铁氧体基片流延成型工艺的研究进展

介绍了铁氧体基片的研究现状及其流延成型工艺原理,重点分析了铁氧体粉体表面性质、浆料的稳定性以及不同流延体系的干燥机理,并对铁氧体基片流延成型的发展趋势进行了展望.     

球磨机砂磨机制备铁氧体粉料的工艺对比及研究

介绍球磨机、砂磨机的原理，并详细研究了球磨机、砂磨机制备氧体粉料过程，通过实验对比表明两种粉碎设备在制粉过程中的优缺点．     

NiZn铁氧体粉料生产中喷雾造粒用料浆的研究

通过控制料浆中粉料的粒度及料浆固含量,制成喷雾颗粒料。研究了在此条件下制成的喷雾颗粒料特性。结果表明:当粉料的粒度(D50,下同)控制在1.5μm时,颗粒料中聚乙烯醇的质量分数可从0.73%增加到1.33%,从而使喷雾颗粒料的粘结性得到加强;当料浆固含量(质量分数)由64.52%增加到68.97%时,喷雾颗粒料的表观密度由1.30g/cm3提高到1.40g/cm3以上。     

LTCC基片的飞针测试工艺研究

低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC)是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,广泛用于基板、封装及微波器件等领域。主要介绍当前广泛用于检测混合电路板、LTCC陶瓷基板、PCB裸板故障的飞针测试设备在陶瓷基片测试中的工艺研究。     

镁锌铁氧体磁芯的工艺研究

针对镁锌铁氧体与镍锌铁氧体磁芯在高频性能和机械强度方面存在的差异,对材料配方,烧结工艺,制料工艺等方面进行了调整。结果表明:起始磁导率μi为50~2000时,镁锌铁氧体磁芯完全可替代镍锌铁氧体磁芯,从而大幅降低原材料成本。     

方形基片喷雾涂胶工艺的优化

通过实验优化了方形基片喷雾涂胶工艺.以AZ6130光刻胶作为研究对象,实验过程中在改变胶液体积流量和氮气压力条件下,采用二流体喷头对方形基片进行喷涂,使用显微镜和粗糙度轮廓仪观察并测量其表面形貌.实验结果表明:在不改变其他实验条件下,氮气压力为0.03 MPa时,随着胶液体积流量从0.6 mL/min增加至2.2 mL/min,胶膜厚度从5.3 μm增加至19.0 μm,膜厚均匀性从3.5％增加至22.6％;胶液体积流量为1.0 mL/min时,随着氮气压力从0.01 MPa增加至0.09 MPa,胶膜厚度从6.5 μm降低至4.7 μm,膜厚均匀性从3.6％增加至15.6％.通过对实验基片的观察、测量与分析,得到方形基片制备过程中最优喷涂工艺为胶液体积流量1.0 mL/min,氮气压力0.03 MPa.     

电磁加热用MnZn铁氧体磁条结构与工艺优化研究

MnZn铁氧体磁条在电磁加热中发挥重要作用,故而需要对该种材料进行深入研究与分析,从而对结构与工艺进行优化,让这种材料的性能进一步提升。基于对铁氧体磁条性能评价指标的研究,结合当前世界范围内工艺优化方面研究资料的查阅,本文提出了MnZn铁氧体磁条结构与工艺优化方案,让铁氧体磁条的性能获得提升。     

氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

PCB新工艺研究的质量控制

本文讨论和介绍在研究银河10亿次巨型计算机系统组装新工艺中PCB研制过程质量控制、技术准备阶段质量控制、主要工序质量控制和试制(生产)环境质量控制等方面的质量控制范围及要点。     

锰锌铁氧体的制备工艺研究进展

简要介绍了锰锌铁氧体的传统制备方法和工艺流程,综述了近年来制备锰锌铁氧体的新工艺,最后根据目前的研究现状,探讨了锰锌铁氧体制备工艺优化的发展方向.     

水热法合成镍钴铁氧体纳米粉体工艺条件的研究

采用水热法合成Ni_(0.5)Co_(0.5)Fe_2O_4纳米粉体,并借助于X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、矢量网络分析仪研究工艺条件(pH值、水热反应温度、水热时间)对铁氧体物相、形貌及吸波性能的影响。结果表明,pH值在8～11可生成单相的尖晶石结构。随着反应体系pH值的增加,晶粒粒径明显长大,形貌也由类球形逐渐转变为不规则的多边形结构。在pH值为10,水热反应温度180℃,水热反应时间10 h工艺条件下制得的Ni_(0.5)Co_(0.5)Fe_2O_4吸波性能最好,在14.2 GHz处最大反射损耗达到-24.4 dB。     

钡铁氧体厚膜的制备工艺研究

采用丝网印刷方法来制备钡铁氧体(BaFe12O19)厚膜,研究了轧制时间和取向磁场强度对BaFe12O19厚膜样品的微观结构和磁性能的影响规律。结果表明,随着轧制时间的增加,所制BaFe12O19厚膜样品表面的气孔数量和大小都逐渐减小,且剩磁比和矫顽力均逐渐增加;随着取向磁场强度的增加,厚膜样品中晶粒的分布具有各向异性,且剩磁比和矫顽力均随取向磁场强度的增加而逐渐增加。     

用统计工艺控制日记来完成的区间控制图

人所熟知,产品的质量是设计和制造出来的。当设计正确合理时,如何保证制造过程的质量就十分关键了。这就要求每道工序都要能达到符合该工艺规范的预期指标值,每道工序加工质量的稳定性要好。换而言之,加工过程须处于受控状态。为此,产生了各式各样的控制图,这些控制图各有其用场与优缺点。控制图的基本形式如图1所示,加工件的质量数据处于上、下控制线之间就认为是受控的。在正常情况下,当加工处于受控状态时,其总体质量特性服从正态分布规律,从既保证质量又经济合理的角度出发,人们把上、下控制线间的范围定为±3σ(σ为其标准偏差)。因为落在±3σ以外的几率只有0.3%,是一个小几率,在次数少的活动中一般不会发生,所以认为它是受控的。     

探讨电气安装工艺的质量控制

随着社会的飞速发展,现代社会已经成为自动化程度不断提高的、并且将更进一步加速向智能化迈进的时代,说到底当今社会就是信息化智能化的时代,而这一切又离不开电气自动化的支撑,可以说没有电气的自动化就没有信息化和智能化的到来.而电气安装作为一项系统的工程,我们不仅要注重其技术在施工中的应用,还要加强对其质量的监管和控制.电气安装的质量不仅关系到工程项目的交付使用,还会影响到人们的生命和财产.因此必须对电气安装质量加以重视,保证工程项目的质量.基于此,本文从电气安装工艺方面着手对其质量控制进行了具体的研究.     

金丝球焊的工艺质量统计控制

金丝球焊键合工艺作为主要的内部引线互连工艺技术，广泛应用于单片集成电路（IC）及厚薄膜混合集成电路（HIC）中。在批量生产中，其键合质量直接影响产品的可靠性，文章探讨了在批量生产中如何使用质量统计控制方法对金丝球焊键合工艺进行及时有效的调整控制，使其在批量生产中的质量一致性满足产品质量可靠性要求，提高产能和效率。     

水热法合成镍钴铁氧体纳米粉体工艺条件的研究北大核心CSCD

采用水热法合成Ni0.5Co0.5Fe2O4纳米粉体,并借助于X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、矢量网络分析仪研究工艺条件(pH值、水热反应温度、水热时间)对铁氧体物相、形貌及吸波性能的影响。结果表明,pH值在8~11可生成单相的尖晶石结构。随着反应体系pH值的增加,晶粒粒径明显长大,形貌也由类球形逐渐转变为不规则的多边形结构。在pH值为10,水热反应温度180℃,水热反应时间10h工艺条件下制得的Ni0.5Co0.5Fe2O4吸波性能最好,在14.2GHz处最大反射损耗达到-24.4dB。     

高纯SiC粉料中杂质浓度的控制和测试

采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平。通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×10^16 cm^-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a^*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a^*值判断粉料氮浓度高低。     

应用AOI控制制造工艺的质量

本介绍了AOI的应用，指出检测最终效果取决于其城生产线上的什么位置以及要生成什么样的工艺控制信息，电子制造服务的供应商如何评价和实现AOI的功能。