MgO,CaO,Y2O3掺杂ZrO2相组成的定量分析

以共沉淀法制备了掺杂８ｍｏｌ％ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｙ２Ｏ３的ＺｒＯ２粉料，在１５５０℃烧结得到致密的稳定或稳定ＺｒＯ２试样，应用Ｘ射线步长扫描衍射数据和Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法对试样进行了相含量的定量分析，结果表明，相同组份不同金属氧化物稳定的ＺｒＯ２试样在烧结后得到不同的相组成，ＭｇＯ部分稳定ＺｒＯ２为立方、四方和单斜三相混合物（１７：５７：２６：ｗｔ％），ＣａＯ的部分稳定ＺｒＯ２仅包含立方和单斜相（６     

ZrO2及ZrO2:CdS薄膜的制备和表征

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法合成了ＺｒＯ２薄膜,并通过在ＺｒＯ２薄膜中复合ＣｄＳ纳米粒子成功地制备了ＺｒＯ２：ＣｄＳ制得的ＺｒＯ２薄膜透明并具有较好的光透射性,而ＺｒＯ２的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素,分散在ＺｒＯ２：ＣｄＳ薄膜中的ＣｄＳ纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为４～６ｎｍ。实验结果表明,ＺｒＯ２颗粒的晶化会对薄膜的光学豚表面形貌产生影响,但ＣｄＳ的形成可以抑制薄膜表     

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚、紫外－可见光区透射率，反射率等性质，详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电化学与光学性能，实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达10^20cm^-3，电阻率－10^-2Ω．cm， 透光率高达90％，SnO2膜禁带宽度Eg=3.7-3.80eV.     

掺杂对Fe2O3纳米粉体气敏性的影响

应用双微乳液法,在聚乙二醇辛基苯基醚(TX100)/正己醇/环己烷/水体系的油包水(W/O)型微乳液中合成了掺锡和金的氧化铁前驱体,对前驱体经400℃焙烧后所得的粉体进行了表征和气敏性测试,表明制得的掺杂0.5mol%Sn和0.5mol%Au的粉体对C2H5OH气体有较好的气敏性.     

SnO2气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

运用复阻抗谱方法,在不同浓度乙醇与汽油气体中,测试ＳｎＯ２厚膜气敏元件的电抗－频率关系曲线,由电抗的变化来标定元件的灵敏度。与以往的测试采用直流电参量标定灵敏度相比,复阻抗测试不仅提高了元件的灵敏度,而且显著改善了选择性。该结果表明复阻抗测试不仅反映元件在气体吸附或解吸时晶粒间界处晶界电阻的变化,也反映了晶界电容的变化,因而更能体现气敏机制的本质。     

溶胶-凝胶法制备ZrO2缓冲膜的研究

本文用溶胶－凝胶技术,以无机盐氧氯化锆为前驱体,在不锈钢表面上制备了含ＳｉＯ２相的ＺｒＯ２缓冲膜,并用真空蒸镀法在其上沉积一层厚度为１５０ｎｍ的金膜。通过ＸＲＤ,ＦＴＩＲ,ＳＥＭ及ＡＥＳ等测试手段对ＺｒＯ２缓冲膜的性能及其热处理过程中的物理化学变化进行了表征。结果表明,不锈钢箔基体上的四方ＺｒＯ２膜在（２００）晶面上有择优取向的特点,缓冲膜与基体之间存在着一定程度的互扩散作用。同时,法向热发射率的     

SnO2凝胶干燥及固化过程中的结构变化

通过TG－DTA,BET－N2吸附和X衍射分析,详细研究了SnO2凝胶在20－700度区间干燥固化过程中的收缩,失重机理,凝胶骨架纳米结构的变化规律,研究了掺杂元素Sb,溶胶阶段加入的催化剂和溶剂种类对干燥过程和固化过程中的结构演变的影响,研究发现：SnO2凝胶为1－10nm尺寸的纳米多孔结构,符合圆柱通孔模型,在干燥固化过程分别为20－200度,200－550度和＞550度三个不同阶段,分别发生骨架吸附溶剂解附,－acac螯环分解氧化,网链结构驰豫和无定型→晶态转变等四个过程,它们是支配凝胶失重,收缩,固化的主要机理,随固化温度增加,纳米骨架粗化长大但其径长比保持不变,同时Sb加入有细化骨架作用,而催化剂对凝胶结构无明显影响。     

Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理

根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备的ＺｒＯ２－ＳｎＯ２薄膜的气敏性能数据，提出了常温下ＳｎＯ２（ＺｒＯ２）薄膜对Ｈ２Ｓ的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。     

纳米ZrO2水悬浮液稳定性的研究

本文选用２纳米粉ＺｒＯ２，分别采用单一静电稳定机制、加入ＰＥＧ的空间阻稳定机制和加入ＰＭＡＡ－ＮＨ４的是空间稳定机制制备成２ｖｏｌ％的ｒＯ２水悬浮液，通过Ｚｅｔａ电位、沉降实验和粘度测定及粒度分析等手段，最终分别得到了酸性和碱性条件下的高分散、高稳定的ＺｒＯ２水悬浮液。     

金属离子掺杂纳米SnO2材料的气敏性能及掺杂机理

以SnCl4·5H2O为原料合成纳米SnO2,并以其为基底材料分别以离子形式掺杂Ag^＋、Ni^2＋、Ce^3＋、Sb^2＋等作为气敏材料,制作旁热式气敏元件．研究了其对甲醇、乙醇气体的气敏性能．结果发现,适量的金属离子掺杂可提高SnO2的气敏性能,其中掺Ag^＋效果最佳,可显著提高SnO2对甲醇、乙醇气体的灵敏度．在工作温度为360℃时,对体积浓度为400×10^-6的乙醇、甲醇气体灵敏度分别为121和66．掺Sb^2＋可提高SnO2的导电性,在温度为200℃时,电阻值由180kΩ降至4kΩ．用Materials Studio软件对掺杂不同金属的SnO2的能带结构进行了理论计算,分析表明,掺杂使SnO2能带带隙宽度由掺杂前的2．65eV减少为2．02～2．62eV,相应元件电阻阻值的减少与带隙宽度变化趋势一致,带隙宽度是影响SnO2传感器工作温度高低的重要因素．     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

Effect of Tb Doping on Structural and Electrical Properties of BiFeO3 Thin Films Prepared by Sol-Gel Technique

Bi_(1-x)Tb_xFeO_3 thin films were prepared on SnO_2(fluorine doped tin oxide) substrates by a sol—gel method.The structural and electrical properties of the BiFeO_3 thin films were characterized and tested.The results indicated that the diffraction peak of the Tb-doped BiFeO_3 films was shifted towards right as the doping amounts were increased.The structure was transformed from the rhombohedral to tetragonal/orthorhombic phase.The Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film showed the well-developed P—E loops,which enhanced remnant polarization(Pr = 88.05 μC/cm~2) at room temperature.The dielectric constant and dielectric loss of Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film at 100 kHz were 185 and 0.018,respectively.Furthermore,the Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3 thin film showed a relatively low leakage current density of 2.07 × 10~(-5) A/cm~2 at an applied electric field of 150 kV/cm.The Xray photoelectron spectroscopy(XPS) spectra indicated that the presence of Fe~(2+) ions in the Bi_(0.89)Tb_(0.11)FeO_3thin film was less than that in the pure BiFeO_3.     

Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O,Y(NO3)3.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO２薄膜,采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2干凝胶粉末的热分解、晶体过程。研究了Ｙ２Ｏ３－ＳnO2薄膜的电学和气敏性能,从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳnO2薄膜电学及气敏性能的影响。实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2薄膜在常温下对ＮＯx具有较好的灵敏度的选择性,并具有较好的响应恢复性能,在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度。     

近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究

采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.     

二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能

以无机盐为原料,采用新颖的溶胶－凝胶工艺制备了具有优良电阻－气敏性能的纳米晶二氧化锡薄膜,其在最佳工作温度２００℃对６００ｐｐｍＣＯ的灵敏度可达５００,响应时间和恢复时间分别为１３ｓ和２０ｓ,进一步研究了薄膜的光透射率－气敏性能,发现当通ＣＯ时,透射率下降,最佳工作温度与电阻－气敏性能一致,当提高薄膜的退火温度时,电阻－气敏和光透射率－气敏的灵敏度均下降,分析了产生这些现象的原因。     

直流反应磁控溅射法制备CdIn2O4薄膜的光电性能研究

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响.结果表明电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加.退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移".点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果.综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件.此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4 Ω·cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%.     

PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究

通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。     

氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上, 制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜. 研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响. 结果表明, 通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子, 可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构. 未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2P_r)分别为1484和18 μC/cm², 通过采用氧等离子体辅助, 其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm².