深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。     

钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨

本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用ＡＦＭ、ＳＥＭ和ＡＥＳ分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明，不同峰值温度烧成的厚膜电阻器，由于微观结构的不同，其阻值存在着较大的差异。     

MOD─SnO＿2气敏材料的TEM、SEM分析

分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微裂纹，但是由于微裂纹形成的颈部尺寸比薄膜厚度大得多，故其气敏特性仍然应当由膜厚决定。     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

CMOS／SOI的高温特性分析

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。     

直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究

室温下,用直流磁控反应溅射方法在Ｎ２／Ａｒ混合气体中淀积了ＡｌＮ薄膜,所用衬底是（１００）面的半绝缘ＧａＡｓ单晶片．研究了反应条件,如反应气压、反应气体配比、直流功率,对薄膜的物理性质和化学性质的影响．为了得到适于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ钝化的薄膜,还对反应条件进行了优化．     

ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。     

ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光学强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着帝积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％，测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度，利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应，初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄     

PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。并探讨多种工艺制备条件对薄膜微观结构的影响     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

电阻法测试超薄膜厚度的研究

常规方法测试超薄膜的厚度存在很大困难。介绍一种测试约4nm PtSi厚度的电阻率法。先制备厚度约40nm的薄膜,测试出薄膜电阻率,再考虑超薄膜的表面效应、尺寸效应,推导出超薄膜电阻率与薄膜电阻率的关系式,测试超薄膜方电阻,计算出超薄膜厚度。给出了TEM晶格像验证结果,误差小于6%。实验表明该方法简单易行,对其他超薄膜厚度的测试提供了参考。     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。     

PtSi红外探测器材料制备技术

介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等ＰｔＳｉ薄膜的制备方法以及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延技术的原理及特点。     

PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展

综述了 Pt Si/p- Si异质薄膜近年来研究的新进展 ,包括 Pt Si/p- Si的制备工艺、相形成与分布、Pt Si/p- Si界面的微结构、价电子结构以及 Pt Si/p- Si肖特基势垒的研究现状 ,并且探讨了 Pt Si/p- Si的发展方向。     

A wide spectral band photodetector with PtSi/p-Si Schottky-barrier

The photoresponse of a front-illuminated PtSi Schottky-barrier detector is measured in the wavelength range between 0.4 and 5.2μm. In the wavelength range longer than 1.1μm, the detection mechanism is the internal photoemission. On the other hand, the intrinsic mechanism becomes dominant in the wavelength range shorter than 1.1μm. The measured data are in good agreement with values calculated from these two detection mechanisms. The photoresponse depends on the PtSi thickness in both wavelength ranges. For getting a high responsivity, it is important to make a thin uniform metal film. The visible and the thermal image with a PtSi Schottky-barrier wide spectral band imager are also demonstrated.     

掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.     

A silicon homojunction infrared detector having an active metalfilm on an n++ layer

A silicon n⁺⁺pn homojunction infrared detector, in which a degenerate n⁺⁺ layer is backed by a metal film forming an ohmic contact, has been proposed and studied. The metal film is a photoelectric conversion region along with the n⁺⁺ layer. Although, for an n⁺⁺pn detector without the metal film, very poor rectifying properties are observed when the n⁺⁺ layer thickness is extremely reduced, the new detector, employing a thin PtSi film as the metal film, shows normal diode I-V characteristics, since the PtSi film provides increased surface conductivity. The new detector has achieved an increase in operatable temperature, or an extension of cutoff wavelength, and operated with cutoff wavelengths of 11.9 μm, 18.7 μm and about 30 μm at 70 K, 50 K, and 30 K, respectively, because the saturation current density for the new detector has been reduced to about one tenth that for the previously reported n⁺⁺pn detector. The responsivity for the new detector has increased to 1.1-3.8 times as large as that for the previously reported n⁺⁺pn detector, when both detectors have the same cutoff wavelength     

128×128 element PtSi infrared CCD image sensor

A new 128×128 element PtSi Schottky barrier infrared image sensor with ITCCD readout structure and PtSi thin film optical cavity detector structure has been fabricated,which has 50μm×50 μm pixels,a fill factor of 40 percent,the nonuniformity of 5% or less and the dynamic range of over or equal to 50 dB.The noise equivalent temperature difference is 0.2 K with f/1.0 optics at 300 K background. In this paper,the principle of operation,design consideration and fabrication technology for the device are described.     

PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测

采用PtSi 256×256元IRCCD器件对FeI 1．56μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 256×256元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟,实际观测结果与模拟符合较好。