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定向SiC晶须增韧Si3N4陶瓷的制备及热震性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过SiC晶须在载体纤维中定向挤出和热压烧结工艺制备了高度定向SiC晶须增韧Si3N4复合材料,利用SEM观察了晶须的定向方向和复合材料的断口形貌.实验结果表明,70%以上SiC晶须的定向角在0~10°之间,具有较好的方向性.过高的烧结温度和晶须含量使材料抗弯强度降低.晶须定向方向的断裂韧性(单边切口垂直于定向晶须)比横向方向高出20%.1000和500°C温差的热震实验表明,定向SiC晶须复合材料比随机SiC晶须复合材料的抗热震性能高得多. 相似文献
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CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀. 相似文献
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多孔氮化硅表面封孔增强涂层研究 总被引:5,自引:0,他引:5
以CaO-SiO2-B2O3体系作为α-Si3N4的结合剂和助烧剂,采用溶胶-凝胶法在多孔氮化硅表面制备了防潮增强涂层.采用X射线衍射(XRD)方法对涂层进行了相结构分析;用扫描电子显微镜(SEM)观察了涂层的微观形貌;用阿基米德法测量了封孔前后基体的密度、吸水率和显气孔率;分别在SANS电子式材料实验机和1MHz LCR测试仪上测量了封孔前后材料的抗弯强度、介电常数和介电损耗.结果表明:封孔防潮处理使基体吸水率下降了90.99%~96.97%,强度提高了9%~22%,而对多孔体的密度、介电常数和介电损耗影响很小. 相似文献
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磁约束电感耦合等离子体增强反应溅射沉积nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种新型磁束缚电感耦合等离子体增强的物理化学气相沉积复合系统,并用该系统通过反应磁控溅射TiSi合金靶,在氩气和氮气等离子体作用下,在单晶硅衬底上制备了nc—TiN/a—Si3N4纳米复合薄膜.扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子谱仪和高分辨率透射电子显微镜的分析和观察结果清晰地表明该薄膜是具有纳米结构的复合薄膜,主要由镶嵌在非晶态Si3N4基体中的TiN纳米晶粒组成,TiN晶粒的尺寸约为3nm。 相似文献
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SiO2纳米壳的厚度对羰基铁/SiO2核壳复合粒子的性能影响 总被引:13,自引:0,他引:13
以聚乙烯毗咯烷酮作表面改性剂,用溶胶-凝胶法,通过控制反应时间,在羰基铁粒子表面均匀快速地包覆不同厚度的SiO2纳米壳层,并研究了SiO2纳米壳层厚度对羰基铁/SiO2核壳复合粒子的抗热氧化性能、静磁性能、微波介电常数和吸波性能的影响.结果表明:增加SiO2纳米壳层的厚度,羰基铁/SiO2核壳复合粒子的抗热氧化能力提高,比饱和磁化强度出现最大值,矫顽力和剩余磁化强度出现最小值,微波介电常数单调降低;用其制备的吸波涂层材料在壳层厚度为15nm时,反射损耗≤-8dB的带宽达到最大值,超过10GHz, 相似文献