用5比1投影光刻机完成0.4微米光刻

松下电器产业半导体研究中心，以KrF准分子激光器（振荡波长248纳米）作光源，研制成5比1缩小投影光刻机，可在单层保护膜上刻成0.4微米的图形，缩小透镜为石英透镜。数值孔径NA=0.35。为了修正球面像差，釆用了由多枚透镜组成的透镜组。保护层用改良的酚醛清漆系正型光抗蚀剂，提高了波长250纳米改良的灵敏度。     

光刻1微米线宽的相关技术

光刻技术是发展超大规模集成电路的关键技术。光刻线宽随着DRAM集成的提高而进一步变细,现已突破了0.35微米的屏障。本文论述了曝光系统中镜头的数值孔径,曝光射线的波长及抗蚀剂特性对光刻1微米线宽或亚微米线宽的重要影响。     

用10∶1缩小投影曝光设备制作最窄条宽为1微米的MOS元件

用紫外线曝光设备已制作出最窄条宽为1微米的大规模集成电路,此乃是采用10∶1缩小投影曝光设备、AZ1450J正性光刻胶、平行极板型干法腐蚀设备,条宽控制度达到10～20％。     

亚微米光刻的线宽测量技术

很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。     

亚半微米投影光刻物镜的研究设计

介绍了分步重复投影光刻业半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果,以及公差控制。指出技术指标已达到：数值孔径ＮＡ＝０．６３、工作波长λ＝３６５ｎｍ、倍率５ｘ、工作分辨力Ｒ≤０．３５μｍ,设计和镜所用透镜片数最少,无胶合件,并具有暗场同轴对准和温度气压控制补偿功能。     

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。     

用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。     

0.1μm器件以后的SR缩小光刻

极紫外曝光(EUVL)从原理上说与紫外缩小光刻是一样的,其特点是代替折射透镜,使用了反射镜一面镀有软X射线范围具有较高反射率的多层膜的反射缩小光学系统。掩模可用放大4—5倍的掩模,并且该掩膜上用多层膜形成的大块基板,因此可以忽略SR照射引起的热变形,确保较高的图形形成精度。从理论上来说,可以通过短波长和高NA使分辨率达到无限小,有可能获得0.1～0.01μm的线宽。     

用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形

用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接光刻系统，采用Ｎｉ／Ａｕ剥离工艺，在大...     

1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机和混合光刻中的图形位置误差

本文主要参照1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机混合光刻中的套刻图形的差异,研究了这两种机器的特征图形位置误差。分析样品采用近年来由那些高度复杂的光刻机的用户所研制成,专用于精确鉴定大量元件的图形与图形之间的套准误差。通过使用这些样品和数据,就可以看出怎样使这两种类型的曝光设备能够成功地用于经济而有效地制作苛刻图形的器件。对于现今的高密度器件的制造来说,采用一次性全片对准的片子步进机与1:1投影光刻机的混合曝光方法是完全可以胜任的。并研究出了一个用于10:1片子步进机,1:1投影光刻机,以及用于这两种设备混合曝光的实际生产套刻值的预算表。     

高清晰度电视用的显示器件和投影器件

为了推进高清晰度电视用的直视阴极射线管显示和投影显示的研究,本文讨论的50英寸背面投影显示将来可用于消费类电视,180英寸正面投影显示可用于影院和其他大型显示。50英寸投影显示使用光学耦合系统,对比度已成倍提高,接近阴极射线管荧屏显示的水平,由于屏幕的改进,分辨率已提高到1000线,更由于投影距离的缩短,电视机的深度已降至65cm,最大亮度达到120 ft-L,为普通投影的两倍。由于弱光输出而存在亮度问题,同时,一般大屏幕电视的对比度比电影低,因此大屏幕显示的实际大小一般限制为100英寸。12英寸液体冷却投影管的研制成功,解决了大束电流负载问题,获得两倍于一般投影管的光输出,最大亮度达到15 ft-L 和180英寸屏幕的电影亮度相当。由于采用前面提到的光耦合系统,对比度也得到很大改善。新研制的投影透镜可用于150英寸和250英寸大屏幕。     

最小线宽为1μm的生产用电子束曝光装置

<正> 荷兰菲利普科学仪器设备部研制的EBPG-4,是适于生产线用的最小描绘线宽为0.1μm的可变束矢量扫描型电子束曝光装置。除能用于Si和GaAs片子的直接描绘外,还用于掩模制造。束斑直径在25nm～1mm的范围内变化,若对3英寸片子用2μm的线描绘图形(描绘比例约1/3)约用15分钟。电子束的定位误差在0.075μm以下。加速电压,束流密度及束的大小都能自动控制,这些参数采用CRT显示和键盘确定。价格约200万美元,预定1986年3月出     

MOS器件的10keV X射线辐照效应

我们用10keV X射线对MOS晶体管、MOS集成电路进行了辐照,观察了用不同工艺条件制造出的MOS晶体管,MOS集成电路在X射线辐照下阈值电压的漂移和特性变化。本文给出了实验结果并进行了初步的讨论。     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射影响应。结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致。     

极限分辨率为0.55μm的10:1缩小投影曝光装置

<正> 日立中央研究所研制了极限分辨率为0.55μm 的10:1缩小投影曝光装置。过去研制成的RA-101型10:1缩小投影曝光装置,使用波长为436nm 的 g 线,极限分辨率为1.5～1.0μm。而这次研制的装置,使用波长为365nm 的 i 线,提高了分辨率极限。光源仍用过去的500W 高压水银灯,这个灯的发光光谱在365nm 很强。透镜是美国トロパル公司制造的,数值孔径为0.4。从掩模到片子的距离为400nm,焦深为±1μm,分辨率为0.6μm 时 MTF(调制传递函     

软X射线投影光刻用反射式光学系统的设计

1 第一代系统设计的目标和限制各种类型的光学设计系统中具有很大像场的系统对用于第一代投影光刻是很有用的。为了获得未来半导体器件制造要求的高密集度的电路集成。光学系统的分辨率要达到0.1μm。工作波长选定为131nm,因为在这个波长范围内业已证实能镀出高反射率(约60％)的M_0/Si多层膜。对于在13nm波长处能分辨0.1μm的光学系统,要求最小数值孔径(NA)为0.08。对于圆形通光口径