HTCC产品气密性封装的平行缝焊工艺研究

平行缝焊作为气密性封装的一种重要封装形式,以其适用范围广、可靠性高等优势被广泛应用。在高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics, HTCC)产品气密性封装应用时,有诸多因素可能会引起产品密封不合格,导致电路失效。从产品盖板和底座的清洁度、预焊过程控制、封装夹具制作及封装参数的设置4个方面研究了平行缝焊工艺对HTCC产品气密性封装效果的影响。研究结果显示,为减少平行缝焊时陶瓷管壳所受到的热冲击,在脉冲周期内脉冲宽度要短,焊封能量应尽可能小,同时平行缝焊工艺中非封装参数影响的焊道质量也会影响HTCC产品气密性封装的效果。     

提高平行缝焊封帽合格率的初步探讨

随着半导体集成电路封装技术的发展,国内不少单位逐渐采用了平行缝焊工艺。这种工艺达到了集成电路气密性要求,并且具有结合强度高、管壳温升低、成本低、效率高等特点。我所研制的集成电路产品自七七年以来全部采用了平行缝焊工艺。所封10万只器件,经氦质谱检漏,其气密性可达1×     

浅谈电极对平行缝焊质量的影响

伴随着现代微电子技术的高速发展,对温度较敏感的电子元器件在设计中被普遍采用,为了满足这种电子元器件的封装要求,平行缝焊技术应运而生。平行缝焊是一种温升小、气密性高的高可靠性封装方式,普遍用于对水汽含量和气密性要求较高的集成电路封装中。影响平行缝焊质量的有诸多因素,如盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等。我们通过在SSEC(Solid State Equipment Company)M-2300型平行缝焊机上进行实验,总结出电极的状态对于平行缝焊的成品率有着直接的影响。     

一种四通道贴片式高速光电耦合器

研制了一种新型的四通道贴片式高速光电耦合器.介绍了该光电耦合器的结构、工作原理、参数设计、特点和参数曲线,并简述了其制作工艺.设计中采用独立腔体分隔技术,将四条光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间相互干扰.该光电耦合器采用SOIC-16金属陶瓷管壳气密性封装,具有工作速度快、功耗低和体积小的特点.     

基于焊接数据分析的平行缝焊缺陷检测方法

平行缝焊是一种用于对露点和气密性要求较高的微电子单片集成电路管壳进行气密性封装的封装工艺。影响缝焊质量的因素有很多,因此有多种针对平行缝焊缺陷检测的手段,通常是经过显微镜目检,氦质谱检漏和氟油粗检三种检测方式。通过对不同焊接问题反馈的焊接数据进行数据分析,提出一种基于焊接数据分析的平行缝焊缺陷检测,可以有效提高缺陷检测的准确率和效率。     

应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作

MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一 ,在封装设计中 ,如何测试封装的有效性就显得尤为重要。本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程。在其上进行气密性封装 ,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能。在设计中 ,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求。制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺。该湿度传感器结构简单 ,易于制作 ,其性能能够满足气密性封装测试的要求     

应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作

MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一,在封装设计中,如何测试封装的有效性就显得尤为重要.本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程.在其上进行气密性封装,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能.在设计中,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求.制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺.该湿度传感器结构简单,易于制作,其性能能够满足气密性封装测试的要求.     

应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作

MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一，在封装设计中，如何测试封装的有效性就显得尤为重要。本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程。在其上进行气密性封装，则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能。在设计中，充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求。制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺。该湿度传感器结构简单，易于制作，其性能能够满足气密性封装测试的要求。     

温度循环对半导体集成电路气密性的影响

研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响，阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素；提出了一种摸底试验的方法；对5种集成电路管壳进行了温度循环试验，并对试验结果进行了分析。就试验的几种外壳来看，至少可以经受1000次温度循环，其气密性仍然满足要求。     

高可靠2.3千兆赫20瓦晶体管的研究(二)

三、封装对装在HF-28、HF-46和载体/封装三种封装结构中的晶体管作了估价。这三种样品都是带状线器件。为了选择输入、输出线的金属化尺寸以便调节它们从而获得最佳性能,管芯载体的原始样品没有进行密封。管芯载体的最后封装可获得和密封的HF-28、HF-46管壳具有同样的气密性。管芯载体的原始样品示于图5,它是由350×350×55密耳的BeO衬底组成的,其中心有一个集电极岛。在封装样品中输入和输出引线由Al_2O_3     

提高多芯片微波模块气密性的研究

伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间。密封的实现方式根据具体要求采取不同的措施,对于密封要求相对较低,可以采用锡封的方式实现;对于密封要求相对较高的,可以采用平行封焊的方式实现。影响平行缝焊质量的有诸多因素,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的,在壳体性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性,盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等对平行缝焊的质量都起着重要的作用。     

一种环氧树脂封装方法

全陶瓷器件的封装大多采用环氧树脂进行密封,而对批量生产的器件来说,必须在保证封装气密性的同时又能高效地操作。文中介绍了一种封装实例,选用室温为固态、90℃以上为液态的环氧树脂,在管帽上先涂敷环氧树脂,设计了一套特种夹具,采用加压固化法保证封装器件的气密性,实现了全陶瓷器件封装的批量生产。     

密封管壳与密封技术

尽管器件钝化技术已经改善,但密封管壳仍然得到广泛应用;虽然封装技术还落在器件生产的发展后面,但是自动化生产将最终实现。     

半导体封装技术的现状和展望

<正> 一引言半导体封装是半导体器件和集成电路的重要组成部分,它的主要功用有两条:一是为芯片工作提供一个适宜的环境;二是实现芯片和电路的连接。因此,管壳的主要结构总是由密封腔体和连接件两部分组成。腔体把芯片同外部环境隔离开来,防止各种有害气体和杂质的污染,并将芯片有源区产生的热量传导给外部热沉,使器件在一定的结温下工作。管壳的内外引线及接插件可以适当的匹配方式把芯片和外电路连接起来。半导体封装技术的发展,各种新结构、新材料、新工艺的出现,主要也是围绕着以上两个问题。比如,为了解决气密性问     

我国IC封装概况及发展前途

本文对我国集成电路封装的几种类型和主要应用,以及它们使用的一些材料和工艺方法,作了简要的介绍。对超高频管壳、功率管壳、恒温管壳、防辐射管壳、光电管壳和微型组装技术,也简单地进行了介绍。对今后我国集成电路封装技术的发展提出了一些看法。     

HE331型、HE341型、HE351型、微型超高频宽带混合集成放大电路

本文介绍了一种国际通用管壳封装的超小型混合集成放大电路。该电路采用薄膜混合集成技术,将微波管芯、薄膜电阻、平面螺旋电感等集成于一个φ8.4mm的B-3金属管壳之中。采用了负反馈加电抗补偿等集总参数设计,并提供了一种典型负反馈宽带低噪声放大器的简化计算方法。设计了一种用超声键合法在微型管壳内动态调试放大器的技术方法。     

影响平行缝焊效果的各工艺参数的分析

平行缝焊是对集成电路管壳进行气密性封装的一种手段,这是一种低热应力、高可靠性的气密封装。平行缝焊最佳效果是管壳回流区域连续无孔隙,且管壳温度又不过高。文章主要以如何能够使平行缝焊效果达到最佳为主体,从平行缝焊的工作原理出发,对平行缝焊过程的主要工艺参数进行分析,并叙述了每个参数的变化对平行缝焊热量的影响以及各工艺参数间如何相互配合,才能获得平行缝焊最佳效果。最后,通过具体事例来说明怎样设置各参数才能获得最佳效果。因此,在平行缝焊过程中一定要注重缝焊参数的选择,保证获得最佳缝焊效果。     

无损氦质谱检漏

用于集成电路的管壳,除在散热、电气性能和机械强度等方面应满足器件要求外,还要求尽可能密封。对气密性封装来说,密封性通常是可以保证的。然而由于零部件质量或工艺操作等种种因素,个别器件往往出现漏气。这种漏气的器件,在使用过程中由于周围气氛的侵入,从而引起器件性能的劣化甚至完全失效。从而大大降低了产品的可靠性水平。通常采用对器件100％进行潮湿试验的办法,淘汰因气密性不好而早期失效的器     

LTCC微波一体化封装

文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。     

超高速GaAs IC的封装

<正> 本文报导了两种36根引线的芯片载体管壳,该管壳能满足超高速GaAs IC的要求,时标速率可达3GHz,上升和下降时间为100μμs。根据传播延迟时间、短截线长度、交调失真和电源控制,分析了封装要求。研制了最大管壳尺寸为1cm×1cm且带有内接地面和电源旁路电容器的两种管壳,第一种封装方法采用了多