环形空腔自然对流的数值解法(Ⅱ)

本文对实际问题提出的垂直环形空腔内流体自然对流所满足的Boussinesq方程组构造相应的迎风型格式,并建立了计算方法。对R_a=10~i(i=1,2,…,11)进行数值计算,得出结论: (1)R_a≤10~6,得出与实验结果相吻合的数值结果,且与[1]结果一致; (2)10~610~7。第一次得到了数值结果,它近似于目前工程界学者们的予测。     

高T_c超导化合物YBa_2Cu_3O_(6.5+δ)的Gibbs生成自由能

用 CaF_2单晶作固体电解质,构成了氟化物-氧化物原电池(?)及(?)测得电池的可逆电动势为E_1=-0.063+1.43×10~4×T(V)E_2=0.089+1.68×10~(-4)×T(V)从而计算了由纯氧化物生成 BaCuO_2(011相)及 YBa_2Cu_3O_(6.5(?)δ)(123相)的标准生成自由能变化:△G_(011)~0=-10.5+1.8×10~(-3)×T(×4186.8J/mol)△G_(123+δ)~0=-19.0+(7.4-1.6×δ)×10~(-3)×T(×4186.8J/mol)在计算△G_(123+δ)~0时考虑了氧的非化学计量系数δ。     

金属的密度与原子结构参数的关系

本文探讨了金属单质的密度与其原子结构参数的关系,得到了金属单质密度的计算公式对A_1、A_3型:ρ=2.93×10~5M/r~3met对A_2型:ρ=2.70×10~5M/r~3met理论计算结果与实验值相当吻合,说明我们的分析是正确的。     

一种新型的分离规

以数值计算和实验分析的方法.对分离规中带电粒子的运动情况及规管工作特性进行了细微的研究.提出了圆台形栅极和柱形反射极结构的新型分离规.并对该分离规中的电子和离子轨迹进行了数值分析.对它的电离效率.引出效率和收集效率.以及光电流本底作了理论分析和实验研究.该规具有较为理想的电子和离子运动轨迹.其灵敏度达～20×10~(-2)帕~(-1).用深度调制技术勘得的或同普通 BA 规比较估算的 X 射线光电流本底均小于1.3×10~(-11)帕(等效氮压)。     

应变速率对低碳钢解理特征应力的影响

本文在■=5.55×10~(-4)/s 和■=1.1×10~0/s 两种应变速率下,研究了16Mn 钢的低温拉伸断裂行为。由此分别确定的解理特征应力 S_(co)数值相等,表明了解理特征应力不受应变速率的影响。     

氮气对Co-Cr膜结构的影响

氮气对磁控溅射Co—Cr膜的晶体结构有显著影响。随着溅射气氛中氮气分压的升高。HCP相CoCr膜的c轴垂直取向度逐渐降低。氮气分压增加到4.0×10~(-3)Pa时,HCP相近似无规取向。氮气分压大于3.3×10~(-3)Pa时,出现FCC相。氮气分压大于1.0×10~(-2)Pa时,Co—Cr膜全部由FCC相组成。FCC相Co-Cr膜具有(200)面平行膜面的择优取向,而且取向度随氮气分压而升高。还发现氮气分压大于7.0×10~(-2)Pa时,Co-Cr膜中出现类似Cr_2N的氮化物。     

流动注射化学发光体系测定金霉素

本文利用金霉素对KM_nO_4—Na_2SO_3化学发光体系的发光有增敏的作用,结合流动注射技术,建立了流动注射化学发光法测定金霉素的新方法。在最佳条件下,金霉素溶液的浓度在2.0×10~(-7)～5.0×10~(-5)mol/L范围内与化学发光强度呈良好的线性关系。该方法的检测限(S/N=3)为1.0×10~(-8)mol/L。对实际样品进行回收实验,回收率在98%-103%间,结果表明该方法适合对金霉素的测定。并对可能的发光机理进行了初步的探讨。     

异鼠李素的电化学行为及其测定

采用循环伏安法研究异鼠李素在电极上的电化学行为,建立差示脉冲伏安法测定其含量的电化学分析新方法。在pH 4.0醋酸盐缓冲液中,氧化峰电流与异鼠李素浓度在2.0×10~(-7)～1.2×10~(-6)mol·L~(-1)范围内呈良好的线性关系,检测限为3.0×10~(-8)mol·L~(-1)。玻碳电极可有效消除样品中其它组分对异鼠李素测定的干扰,已成功用于实际样品中异鼠李素含量的直接测定。该方法灵敏度高、检测范围宽,结果令人满意。     

甲烷饱和吸收稳定的氦氖激光器

本文报导了中国计量科学研究院的甲烷饱和吸收稳定的激光器的装置、性能及稳定性和复现性测量的结果。取样时间为1秒和10秒的稳定性分别达到3×10~(-12)和1×10~(-12),复现性估计为±2×10~(-11)。     

甲烷稳定和碘稳定激光器的国际比对

1980年4月,中国计量科学研究院与国际计量局进行了甲烷稳定激光器、碘稳定激光器的比对。比对结果为:甲烷稳定激光的平均频差为+0.56千赫(相当于+6.4×10~(-12))、标准偏差为±1.29千赫(相当于±1.5×10~(-11));碘稳定激光的平均频差为+13.8千赫(相当于+2.9×10~(-11))、标准偏差为±4.5千赫(相当于±0.95×10~(-11))。     

碘饱和吸收稳定的氦氖激光器

本文报导了中国计量科学研究院研制的碘稳定的氦氖激光器的结构和性能,以及稳定性、复现性的测量结果。取样时间为1秒、10秒和100秒的频率稳定性分别为2×10~(-11)、6×10~(-12)和2×10~(-12)。根据分量“d”至“j”平均的测量拍频,确定出两台激光器的频差。频率复现性优于±4×10~(-11)。     

新化学发光试剂氟磺酸9.10—二甲基吖啶测定钴的研究

研究了钴催化氟磺酸9.10-二甲基吖啶的化学发光特性。建立了测定Co~(2)的化学发光新方法。方法线性范围为1×10~(-10)～1×10~(-7)g/ml;检测限为5.0×10~(-11)g/mlCo~(2+)。测定5×10~(-9)g/ml Co~(2+)的相对标准偏差为6.0％。方法可应用于自来水、江水、池塘水中痕量钴的测定。     

共混聚合物单离子导体的导电性与传质机理研究

本文研究了聚甲基丙烯酸乙基磺酸锂/聚(甲基丙烯酸齐聚氧化乙烯醋一丙烯酰胺)/二甲基多缩乙二醇共混聚合物单离子导体导电性和传质机理。用极化反转法测定了共混物的离子淌度。在25℃,该共混物单离子导体电导率和锂离子淌度分别为5.2×10~(-6)s·cm~(-1)和3.0×10~(-8)cm~2·V~(-1)·s~(-1)。由离子淌度计算得到50℃时锂离子扩散系数和迁移数分别为4.2×10~(-9)cm~2·s~(-1)和0.994。实验结果证实该共混物是一种单阳离子导体,是通过热活化跳跃机制完成阳离子传质过程的.     

电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质

用电子束蒸发技术制备出3000-5000A厚,透明导电的锢锡氧化物(ITO)薄膜。这种薄膜的薄层方块电阻是4.5-20Ω/口,在波长为700A时,透光率是80-95％。用x-射线衍射分析测定了薄膜的形貌,测算出它的颗粒度为1-3μ。通过Hall效应测定出薄膜的载流子厚度(N)是3.9×10~(-9)CM~(-3),霍耳迁移率是94cm~2V~(-1)S~(-1),电阻率(P)是4.0×10~(-4)-2×10~(-3)·cm。测得的Hall电压是负值。这说明它是一种n型半导体,与热探针法测得的结果一致。用光学方法计算出薄膜的E_g是3.4ev,该薄膜在制备半导体光伏器件中进行了试用。     

锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO_2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49％(质量分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×10~4(Ω·cm)~(-1),氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×10~4(n·cm)~(-1),大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×10~4(Ω·cm)~(-1))。     

美国高性能纤维的新动向

1988年,美国对高性能纤维的总需求额为468×10~9美元,估计今后五年的年增长率为16.4％,到1992年将达到1×10~9美元,这是商业通讯公司(BCC公司)的最新预测。目前,高性能纤维的总销售量(包括工业级碳纤维和Kevlar纤维)为33×10~6lb,在今后的五年中,销售量将增加一倍多,到1992年可达57×10~6lb。BCC公司认为:高     

20～100MPa压力量值国际比对

本文介绍了国际计量局组织的20～100MPa压力量值国际比对的概况。我国的比对结果十分令人满意。在中、美、英、法、日本、西德、意大利和捷克等8个比对结果较为一致的国家中,我国测量传递标准的活塞有效面积A_0值和压力形变系数λ值与8国测量平均值之差分别为12×10~(-6)和-0.02×10~(-6)[MPa]~(-1),考虑传递标准随时间的变化并作了修正后的结果则分别为4.5×10~(-6)和0.04×10~(-6)[MPa]~(-1),均优于估计不确定度。     

使用Fabry—Perot干涉腔稳频的GaAlAs激光器(英文)

GaAlAs激光器的激射频率被锁定于Fabry-Perot干涉腔上。在锁定之后其激射频率的涨落已被大大地降低。所测得的频率稳定度(对Fabry-Perot干涉腔中心频率的跟踪稳定度)如下:其中第1个稳频系统为5×10~(-12)(1s)、1.5×10~(-12)(10s)、1.2×10~(-12)(100s);而第2个稳频系统为8×10~(-12)(1s)、2×10~(-12)(10s)、1.8×10~(-12)(100s)。     

降低可动屏蔽型计算电容端部效应误差的一个新方法(英文)

本文提出了一种降低可动屏蔽型计算电容端部效应误差的新方法:在屏蔽杆端面的一个附加电极上加上一个适当的电压,就能自动补偿电极系统不平行的影响,从而大大降低端部效应误差。这种方法与国际上流行的用钉子头补偿的方法相比,具有调节细度高、补偿效果较完善等一系列优点。计算表明,采用这种方法后,即使电极的不平行性达到2μm,仍可使端部效应误差小于1×10~(-8)。对于计算结果还用准确度约5×10~(-5)的模型实验进行了检验。文中还计算了屏蔽杆的偏心、屏蔽杆端面上的附加电极的尺寸公差、局部缺陷等一系列因素的影响。     

核孔膜生产线膜微孔制备工艺实验研究

本文介绍核孔膜生产线,重点描述了膜微孔制备工艺的实验研究。对于PC和PES膜,已得到32种工况下的扩孔公式,其形式为D=A+Bt,其中D——孔径,t——扩孔时间,A,B为特定工艺参数下的常数值.通过实验。得到了膜孔密度N与300~#核反应堆功率P、热柱辐照位置L的经验公式,即N=6.97×10~5×10~3×101~(1.18L).在本生产线上可生产最大幅面为3 140mm×240mm,孔径为0.04～10 μm的多系列多规格的核孔膜产品。