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本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景. 相似文献
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硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(<0.5μm)和亚四分之一微米级(<0.25μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制缺陷类型及数量,提高晶体完整性,降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为,点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法,硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅(SOI)等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势,展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。 相似文献
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硅基太阳能电池与材料 总被引:10,自引:0,他引:10
综述了近年来国内外硅基太阳能电池及其材料的研究和发展现状;探讨了硅材料的制备工艺与材料的性能,以及采用它们所生产电池的优势与不足;并展望了硅基太阳能电池的发展趋势。 相似文献
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用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元-材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢辐背散射,质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。 相似文献
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锂离子电池硅基负极材料研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
硅基负极材料具有比容量大的优点,是高容量锂离子电池理想的负极材料。然而硅基材料在循环过程中容量衰减快,影响了其实用性。从硅复合物粉末和硅薄膜两个重要研究方面对硅基负极材料进行了综述,指出在Si基复合负极材料的研究中,单一途径改性提升循环性能的幅度有限,很难达到实用化阶段。硅的纳米化、无定形化、合金化及复合化等方法的综合运用成为硅基材料研究的主导方向。 相似文献
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硅基发光材料研究进展 总被引:8,自引:0,他引:8
硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展,已实现了硅基光电子集成。随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓,与此同时,在新的理论认识与技术条件下,硅材料改性,杂质发光,缺陷工程和硅然异质外延也呈现出新的发展趋势。 相似文献
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硅碳氧薄膜光学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
硅碳氧(SiCO)薄膜是一种三元玻璃状化合物材料,具有热稳定性好、能带宽、折射率大、硬度高等特性,是一种具有潜在应用价值的新颖光学薄膜材料。本文采用射频磁控溅射技术在Si(100)及K9玻璃上制备了硅碳氧薄膜。利用椭圆偏振仪、紫外/可见/近红外光度计及X射线光电子能谱测试表征了薄膜的光学性能及薄膜组分。研究发现,通过改变基片温度、工作压强及溅射功率等工艺参数,所制备的硅碳氧薄膜均具有高折射率(大于1.80),相比之下,K9玻璃基硅碳氧薄膜的折射率有着更大的变化范围(1.84~2.20)。通过对K9玻璃基硅碳氧薄膜的光学透射性能研究表明,以硅碳氧陶瓷作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在K9玻璃基上可以制备出,在可见光及近红外区域有着较好光学透射性能,平均透过率能到达83%的硅碳氧薄膜。 相似文献
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硅基材料理论容量高、电位低、自然资源丰富,是最理想的锂离子电池负极材料。但是硅基负极在锂化和脱锂过程中巨大的体积变化,导致了硅基负极的循环稳定性与导电性差,阻碍了其实际应用。硅碳复合材料可将碳材料的高导电性和机械性能与硅基材料的高容量和低电位的优势相结合。综述了硅碳负极材料的主要制备方法,总结了硅碳复合材料的结构设计,并对未来碳硅材料的研究工作进行了展望。 相似文献
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《无机材料学报》2008,23(2):417-417
硅基沉积氮化镓, 碳化硅, III-V 族及其合金材料是近年来的研究热点. 氮化镓, 碳化硅及其III-V 材料在光电子和电子元件领域有着广泛的应用.例如大功率, 高速器件, 大型激光器, 紫外探测器等等. 尽管硅基片具有低成本, 大的尺寸,和极好的电热导性能等优点, 硅基片仍没有成为氮化镓, 碳化硅及III – V 的主要沉积基片, 其原因在于硅基片与氮化镓, 碳化硅及III-V 材料之间的热膨胀系数和晶格常数之间的失配. 自从1998年, IBM 的课题组用分子外延方法在硅基片上沉积氮化镓, 并且成功地制备了氮化镓激光器之后, 硅基氮化镓的研究开始备受关注. 近年来的研究发现, 使用氧化铝和氮化铝镓作为过渡层. 硅基氮化镓的热应力及与硅基片之间的晶格失配可以明显降低.在 6英寸的(111) 取向的硅基片上用化学气相方法可以成功地沉积超过一个微米厚的无裂纹的单晶氮化镓. 德国的AZZURRO 公司成功地制备硅基片氮化镓的大功率的蓝色激光器. 美国的NITRINEX公司也生产了硅基氮化镓大功率电子元件. 超大功率的硅基氮化镓电子元件仍在研究中. 在2007年, 英国政府设立了一个固体照明器件的研究项目. 主要着手研究6英寸的硅基氮化镓激光器. 另一方面, 在过去的40年, 超大规模硅基CMOS 技术已有了长足的发展, 下一代低功耗高速逻辑电路要求低的驱动电流, 小的活门尺寸低于 30 nm 和快速反应性能. 这就要求器件通道材料具有很高的电子(或空穴)迁移率. III-V 材料, 例如InSb, InAs, 和InGaAs 具有电子迁移率高达 80000 cm2/VS. 它们将是下一代低于 30 nm 硅基CMOS 器件最好的候选材料. 在 2007 年美国DARPA/MTO 设立了一个研究项目来发展硅基 III-V材料器件, 着重于发展高速硅基III-V材料CMOS 器件. 第一届”硅基氮化镓,碳化硅,III-V及其合金材料研究进展 ”国际会议也将于3月 24日-28日在旧金山MRS 2008年初春季会议上召开. 相似文献
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离子注入技术与硅基发光材料 总被引:8,自引:0,他引:8
鲍希茂 《功能材料与器件学报》1997,3(1):4-11
硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在琪发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。 相似文献
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对近几年来几种掺铒硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。 相似文献
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硅液相外延的溶剂选择 总被引:1,自引:0,他引:1
本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择,重点叙述了Cu、Ga、Au、In、Sn、Pb等纯金属及Ag基、Au基、Al基合金作为溶剂,对硅液外延薄膜的影响,最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求,可以找到适当的溶剂材料进行硅液相外延。 相似文献