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李京秀 《电气电子教学学报》2003,25(2):68-70
通过求解梯形电阻网络中的递推关系,推导出计算梯形电阻网络中等效电阻和节点电压的通项公式;证明了无穷梯形电阻网络等效电阻为常数,且给出其计算公式;提出梯形电阻网络等效电阻按无穷网络简化计算的条件。 相似文献
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全塑市话电缆绝缘电阻分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对影响全塑市话电缆绝缘电阻的诸方面因素进行了深入的理论分析;介绍了绝缘电阻的测试及其意义;结合实际阐述了提高全塑市话电缆绝缘电阻的有效途径。 相似文献
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文章论述了矿井钻孔测井的重要测量参数接地电阻的测量原理及新型接地电阻测量电路;该电路主要由集成电路组成,结构简单,精度高,功耗低;通过对仪器的刻度,给出了接地电阻测量的数值计算方程,并对测量精度进行了分析;实践证明,该电路切实可行,能满足矿井钻孔测量系统测量参数的要求。 相似文献
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叙述了微波站地网接地电阻测量的原理;介绍了圆盘、圆环、地网辅助电极直线布置的理论计算和模拟实验结果;推荐了地网接地电阻的测量方法及对测量仪表性能的要求;最后指出测量中应注意的事项。 相似文献
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集成电路中栅介质膜的C-V测试误差分析及其修正模型 总被引:3,自引:0,他引:3
通过具有各种串联电路的MOS电容的分析测试表明:串联电阻引起MOSC-V特性畸变、失真,并与介质膜电容大小有关;串联电容使MOSC-V特性严重不稳定;而当存在电容和电阻并联的串联电路时,即使串联电路中的电阻高达1kΩ以上,只要其并联的电容远大于介质膜电容,这个串联电路的影响就可以忽略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对MOSC-V特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了MOSC-V特性的串联电阻修正模型。即:存在串联电阻效应的判据;MOSC-V特性失真的判据;串联电阻计算公式、电容修正公式及MOSC-V修正过程。举例说明修正模型编程的实际应用:超薄栅氧化层MOSC-V特性的修正;CMOS电路中,P阱中MO5电容C-V特性的修正。 相似文献
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分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构,建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型;用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系,并分析了影响接触压力的因素,包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度。 相似文献
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MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
重点研究了MCM-C基板的可靠性,包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔。试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验。试验中发现,厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔,故厚膜电阻的退化在MCM-C基板可靠性中起主要的作用;重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布,试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布。 相似文献
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γ射线辐照对中波HgCdTe光导器件性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
对中波HgCdTe光电导器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了其辐照前后的响应光谱、体电阻和响应率、探测率的变化,实验发现γ辐照使其峰值波长和截止波长向短波方向稍许移动;器件体电阻上升;而其响应率和探测率都有不同程度的改善。 相似文献
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RJ47型精密高阻和RGGJ型小型超高阳电阻帼盖材料的选用圆柱形加帽结构的电阻器,其电阻体与帽盖的装配是采用机械法将电阻体技压进帽盖,达到紧密配合的目的,对帽盖内径尺寸的要求是很严格的,见表。电阻器使用环境复杂,为保证精密高阻和小型超高阻金属膜电阻正常可靠的工作,帽盖材料的选用是非常重要的。帽盖材料的要求是:好的导电性和导热性与电阻体线长系基本一致;在各种环境条件下使用性能稳定可靠;易于加_王成形;价廉。目前,国内外常用铜材和钢材作帽盖材料,要求材料中不含锌或少含锌。我们以付。和H。铜带为例来说明含锌… 相似文献
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WalterBacharowski 《今日电子》2005,(2):59-60
电阻温度检测器(RTD)属于温度传感器的一种,可以利用金属电阻会随着温度高低不同而出现相应变化这一物理特性测量温度,其应用范围非常广泛,例如用以测量及控制温度的许多仪表都采用这种检测器;这些测量仪表电路都采用100Ω的白金电阻温度检测器(PRTD),目前市场上还有多种不同的白金电阻温度检测器可供选择。以超过0℃的温度环境来说, 相似文献