高精度电阻测试仪的设计

本文给出了一种以STC89C54RD为控制核心的高精度自动电阻测试仪的设计,系统量程为10Ω到10MΩ,具有自动切换量程和自动筛选的功能。采用恒流测压以及恒压测流相结合的方法,同时采用高精度运放OP07及精密电阻确保测试电路测量的精度。为了避免高阻测试时的工频干扰,采用12位的高速AD574进行模数转换,既保证测量速度又达到了数字滤波的效果。此外,本文还阐述了整个系统的误差来源以及减少误差、提高精度的办法。     

一种程控高精度电阻测量仪的设计

针对电阻的精密测量需求,设计了一种高精度电阻测量仪,系统由恒流源模块、仪表放大器模块、档位控制模块电路和模拟-数字转换电路四部分组成。恒流源模块主要由OPA376精密运算放大芯片组成,仪表放大器模块主要由INA826精密仪表放大芯片组成,档位控制电路由单片机控制实现三个档位切换,模拟-数字转换电路由16位模拟-数字转换芯片ADS1118组成。硬件测试表明:在电阻值为50Ω~50kΩ范围内,测量相对误差小于0.05%。     

SED电形成过程瞬态响应测量电路

设计并制作了表面传导电子发射显示器(SED)电形成过程瞬态响应测量电路,该电路可以根据电形成过程中SED的阻值自动选择相应的测量电阻来测量SED的瞬态响应并将其记录下来。该电路可测量的SED阻值范围为50～3×105Ω,采样频率最大可达100kHz,量程切换时间为144μs,可以满足SED电形成过程中瞬态响应测量的要求。用该电路成功测量了SED样片在电形成过程中电阻的瞬时值,并给出了SED器件电压及SED电阻的变化曲线。实验结果表明运用该电路可研究电形成的详细过程。     

一种新型数字电位器的设计

阐述了一种新型数字电位器的设计方法.该数字电位器采用了4×4电阻矩阵、继电器矩阵和82C55 I/O扩展电路,不仅具有三端输出,而且总阻值和分阻值均可设置.总阻值可变化范围为0.1 kΩ至10 kΩ,分阻值可变化范围为0 kΩ至10kΩ.可支持RS-232串口和I/O并口两种通讯控制接口,满足了通用性要求.该数字电位器已应用于多个数字控制系统,并取得了良好的效果.     

用比较法测量直流电阻的自动测量电路

直流电阻阻值的测量在电子技术和仪器仪表领域有着重要的应用。电阻测量的电压比较法与一般电桥法相比,具有更直观（电压比等于电阻比）,更简捷和更准确的优点。文章报告一个利用单片机实现比较法测电阻的自动测量电路。它可以自动切换标准电阻和待测电阻,并计算和显示待测电阻的阻值。该电路使得比较法在应用时更为方便,并提供了利用比较法测电阻的一个仪器模型。     

一种用于电源组件的保护电路的优化设计

对应用于电源组件中的过流/短路保护电路在高温环境下误启动的原因进行了分析,确定导致电路失效的原因为电路参数设计不合理。在上电过程中,误触发保护电路的状态锁存电路会使电路误入保护状态,导致电源组件无法正常上电启动。基于EDA仿真分析工具,得到设计优化方案。R1由原来的10 kΩ降低至5.1 kΩ,R4由原来的6.8 kΩ增大至10 kΩ,C1由510 pF增大至0.1μF,有效解决了保护电路的误启动问题。分析并总结了高可靠保护电路的一般设计流程和关注重点。     

有部有答

问1:DT890A 数宇万用表电阻档200Ω误接220V 交流电压,其结果电阻、电容档均不能准确测量。电阻档在不接被测电阻的情况下指示110Ω(其他档相同,如2kΩ档指示0.11Ω,20kΩ档指示0.01Ω)不知     

维修经验点滴

<正> 胜天游戏机中709A683J组件的修理 胜天9000型电子游戏机使用的709A683J组件内部结构较简单,由8只10kΩ电阻组合而成。8只电阻一端连在一起接+5V电源,另一端则分别接MN4021的8个输入端。当检查709A683J内的某一电阻损坏时,可在该电阻相应引脚与+5V电源端另接一只10kΩ电阻。若709A683J组件损坏严重,可用8只10kΩ、1/8或1/16W电阻按该组件的内部结构组成分立元件电路来进行代换。     

基于新颖CCCⅡ的电流模式采样保持电路设计

设计了一种新颖的第二代电流控制电流传输器（CCCⅡ）.该模块电路采用了CMOS复合管构成的跨导线性环结构,并通过外加偏置电流IB的方法来控制CCCⅡ X端的寄生电阻RX.当偏置电流源IB=10μA时,X端的寄生电阻RX=2.16kΩ,与理论值的误差只有1.32%.基于提出的CCCⅡ实现了一种电流模式的采样保持电路.基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采样时钟频率为100MHz时,该采样保持电路对正弦电流信号采样保持有着很高的采样精度,其正确性通过PSPICE的仿真结果得以验证.     

基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现

由于反熔丝FPGA具有低功耗、高密度、可靠性高、抗辐射能力强以及设计上具有灵活性等优势,在军事和卫星领域得到广泛的应用。但由于工艺的限制,目前国内未见相关研究的报道。根据目前现状,利用现有的工艺,开发出一种可以与普通CMOS工艺兼容的反熔丝单元。经过测试,其熔断后的电阻约为330~400,同时给出了基于此种反熔丝单元的阵列设计,体现了低功耗、高密度、易实现等优势。此设计不但满足了目前的工作需要,并为以后反熔丝电路的设计提供了有用的参考,为航天和军事领域的应用提供了有力的支持和保障。     

ESD对RuO2厚膜电阻阻值的影响

采用静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生器对RuO2厚膜电阻直接放电,研究了电阻阻值变化率与电阻尺寸、阻值和ESD条件的关系。结果表明:厚膜电阻阻值受ESD作用而下降;相同ESD及阻值条件下的阻值变化率随电阻尺寸的增大而减小;相同电阻的阻值变化率随ESD电压的增大而增大;10kΩ左右的厚膜电阻在ESD作用下的阻值变化率最大,阻值变化率随着阻值的减小和增大而呈减小趋势;对10kΩ厚膜电阻反复施加不断增大的ESD电压,除宽度尺寸为0.45mm的电阻阻值在8～10kV之间出现一次回升外,电阻阻值逐步下降。     

A 10-MHz SOI-Based Face Shear Square Micromechanical Resonator

A 10-MHz face shear (FS) square micromechanical resonator based on silicon-on-insulator (SOI) technology is presented in this paper. In order to examine the improvement of quality factor as well as motional resistance Rx in this structure, the center-stem anchor is employed in this study. The benefit of anchoring the square in the center, which is the nodal point, is that the energy losses through the anchor can be minimized. Hence, a quality factor value of 2.0 million and the motional resistance of 8.2 kΩ can be obtained with an FS mode resonator via finite element (FE) simulation. The results show the significance of the FS mode in this design, not only in its structure but also in its square-extensional mode and Lame-mode. Additionally, an SOI-based fabrication process is proposed to support the design.     

金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究

利用真空熔炼的方法，研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达１～１０ｋΩ，电阻温度系数α在±１００×１０－６℃－１以内，脉冲稳定性在０．５％以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠，分档集中，产品性能达到ＧＢ５８７３－８６标准，适用于金属膜电阻器生产。     

单次可编程金属-分子-金属器件

提出了一种单次可编程的金属-分子-金属器件.该器件利用一种经过改良的Rotaxane LB膜作为功能层.可以和应用于场编程门阵列电路中的无机反熔丝器件相比拟,将在有机可编程电路和容错电路等方面有较广泛的应用.所有的加工工艺都是低温工艺,使得该器件可以和其他有机器件集成.电学测试表明该器件有良好的单次编程能力,其击穿电压为2.2V,关态电阻为15kΩ,而开态电阻为54Ω.据分析,这一特性是由非对称的电极结构和金属原子在高电场作用下穿透了分子薄膜所造成的.     

横横式压电变压器的理论建模

与传统的电磁变压器相比,压电变压器具有高升压、无电磁污染等特点。由于压电变压器的工作原理复杂,除了Rosen型压电变压器,对于其他压电变压器的理论研究较少。对一种驱动部分以及发电部分都是横场模式的横横式压电变压器进行了理论研究。从Mosen等效电路出发,利用泰勒展开,建立了能反映压电变压器实际工作情况的集总式等效电路图;并在此基础上,给出了一种只用机械品质因数Qm、电学品质因数Qe及机电耦合系数k三个量来表征变压器电学性能的方法。由于Qm、Qe、k的测量方法早已标准化,尺寸、负载对变压器的影响可归结为Qe对电学性能的函数,因此有望简化设计过程。     

Silicon multiplexers for 1 × 576 HgCdTe IR focal-plane arrays

Two versions of silicon 1D multiplexer for 1 × 576 IR focal-plane arrays are designed, fabricated, and tested. The version LM-1 employs a direct-injection input circuit; the version LM-2 contains a buffered direct-injection circuit. They are intended for use with HgCdTe n ⁺-p photodiodes operating in the wavelength ranges 8–14 and 3–5 μm, the minimum reverse diode resistance being 200 kΩ. The multiplexers ensure high uniformity of photodiode bias voltage; they are provided with a switched storage capacitance, which allows operation at different signal, background, and dark currents. Clocked at 3.5 MHz, they have an integration time of 40 μs and can read out 25 full-size (768 × 576) frames per second.     

Uncalibrated automatic bridge-based CMOS integrated interfaces for wide-range resistive sensors portable applications

In this work the authors describe improved solutions on automatic fully-analog uncalibrated Wheatstone bridge-based interfaces suitable for wide-range resistive sensors. The proposed topologies are enhanced and integrated interfaces, based on automatic bridge configurations, completely designed in a standard CMOS technology (AMS 0.35 μm), where Voltage Controlled Resistors (VCRs), formed by MOS transistors, have been properly tuned through the use of a suitable closed feedback loop that continuously ensures the bridge equilibrium condition. The microelectronic design has been performed through the use of symmetrical Operational Transconductance Amplifiers (OTAs) with low-voltage (2 V, single supply) and low-power (63.5 μW) characteristics, so the overall system can be fabricated in a single chip suitable for portable applications. Referring to the first configuration where only one VCR has been employed for both grounded and floating resistive sensors, Orcad PSpice simulations have confirmed the interface capability to estimate the sensor resistance for about 2.7 decades variations (430 Ω; 220 kΩ), with a relative error of about ±4%. Moreover, in the second version for an extended estimation range, the interface is able to evaluate the sensor resistance for about 6.6 decades (0.1 Ω; 400 kΩ) with a reduced relative error within (−1.5%; +4%).