碳热还原法生成AlN晶须的形貌及结晶方向

在用碳热还原法制备ＡｌＮ粉未过程中，发现大量白色ＡｌＮ晶须存在于ＡｌＮ粉末坯体表面某形貌有直板状、锯齿状及抿曲状，电子衍射花斑显示结晶方向均为（０００２），其生长机理可能为ＶＳ机制。     

A1直接氮化法制备纳米A1N晶须的形成过程及形貌观察

通过同步热分析（simultaneous thermal analysis，STA）分析了Al在非高压氮气气氛下（压力0．2MPa，流速30ml/min）生成纳米AlN晶须的反应过程。分析了氮化的动力学过程。用环境扫描电子显微镜（environmental scanning electron microscopy,ESEM）观察了AlN及Al-AlN界面的显微结构。结果表明：在300-450℃之间，氮气即可在固-气界面处与气相铝发生反应生成AIN；从450℃开始，反应生成的AlN在未反应的Al表面沉积，以后一直持续至铝熔融；从熔点开始，熔融后的铝粉体在芯层中迅速团聚，阻碍氮化的进一步进行，但是在壳层中，氮化在液-气界面进一步进行，形成最终的芯-壳结构。ESEM的分析结果表明，在持续升温过程中，壳层中主要生成毛纤维状的纳米AIN晶须。芯层中主要通过VS机制生成大的AlN晶体。     

晶须取向对SiCW/Al复合材料力学性能的影响

研究了压铸态及挤压态20%(体积分数)SiCw/6061Al复合材料中晶须取向及其拉伸力学性能.结果表明,压铸态复合材料中晶须取向趋于混乱分布状态,因而其力学性能具有较高的各向均匀性.复合材料经过挤压变形后晶须呈定向排列,沿挤压方向的各项力学性能均有所提高,尤其是伸长率得到显著改善.     

高纯AlN晶须的制备

以A1,A1N粉为原料,采用合适的矿化剂,通过控制反应器内的温度和气相过饱和度,可以获得不同尺度的A1N晶须或枝晶,合成出的A1N晶须纯度高,晶体结构完整,晶须直径可控（1－20μm),长度为cm级,高温合成的A1N枝晶,直径为1mm,长度约0.5cm,为六棱椎形针状晶体,在｛21^-1^-1｝,｛101^-1｝面存在明显的择优取向,生长机理为气－固（VS）机理。     

晶须取向对HAP/SiCw复合生物陶瓷力学性能的影响

本文用原位复合法合成了纳米HAP/SiCw复合微粉,用热压烧结法制取了HAP/SiCw复合生物陶瓷,并研究了晶须取向对其力学性能的影响.试验结果表明,当复合材料所受拉应力方向与热压面平行或剪应力方向与热压面垂直时材料的力学性能最好,当所受拉应力方向与热压面垂直或剪应力方向与热压面平行时材料的力学性能最差.这一结论对HAP/SiCw复合生物陶瓷的实际应用有重要的指导意义.     

晶须取向对SiCw／Al复合材料力学性能的影响

研究了压铸态及挤压态20％（体积分数SiCw/6061Al复合材料中晶须取向及其拉伸力学性能,结果表明,压铸态复合材料中晶须取向趋于混乱分布状态,因而其力学性能具有较高的各向均匀性,复合材料经过挤压变形后晶须呈定向排列,沿挤压方向的各项力学性能均有所提高,尤其是伸长率得到显著改善。     

SiC晶须形貌质量检测标准

本文首次提出碳化硅晶须的形貌质量检测标准，该标准包括晶须的长度，直径，长径比及晶须的表面光洁率，晶须直晶率，晶须中颗粒物含量几个方面的检测，并已在１９９３年２月被国家“８６３”高技术结构材料专家组认定，做为我国ＳｉＣ晶须产品形貌质量的检测标准。     

SiC晶须形貌质量检测标准

本文首次提出碳化硅晶须的形貌质量检测标准，该标准包括晶须的长度、直径、长径比、以及晶须的表面光洁率、晶须直晶率、晶须中颗粒物含量几个方面的检测，并已在１９９３年２月，被国家“８６３”高技术结构材料专家组认定，做为我国ＳｉＣ晶须产品形貌质量的检测标准。     

不同形貌TaCx晶须的制备及生长机理

通过不同的原料体系在合适的工艺条件下成功制备出碳化钽晶须（TaCx）。由Ta2O5-NaCl-C-Ni和Ta2O5-NaF-C-C12H22O11（蔗糖）体委制备的晶须呈平直的纤维形态，其生长机理为气-液-固（VLS）机制。由Ta2O5-KCl-C-Ni体系制备的晶须一部分通过VLS机理生长，而另一部分则通过LS机理生长，前者呈四方柱状，后者呈具有锥状柱体和之字形端部的特殊形貌。所有的原料体系均是在相近的工艺条件下进行，即反应温度1150-1350℃，氮气气氛保护。本工作对晶须的化学成分、形貌、晶体结构和生长机理进行了较详细的研究。     

升华再结晶法制备AIN晶须及其生长特性

以ＡｌＮ粉体为原料，加入适量的ＣａＯ－Ｂ２Ｏ３矿化剂，采用升华再结晶法制备ＡｌＮ晶须，初步探讨了反应器及其合成温度对产物的种类的影响，研究了晶须的结构特征及其生长机理，结果表明，初期的合成产物包括ＡＬＮ晶柱、晶须和非晶ＡｌＮ纤维，以ＶＬＳ机制生长；后期产物为ＡｌＮ晶须，表现为ＶＳ生长机制：ＸＲＤ及ＴＥＭ分析表明，晶须大多呈现沿（２１１０）、（１０１ｌ）和（０００１），ｌ＝０、１、２、３的晶面生长，     

升华再结晶法制备AIN晶须及其生长特性

以AIN粉体为原料，加入适量的CaO-B2O3矿化剂，采用升华再结晶法制备AIN晶须．初步探讨了反应器及其合成温度对产物种类的影响，研究了晶须的结构特征及其生长机理．结果表明，初期的合成产物包括AIN晶柱、晶须和非晶AIN纤维，以VLS机制生长：后期产物为AIN晶须，表现为VS生长机制：XRD及TEM分析表明，晶须大多呈现沿｛2110｝、｛101l｝和｛0001｝，l＝0、1、2、3的晶面生长．多数晶须宏观生长轴向平行于这些晶面的法线，而部分晶须由于发生斜生长，导致宏观生长轴向与这些晶面的法线斜交．     

氮化铝晶体生长技术的研究进展

氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶。为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体,需要不断寻找合适的籽晶材料。从最早的SiC籽晶,发展到近年来的AlN籽晶、SiC/AlN复合籽晶,加上不断改进的PVT工艺条件,少数研究机构已经可以获得直径跨度大、缺陷密度低的AlN晶体。近两年,高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制。     

氮化铝超微粉的绿色合成

本文以碳酸钠和氯化铝沉淀制得的活性氧化铝为原材料,在高温下与氨气反应,制得氮化铝粉体,并对比掺杂氧化镧前后,活性氧化铝生成氮化铝条件的不同。实验过程中,运用XRD对制得的粉体进行物相分析。结果表明,当反应温度达到1 200℃时,掺杂镧的氧化铝能制得纯净的氮化铝粉体,而未掺杂镧的氧化铝则需要更高的温度。     

氮化铝陶瓷浆料流变性能的研究

系统地研究了流延法制备氮化铝基片过程中影响流延浆料粘度的主要因素.分析了研磨时间、有机混合溶剂掺量、分散剂掺量及粘结剂、塑性剂对氮化铝浆料流变性能的影响,并对实验条件下测得的流变曲线采用Hershel Bulkley模型进行拟合,拟合出的Hershel Bulkley屈服应力τc较好地反映了浆料的稳定性,研究结果表明:分散剂掺量为2.5%(体积分数)时,浆料的τc较低;浆料的τc随固相体积分数的增加而增加;研磨时间为4h制备的浆料τc最低,流动性能最好;浆料的粘度随着塑性剂与粘结剂的比值R的增加而急剧减小,流变性能得到明显改善.     

碳热还原法制备氮化铝陶瓷粉末的研究

从原料的准备,合成,二次除碳工艺三个部分介绍了碳热还原法合成氮化铝粉末的工艺过程,详细总结了该工艺几个关键步预的研究状况,包括铝源的选择,碳源的选择,添加剂的选择,碳铝摩尔比的确定,原料的分散与混合,煅烧,氮气的流速和压力的确定,二次除碳,指 碳热还原法合成氮化铝粉末的主要研究方向。     

硼酸铝晶须氮化特性研究

针对硼酸铝晶须增强铝基复合材料的界面反应问题,经热力学预测,首次提出对硼酸铝晶须进行氮化处理这一新工艺。采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了硼酸铝晶须的氮化特性。实验结果表明：硼酸铝晶须中已渗入氮元素;同时,硼酸铝晶须中硼元素向ＢＮ转变。硼酸铝晶须的氮化反应受扩散控制,为一热激活过程,其反应活化能为３０６．３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

粉料预处理方法对氮化铝晶体形态的影响

以氮化铝粉料为原料，在高纯氮气条件下用物理气相法制备氮化铝晶体。采用不同方法对氮化铝粉料进行预处理，研究它对氮化铝晶体形态的影响。实验结果表明，通过对氮化铝粉料的预烧结，可以有效地减少粉料中杂质的含量，实现合适的气体输运速率，从而得到了尺寸较大、质量较高的六棱柱形的氮化铝单晶体。     

AIN薄膜的研究进展

ＡＩＮ是一种重要的近紫外、蓝光半导体材料。本文就ＡＩＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述。对ＡＩＮ在制作发光器件、固溶体合金、电学绝缘等方面的应用也作了探讨     

AlN粉体制备技术研究进展

直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备AlN陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果,分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点,探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。