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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge0.2Si0.8/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在EC=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显的移动,深能级位置从EC=0.21eV变化到EC=0.276eV,我们认为是内应力引起的.取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好.在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降. 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(SLS)(Ge)n/(Si)n(n=1,2)的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ge、Si的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的n对(Ge)n/(Si)nSLS电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态,表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移,并随n的不同,转移量不同。 相似文献
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砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究范缇文(中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083)杂质在GeSi合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如,作为GeSi合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入GeSi合金再经热退火,发现其中... 相似文献
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发现Si源和Ge源中的深能级杂质是影响SiGe/Si量子阱带边激子发光的主要因素,研究了在低阻衬底上外延,在量子阱中重掺Sb或顶层中重掺B都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光。 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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本征缺陷对(Ge)n/(Si)n应变层超晶格电子结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了(Ge)n/(Si)n应变层超晶格(SLS)中存在Ge或Si空位时的性质。用Rccursion[’]方法计算了空位近邻原子的局域态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS),计算了超晶格晶胞的总态密度,并得出了各原子的原子价.通过计算我们得出,空位附近原子在带隙中央存在缺陷电子态,空位区形成正电中心,且有空位与没有空位的薄层间存在局域的内建电场。 相似文献
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用Raman光谱分析MBE生长GexSi1-x膜的组分及应变 总被引:1,自引:0,他引:1
对MBE生长的GexSi1-x合金膜用Raman光谱分析了其中的组分和应力,发现较厚的GeSi膜应变较小,说明随着膜厚的增加,合金膜内原子排列发生了弛豫。20nm厚的Ge0.4Si0.6样品经过RHT处理(1000℃、10s),应变减小为原始膜的1/4~1/5。说明退火后膜几乎被完全弛豫,同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后20nm样品制作了GeSi/Si异质结内光发射红外探测器件。在77K下测量,退火前样品的异质结反向电阻达500kΩ以上,而退火后样品只有1kΩ左右,根本无法在77K下工作。我们提出的方法可以同时确定膜的Ge组分及膜内应力,方法是非破坏性的。 相似文献
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氢对硅中4d过渡杂质的钝化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了氢原子与Si中4d过渡杂(Pd,Rh,Ru,Mo)引入深入中心的相互作用,得到了Si中这些深中心被钝化的难易程度。从钝化角度支持了Si:Pd与Si:Rh中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断,同时提出了Si:Mo中E(0.53)和H(0.16)两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据,通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用,对氢的钝化机理作了初步探讨。 相似文献
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夏建白 《红外与毫米波学报》1994,13(1):1-8
Si/Ge超晶格外延生长技术的发展和多孔硅发光现象的发现引起了对硅基低维结构材料的关注。本文简单综述了近年来在Si/Ge超晶格电子态和光学性质、调制掺杂Si/GexSi1-x异质结构输运性质以及多孔发光机理等方面的研究进展。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形成一少于峰,该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到.对比不;司组分相同结构的多量子阱样品发现,组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大,因此它可能是失配应变或位错引起的.相应的光致发光谱(PL)测试结果表明该深能级缺陷还会导致PL谱中合金层的带边激子峰的湮灭. 相似文献