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自蔓延燃烧合成β-Si3N4棒晶 总被引:4,自引:0,他引:4
采用自蔓延高温合成(SHS),在高压氮气中成功地合成了β-Si3N4棒晶,研究了中不同量Y2O3对自蔓延燃烧合成β-Si3N4棒晶长径比的影响。结果表明,Y2O3添加量有一个最佳范围,当Y2O3的添加量在2wt%-5wt%时,棒晶生长均匀,长径比约为8.通过铜坩埚吸热淬火的方法,观察到β-Si3N4棒晶不同生长阶段的显微形貌,从而推测其生长机理为VLS和VS两种机理协同作用的结果。本文对β-Si3N4棒晶生长的反应历程也进行了阐述。 相似文献
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研究了MgO,Al2O3和Y2O3作为烧结助剂对高温自蔓延工艺合成(SHS)的β-Si3N4粉料烧结过程的影响.结果发现,MgO是较为有效的烧结助剂,当其加入量为10wt%时,试样在1600℃下热压烧结能基本实现致密化.对试样的XRD分析表明,除了加入的A1203与β-Si3N4反应生成β-Sialon外,其他烧结助剂都不与β-Si3N4反应,只存在于玻璃相中.添加MgO的试样具有较高的力学性能.最后,对材料的显微形貌进行了SEM观察. 相似文献
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放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si3N4BN层状复合材料 总被引:2,自引:1,他引:2
采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料。利用SPS技术,在烧结温度为1650℃,保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm^3, 抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m^2。研究表明;特殊的层状结构,SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因。X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构。 相似文献
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研究了MgO—Y2O3—Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为A)、Y2O3—Al2O33体系(相应的层状复合陶瓷试样记为B)及La2O3—Y2O3—Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为C)烧结助剂对Si3N4/BN层状复合陶瓷结构与性能的影响.研究表明:在相同的烧结工艺下,试样A、B、C的抗弯强度分别为700、630、610MPa,断裂功分别为2100、1600、3100J/m^2.试样A、B以脆性断裂为主,裂纹偏转现象不明显,而试样C的载荷-位移曲线显示了明显的“伪塑性”特征,裂纹的偏转与扩展现象明显.试样A中Si3N4晶粒大小不均且长径比较小,而试样C中长柱状Si3N4晶粒发育完善,有较大的长径比. 相似文献
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