0.18μm CMOS, Monolithic MSTP ASIC

I. Introduction Motivated by adopting both telecom and data-com traffic into Synchronous Digital Hierarchy (SDH)[1] transport payloads, we develop the mono-lithic Multi-Service Transport Platform (MSTP)[2] Application Specified Integrated Circuit (ASIC) MSEOSX8-6, which is a highly integrated device capable of mapping 10/100/1000Mbit/s Ethernet[3], 155Mbit/s Resilient Packet Ring (RPR)[4], as well as 2.048Mbit/s E1 traffic into SDH STM-1 payloads. On the line side, the chip s…     

世界电话的发展简况

1987年,世界电话号码簿新增号码2千2百万个。全世界电话号码总数为4亿5千4百万个(主机),比1986年增长5%。世界电话(主机)数量居世界前列的国家有美国(1.27亿)、日本(5千万)、苏联(2千8百万)和西德(2千8百万)。下表是1989年西门子公司对世界电话的统计数据。表中列出了在年人均电话呼叫次数、国际电话次数、百人电话普及率等几方面居世界前列的国家。据统计,欧洲和北美洲电话     

国外简讯

美国Honeywell与Helix技术公司的CTI-低温部签订了1亿2千万美元以上的转包合同,向西德空军提供AN/AAD-5红外侦察装置用的小型、高可靠性低温制冷器。AN/AAD-5是美国空军所用的红外侦察装置,将在西德RF-4E(美国F4战斗机改型     

0.13μm超高性能CMOS晶体管

据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源电压 1 .8V下达到了目前最高的电流驱动能力 ( n沟道晶体管为 81 0 μA/μm,p沟道晶体管为 42 0 μA/μm)。此外 ,实现了每 1单位电路 1 2 ps的迟延速度 (电路中包含晶体管自身的寄生电容 )。这一器件的开发成功将大大推进大容量数据高速处理系统 L SI的规模生产。0.13μm超高性能CMOS晶体管@孙再吉     

三星电子批量生产015μm SRAM

三星电子公司采用 0 15 μｍ工艺技术成功地批量生产 8Ｍ小功率ＳＲＡＭ ,以ＣＳＰ和ＭＣＰ形式供给便携电话厂家 ,用于大容量 1μＡ以下和低功耗 ,ＩＭＴ— 2 0 0便携电话。该公司批量生产 0 15 μｍＳＲＡＭ ,2 0 0 0年部门销售达到 15亿美元 ,从 2 0 0 1年开始以 4Ｍ作为换算 ,月产为 2 0 0 0万个 ,销售额可达 18亿美元。另外 ,预料 2 0 0 2年 ,2 0 0 3年分别生产 0 12 μｍ ,0 1μｍ超微细电路线宽技术的半导体存储器三星电子批量生产015μm SRAM@一凡…     

电缆绝缘偏心测量方法及装置

图1所示的测量装置有一个测量头1,其中装有一个测量振荡器2。对这振荡器的频率起决定性作用的一个线圈3用作实际的测量线圈,用“Ferroxcube”(西德汉堡Valvo G.mbH公司商品牌号)或类似材料制造的小管子4插在里面作为芯子。这小管子的长度至少为线圈3轴向长度的两倍,管子一端与被测电缆的护层5的表面接触,或者用测量头1的特殊支承面使管子这端与护层表面保持在一个准确预定的距离上。电缆有四根成缆的导线6组成,每根都分别予以绝缘。     

NOKIA SAN传输系统寺殊故障两例

1概述NOKIA公司生产的光传输设备SAN是(SYN鄄FONETAccessNode的简称)NOKIA专为接入网设备提供传输的一种光传输系统,属于SDH的范畴。根据容量的不同,SAN可分为3种类型:两槽道的基本单元、4槽道的基本单元加2个2Mbit/s板、8槽道的基本单元加6个2Mbit/s板。其中,基本单元为CORE板加STM-1。CORE板为核心板,能提供节点管理、节点控制、交叉连接以及节点同步等功能;STM-1能提供双路光接口。2Mbit/s板即为SAN2Mbit/s插板,是电接口单元,能提供75Ω非平衡式细缆接口,包括21×2Mbit/s接口和两个辅助接口(即同步V郾11接口),每个…     

0.18μm 256Mb SDRAM

三菱电机公司目前已开发出采用 0 18μｍ设计规范的 2 56ＭｂＳＤＲＡＭ 5个产品 ,现已开始出售样品。近来 ,作为高端服务工作站等信息设备的性能不断提高 ,对于影响这些系统性能的主存ＤＲＡＭ来说 ,要求具有更大的容量和更快的速度。在这种情况下 ,为了适应下一代最高数据的传送 ,开发出了 2 1Ｇｂ ｓ的 2 56Ｍｂ　ＤＤＲＳＤＲＡＭ。同时还开发出了 133ＭＨｚ工作 (与ＰＣ133相应 )的 2 56ＭｂＳＤＲＡＭ ,并已出了样品。作为今后开发目标 ,则是寻求更大容量 (512Ｍｂ)和更高速度 (2 7Ｇｂ ｓ级的数据传送速度 )的产品。产品的主要特…     

用1.55μm脊形波导C~3激光器的101公里1Gbit/s单模光纤传输实验

本文报导利用1.55μm单纵模解理耦合腔(C~3)脊形波导激光器,首次以500Mbit/s以上速率进行光波传输实验的结果。我们在101公里长的单模光纤上实现了1Gbit/s、误码率<2×10~(-10)的数字传输,创造了500Mbit/s以上无中继传输的纪录。同时还观察到了误码率最低限的证据,估计是由于残余分配噪声所致。但使用同样的C~3激光器在84公里1Gbit/s的实验中却未观察到上述情况。     

四家欧洲公司扩展技术合作

最近,意大利电信公司(Italtel)、法国阿尔克他公司(CIT—Alcalel)、西德西门子公司和英国普莱塞(plessey)公司在公用交换技术方面的联合研究与开发工作又扩展到了新的领域。迄今,他们的联合活动主要是确定能使四家公司共同使用标准化超大规模集成电路的标准和规范,以适用于未来的业务,特别是综合业务数字网业务,满足90年代的市场需求。四家公司的交换机分别是:UT、E10、X系统和EWSD。     

简讯

简讯Ａ德国联邦研究技术部针对生物传感器开发研究落后于日美状况，到９６年年投资互５００万马克推动此项研究。这一领域过去投资了６５００万马克。据Ｐｒｏｇｎｏｓ公司预测到２０００年这一领域的市场将增长到２３亿马克。在生物传感器领域，原东德研究人员的水平高，...     

网通电信宽带新策略的背后

北京网通计划在5.17电信日推出2Mbit/s带宽ADSL服务,包月费用暂定为180元左右。同时,网通全国子公司均已经开始进行ADSL提速的准备工作,提速后的ADSL网速可望从目前主流的512kbit/s和1Mbit/s提高到2Mbit/s～8Mbit/s,最快提升8倍。     

摩托罗拉实现0.1μm生产工艺

摩托罗拉半导体使用先进移相技术在工业界第一个应用 0 1 μｍ硅处理技术生产芯片。该技术突破并解决了半导体工业面临如何设计和生产次波长集成电路的关键问题 ,将推动产品性能的提高和利润的增长。该公司的 0 1 μｍ制造工艺使用了ＮｕｍｅｒｉＴｅｃｈ公司的移相技术和光学临近效应校正技术 (ＯＰＣ) ,结合本公司的先进制造技术。现已生产出了 0 1 μｍ特征尺寸的ＰｏｗｅｒＰＣ芯片 ,该芯片是目前世界上最复杂的芯片 ,由于尺寸降低至 0 1 8μｍ以下 ,光学光刻技术设备不能加工低于波长 2 48ｎｍ的产品 ,否则会失真或消失 ,不利于生…     

产业新闻

Microchip推出4 Mbit和8 Mbit 1.8 V低功耗存储器2015年1月20日,Microchip发布SST26WF080B和SST26WF040B新器件,扩展其1.8 V Serial Quad I/OTM(SQI)SuperFlash?系列存储器。新器件备有4 Mbit和8 Mbit两种存储容量,采用Microchip高性能SuperF lash技术制造,     

1.5μm外腔半导体激光源外差FSK相干光纤通信系统的研究

本文报导采用国产器件建立的1.5μm波段外差FSK相干光纤通信实验系统。系统中发送光源和本振光源分别采用InGaAsP自聚焦棒(GRINROD)外腔和光栅外腔半导体激光器,笔者对大频偏、单滤波/包络检波系统和小额偏、单滤波/差分—延迟检波系统进行了研究。在这两个系统中,中频(IF)经AFC分别稳定在1.05 GHz4±1 MHz和810MHz±1MHz。140Mbit/s信号经6.4公里单模光纤(损耗约为0.62dB/km)传输后,经光电混频、预放、中放和中频滤波后进行包络检波或差分一延迟检波,检波后的信号经基带放大和基带滤波后进行取样、判决。经测量:系统的误码率BER≤10~(-8)(半小时观测时间),系统的接收灵敏度为-37.7dBm(BER≤10~(-9),系统的损耗余量为24.92dB。实验中,笔者对IF电路进行了优化设计,同时,利用中频谱对发送光源的调频特性进行了深入的研究。实验结果表明,只要选择合适的GRINROD外腔的尺寸,可以得到不同线宽的激光源,进而可以建立不同相干程度的相干光纤通信系统。     

0.18μm SOI工艺技术

最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证实采用大容量ＳＲＡＭＴＥＧ (ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ :特性评价器件 )有可能实现大规模高速ＬＳＩ。1　局部沟槽隔离技术(ａ) 0 18μｍＳＯＩ技术的开发情况所谓的ＳＯＩ技术 ,就是在Ｓｉ基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (ＳＯＩ层 )结构。与普通的Ｓｉ基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,ＳＯＩ器件则是在薄的ＳＯＩ层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …     

推进数字中波的发展

联邦德国文化和研究部资助全球数字广播项目 ,在今后 3年将投入 3 90万欧元来推进全球数字广播 (DR M)的发展。参与该项目的有 Fraunhofer集成电路研究所、德国电信、博士公司、Sony 国际 (欧洲 )、 Micronas半导体制造公司和德国Atmel公司。Fraunhofer研究所除承担研究工作外 ,还担任项目的组织工作。目前全球有 2 0多亿台接收机可接收调幅广播节目 ,所以 ,1998年成立了数字广播联盟 ,目标是实现长波、中波和短波节目的数字化和标准化。参与该项目的有终端设备制造厂商和相关研究部门。该项资助还专门为全球数字广播开发一种新型的数据…     

美国国防高级研究计划局研制出像元大小为5μm的长波红外相机

据www.1aserfocusworld.com网站报道,从事美国国防高级研究计划局(DARPA)先进宽视场图像重建与开发组件(AWARE)项目的美国DRS技术公司研究人员已经研制出首台像元大小为5μm的长波红外相机(例如,长波红外相机可用作夜间探测人类活动的热成像仪)。这是第一台像元尺寸仅为所探测光子一半的红外相机,其像元大小约为现有最小像元的1/6。这些像元被安置在一个1280×720元焦平面     

存储器

CY14B102/108:2/8Mbit nvSRAM赛普拉斯推出2Mbit和8 Mbit非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),进一步丰富了公司旗下从16 Kbit到8 Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20 ns,支持无     

面孔

赢家：马克&#183;扎克伯格1月8日．Facebook创始人兼CEO马克&#183;扎克伯格官方博客上宣称，Facebook的会球用户数已达1．5亿，这些用户来自全球170个国家和地区的所有年龄段，其中近一半每天都在使用Facehook。之前，Facehook的用户数量从1亿增长到1．2亿用了4个门，而从1.2亿增长到目前的1．5亿只用了两个多月。