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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路. 相似文献
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GaAs MESFET的压力敏感特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了GaAs MESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAs MESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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尽管GaAsMESFET研制工艺已经成熟,但随着电子系统性能不断提高,对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善GaAsMESFET特性的几种新途径。 相似文献
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在建立的理论模型基础之上,定量地分析了EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAs MESFET夹断电压大小的主要因素,EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响程度与EL2能给的缺陷密度呈线性关系。 相似文献
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本文给出了一种利用GaAs MESFET负阻特性实现的微波单片有源滤波电路,并考虑到MMIC工艺兼容性,提出了一种GaAs MESFET变容管结构,从而实现了滤波器的压控功能。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):32-32
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET傅炜(南京电子器件研究所,210016)1993年12月2日收到AC-Band16WInternallyMatchedPowerGaAsMESFET¥FuWei(NanjingElectronicDevice... 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
来萍 《固体电子学研究与进展》1995,15(4):381-390
介绍了国外GaAs微波器件及MMIC的可靠性研究进展情况,给出GaAsMESFET、HEMT和MMIC的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。 相似文献