硫酸盐类晶体中[SO_4]~(2-)四面体的结晶方位与晶体的形貌

本文从硫酸盐类晶体中负离子配位多面体的结晶方位和相互联结的稳定性出发，探讨了硫酸盐类晶体中[SO4]2-结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系;认为[SO4]2-四面体与金属阳离子（Ba2 、Ca2 、Mg2 …）结合时，由于晶体结构和生长条件（如温度、过饱和度等）的不同，在晶体各族晶面上的叠合速率和取向不同;晶体的结晶形貌迥然有别.晶体的结晶形貌与[SO4]2-四面体在晶体中的结晶方位密切相关，四面体的面和棱的法线（L2）所对向的晶面，生长速率慢，顽强显露，均属晶体的板面;四面体的顶角所指向的晶面，生长速率快，显露面积小，经常消失.     

钨酸盐晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体的形貌

钨酸盐类晶体是重要的闪烁晶体．本文从钨酸盐类晶体中负离子配位多面体的结晶方位和相互联结的稳定性出发，探讨了钨酸盐类晶体中[WO4]2-等负离子配位多面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系；认为[WO4]2-四面体与金属阳离子（Ca2＋，Pb2＋，Zn2＋）结合时，由于晶体结构和生长条件（如籽晶取向等）的不同，在晶体各族晶面上的叠合速率和结构取向不同，晶体的结晶形貌迥然有别；四面体的面和梭的法线（L2）所对向的晶面，生长速率慢，顽强显露，均属晶体的板面；四面体的顶角所指向的晶面，生长速率快，显露面积小，经常消失．由此可以合理解释钨酸铅等闪烁晶体的生长特征．最后对ABO4型晶体的结构及习性特征进行了总结归纳．     

过硫酸钾—脲氧化还原引发的甲基丙烯酸乙酯基三甲基氯化铵反…

研究了以ｓｐａｎ－８０为乳化剂和过硫酸钾－脲引发体系下，甲基丙烯酸乙酯基三甲基氯化铵反相乳液聚合的动力学，得出在「Ｋ２Ｓ２Ｏ８」为１２．３－７３．８μｍｏｌ．Ｌ＾－１．「ＣＯ（ＮＨ２）２」ｏ为０－０．９５ｍｍｏｌＬ＾－１，乳化剂为４１．７５－６６．８０ｇ．Ｌ＾－１范围内的聚合速率表达式：Ｒｐ＾∞「ＤＭ．ＭＣ」＾１．７１「Ｋ２Ｓ２Ｏ８」＾０．２８「ＣＯ（ＮＨ２）２」＾０．０１「３」＾－１．１８，ＢＣ     

若干晶体中氧八面体结晶方位与晶体形貌

本文从结晶化学角度出发，研究了ＡＢ和Ａ２Ｂ３和ＡＢＯ３型氧化物晶体中的氧配位八面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系，提出晶体的结晶形貌是受晶体中负离子配位多面体结构和结晶方位所制约的。配位多面体顶角所对向的晶面生长速率最快，而面所对向的晶面生长速率最慢，配位体的棱所对向的晶面，生长速率居于两者之间，负离子配位多面体在晶体中的各个面族上连接和稳定性，决定了晶面的显露程度和晶体的结晶形貌。     

四硼酸锂晶体解理的形成机理

本文从结晶化学角度研究了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体结构，根据晶体的结构基元为［Ｂ４Ｏ９］＾６－络阴离子，并用计算机绘出了该络阴离子在｛００１｝，｛１００｝，｛１１０｝面上的投影，由［Ｂ４Ｏ９］＾６－络阴离子的结晶方位和分布确定了晶体的开裂是沿着络阴离子之间相连接的桥氧部位所断裂的。     

二磷酸钕钾晶体的生长与光谱

Ｋ３Ｎｄ（ＰＯ４）２晶体是一种高稀土浓度的激光晶体．本文报道从ＫＦ－ＫＣｌ体系中采用助熔剂法培养出Ｋ３Ｎｄ（ＰＯ４）２晶体．该晶体呈淡紫红色，属单斜晶系，Ｐ２_１／ｍ空间群，晶胞参数为ａ＝９．５３４　，ｂ＝５．６２９　，ｃ＝７．４４３　，β＝９０．９６°．测定了晶体室温下的吸收光谱、荧光光谱、激发光谱和红外光谱．     

八种新功能晶体的比热及其与相变掺杂物关系的实验研究

本文对八种新型功能晶体Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｓｒ１－ｘＢａｘＮｂ２Ｏ６（ｘ＝０．３３，０．４８）、ＬｉＴａＯ３等在１３０～９７３Ｋ范围内的比热行为及其与相变、组分之间的关系进行了实验研究，给出了比热的多项式拟合方程，并与用纽曼－卡普定律及用Ｗｉｋｅｌｍａｎｎ经验方程的比热计算值作了对比，为晶体比热的估算提供了依据和方法。     

Li2B4O7晶体的比热,导温和导热性能

用ＤＳＣ和激光热导人义分别测定了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７（ＬＢＯ）晶体３５０－９７０Ｋ范围内的比热和６３０－９７０Ｋ范围内不同主晶轴方向的导温系数，并由此了导热系数和声子平均自由程。     

OH^—和氧离子杂质在BaF2晶体辐照损伤的影响

从理论和实验两方面研究ＯＨ＾－和氧离子杂质为ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论，理论上用ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ＾－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ＾－，Ｈｓ＾－（Ｕ心），Ｏｓ＾－，Ｏｓ＾２－和（Ｏｓ＾２－－Ｆ＾＋）都可能是引起辐照损伤的源泉。实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ＾－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ＾     

OH~－和氧离子杂质对BaF_2晶体辐照损伤的影响

从理论和实验两方面研究ＯＨ－和氧离子杂质对ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论．理论上用（ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ－，Ｈｓ－（Ｕ心），Ｏｓ－，Ｏｓ２－和（Ｏｓ２－－Ｆ＋）都可能是引起辐照损伤的源泉．实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ－占据阴离子位置，氧离子以Ｏｓ２－的形式占据Ｆ－的晶格位置，并由氟空位（Ｆ＋）作电荷补偿，较大可能以（Ｏｓ２－Ｆ＋）形式存在．γ辐照前后水解处理样品的光吸收谱（ＶＵＶ，ＵＶ，ＩＲ）和电子顺磁共振谱（ＥＰＲ）验证了理论计算的正确性．综合理论和实验，我们认为ＯＨ－氧离子杂质引起ＢａＦ２晶体辐照损伤的主要原因是：ＯＨ－和（Ｏｓ２－Ｆ＋）辐照分解成Ｈｓ－（Ｕ心）和Ｏｓ－．上海硅酸盐研究所在晶体生长工艺中，有意识地对ＯＨ－和氧离子给予特别的注意，在改进辐照损伤上获得较好的效果．     

微波场下纳米Mg-Al-LDHs及PO43-,P2O74-柱撑Mg-Al层状双氢氧化物的合成

用微波加热反应-变速滴加共沉淀法合成了[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物，并以[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物为前体，用微波加热反应一离子交换法制备了PO4^3-，P2O7^4-柱撑Mg-Al层状双氢氧化物．该法合成的[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物的粒径约为10～40nm．讨论了微波和变速滴加碱液的速度对纳米层状双氢氧化物的合成的影响．用FT-IR、TEM与XRD对产物进行了表征，结果表明在微波加热反应的条件下可在短时间内用PO4^3-,P2O7^4-彻底交换CO3^2-。     

Fe2BP3O12的合成及晶体结构

采用固态反应方法合成了有序的铁基硼磷酸盐Fe2BP3O12,用X射线粉末衍射方法精修了其晶体结构,属三方晶系,空间群为P3,a=8.02703(6)A,c=7.40168(9)A,V=413.02(1)A3,Dx=3.2758(1)(g/cm3),Z=2,对于55个参数,用188条衍射线及18001个衍射强度全谱数据点精修到R(I)=6.35%,R(p)=15.36%,所对应的R(dbw)=10.12%.B原子具有三角形氧配位,P和Fe的氧配位分别是四面体和八面体.Fe的两配位八面体共面形成新结构单元,BO3三角形联接磷氧和铁氧多面体形成三维结构.对比同构的铬硼磷酸盐,此化合物期望具有类似的非线性光学及其它非线性物理性质.     

高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究

利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品, 采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制. PL测试结果表明, 在In掺杂样品中, In原子占据了晶体中原有的Cd空位, 形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_Cd^+], 同时 [In_Cd⁺]还与[V_Cd^2-]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_Cd⁺-V_Cd^2-)^-]. DLTS分析表明, 掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级, 这个能级很可能是Te反位[Te_Cd]施主缺陷造成的. 由此, In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.     

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

在978nm激光二极管的激发下，Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光，该发光来源于[MoO4]^2-基团的激发态3T1，3T2能级到基态1Al能级的电子跃迁．X射线衍射表明样品为金红石单一相，红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在．由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子，它们提供了上转换得以进行的中间态．高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量，从而严重影响样品的发光行为。     

氧化铁和羟基氧化铁纳米结构的水热法制备及其表征

利用乙二醇辅助水热法制备氧化铁的纳米结构，系统研究了Fe^3＋和OH^-的比例、乙二醇的含量、溶液浓度以及后续热处理对氧化铁纳米结构的影响，同时研究了不用形貌的氧化铁纳米结构对其磁性的影响．研究表明：当Fe^3＋和OH^-的摩尔比〉1：4时，无论有无乙二醇的加入，所得样品都为六方相的α-Fe2O3纳米颗粒；当Fe^3＋和OH^-的摩尔比〈1：4，有乙二醇辅助时，所得样品为正交相飞机状的FeOOH纳米结构；当Fe^3＋和OH^-的摩尔比〈1：4，无乙二醇辅助时，所得样品为正交相的FeOOH纳米棒．经过600℃，1h热处理后，飞机状的FeOOH和FeOOH的纳米棒都可以转化为多孔的飞机状α-Fe2O3和α-Fe2O3的纳米棒、溶液浓度的提高只会增加样品的尺寸而对其形貌没有太大的影响．形貌和尺寸不同对材料的磁性能有很大的影响．     

掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性

采用过滤阴极真空电弧技术, 以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜. 利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征薄膜的成分和结构, 采用循环伏安和微分脉冲伏安分析薄膜的电化学行为. 结果表明, 磷的掺入没有引起薄膜非晶结构的明显变化, 只是促进了sp²杂化碳原子的团簇. 经过酸预处理的ta-C:P薄膜在硫酸溶液中有宽的电势窗口和低的背景电流; 对Cl^-有催化活性; 薄膜表面电子传输速度快; 对水溶液中Cu²⁺和Cd²⁺有检测活性. 因此具有良好导电性的ta-C:P薄膜适于作为电极并有望用于污水中重金属离子的分析检测等领域.     

Synthesis and crystal structure of the inter-alkali metal iodide Cs2Li3I5

Cs₂Li₃I₅ was obtained from the reaction of CsI, Li and I₂ in a sealed tantalum tube and colorless single crystals grown from the melt by slow cooling. This first inter-alkali metal iodide crystallizes in the monoclinic crystal system (C2/m, Z= 2) with a= 1666.8(6), b= 472.1(1), c= 1098.7(4) pm, β= 115.73(3)°. As the result of a x-ray crystallographic structure determination (R= 0.069, R_W= 0.066), Li⁺ is surrounded tetrahedrally (two thirds) and octahedrally (one third) by iodide. Cornersharing double chains of [LiI₄] tetrahedra are connected with edge-sharing chains of [LiI₆] octahedra to a layer of the composition [Li₃I₅]. Bicapped trigonal prisms [CsI₃] share faces and edges so that a network of the composition [Cs₂I₅] is formed which contains the necessary tetrahedral and octahedral holes for Li⁺.     

含柠檬酸根电解液中钛表面电解沉积羟基磷灰石晶体的动力学过程

在含0.6mmol/L Ca2+离子和0.36mmol/L H2PO4-离子的电解液中加入2.4mmol/L柠檬酸根离子进行钛表面阴极电沉积.结果表明柠檬酸根离子延长了HA晶体的形核孕育期,并且晶体形貌由规则的六棱柱变化为细尖锥状.通过沉积电流,涂层增重,晶形变化等规律对整个沉积过程做出阶段性划分(吸附期、孕育期、爆发生长期、次层生长期和平衡期),并对各阶段的微观过程生长机理进行了探讨,尝试建立了含柠檬酸根电解液中电解沉积HA晶体的生长模型.     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶格结构之间的定量关系,同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好,证明了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位的存在,同时得到ｒ＾３＋离子的Ｆ＾－离子向中心Ｃｒ＾３＋离子分别移动Ｘ１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ２＝０．００１ｎｍ,