一种新型运放相位反转保护电路

在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足,提出了一种新型的相位反转保护电路.该保护电路结构紧凑,仅需3个双极型器件,且当运放输入信号处于正常共模输入范围时,对运放的性能参数,如差模信号增益、建立时间和静态功耗等,没有不利的影响.理论分析与仿真结果表明,该保护电路不仅避免了运放电路相位反转的发生,而且有效地抑制了伴随相位反转的过流现象.     

一种新型运放相位反转保护电路

在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足,提出了一种新型的相位反转保护电路.该保护电路结构紧凑,仅需3个双极型器件,且当运放输入信号处于正常共模输入范围时,对运放的性能参数,如差模信号增益、建立时间和静态功耗等,没有不利的影响.理论分析与仿真结果表明,该保护电路不仅避免了运放电路相位反转的发生,而且有效地抑制了伴随相位反转的过流现象.     

基片集成波导梳状交替相位功分器

利用基片集成波导技术在单层印制电路板上设计了微波功分器,通过调节感性金属柱的位置,实现了相邻端口的输出相位相差180度的特性,实验测试结果与仿真结果吻合良好.     

对称型正负交替一维光子晶体超窄带滤波器

构造了(AB)N1(BA)N2对称型正负折射率交替一维光子晶体,并利用传输矩阵法进行数值模拟,研究了这种正负折射率交替一维光子晶体的能带结构与各参数之间的关系.结果表明:当两种材料的光学厚度相同时,该结构光子晶体比传统的光子晶体的带隙大得多,且在主禁带内有极窄的透射带.并利用此透射带,设计了一种在红外波段1550nm窗口3dB带宽可以做到0.000001nm以下,窗口内透过率接近100%的超窄带滤波器.该结构的光子晶体可以用作超窄带滤波器,有望在光通信超密集波分复用系统中获得广泛应用.     

对称型正负交替-维光子晶体超窄带滤波器

构造了（AB）N1（BA）心对称型正负折射率交替一维光子晶体,并利用传输矩阵法进行数值模拟,研究了这种正负折射率交替-维光子晶体的能带结构与各参数之间的关系。结果表明：当两种材料的光学厚度相同时,该结构光子晶体比传统的光子晶体的带隙大得多,且在主禁带内有极窄的透射带。并利用此透射带,设计了一种在红外波段1550nm窗口3dB带宽可以做到0．000001nm以下,窗口内透过率接近100％的超窄带滤波器。该结构的光子晶体可以用作超窄带滤波器,有望在光通信超密集波分复用系统中获得广泛应用。     

准相位匹配LN倍频波导铁电畴反转光栅的研究

从准相位匹配理论出发,对铁电畴反转区域长度和畴界位置的偏差造成偏离理想准相位匹配的情况进行了理论分析和研究,得出这些偏差直接影响二次谐波输出功率。     

从单幅干涉图中恢复相位的区间反转方法

提出了一种从单幅干涉图中直接恢复相位的区间反转方法。分析余弦函数正负号歧义问题,导出反余弦相位和相位2模之间的关系。由于在反余弦的(,2)区间需要对相位反转,将反转区间的确定问题转换为三段式折线拟合问题。利用遗传算法求解了折线的最小均方拟合,且使用最小二乘法估计了干涉图的载频,从而获得最佳相位估计。最后,分别对一维和二维合成条纹图进行测试,与传统的傅里叶变换方法和条纹分析方法比较,证实了提出方法的有效性和易用性。     

基于表面等离激元波导相位反转的可调Fano共振研究

表面等离激元是金属界面的自由电子俘获入射光波,在界面形成的一种混合激发态。表面等离激元能够突破光的衍射极限,将能量局域在金属-介质界面,基于表面等离激元原理的波导器件可以真正实现亚波长尺寸,被认为是最理想的纳米集成光路的信息载体。而Fano共振的产生,源于原子系统中一个分立的激发态能级与一个连续的激发态能级相互重叠,两个激发态之间出现了量子干涉。文章提出了基于亚波长非线性表面等离激元波导侧双齿双腔MIM(金属—介质—金属)结构。波导及齿状结构提供了一个连续态模式,而双侧腔提供了分离态模式,这两种模式发生干涉,产生了Fano共振现象。通过调节光强的大小对非线性腔进行调节,该系统实现了Fano线性发生了反转及相位反转的全关调制。     

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场)进行检查.基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形,并给出相关的修改建议.实验结果证实了该工具的有效性.     

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .实验结果证实了该工具的有效性     

单晶电子衍射的相对强度

本文提出了一种新的表达电子衍射相对强度的经验公式。利用衍射斑点的灰度侧视分布图,详细研究了Ni-Fe-Ga合金中14M调制结构马氏体的选区电子衍射图。结果表明：晶体结构因数的对数值与其相应的衍射斑点灰度积分值差的函数呈线性关系。     

纳米晶Pd─Si薄膜析出相的TEM研究

本文利用ＴＥＭ原位加热手段和选区电子衍射分析方法，对纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Ｐｄ＿（８０）Ｓｉ＿（２０）合金而得到的纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜，其晶粒尺寸为１０ｎｍ，结构属ｆｃｃ。随着温度的升高，薄膜中晶粒长大，在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。     

Pd－Ag－Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究。结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构。经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

不同元素掺杂对复合晶体Sr14(Cu1-yMy)24O41(M=Zn,NiCo)结构的影响

用常规的固相反应法制备了Zn2 ,Ni2 ,Co3 掺杂的3组复合晶体Sr14(Cu1-yMy)24O41(M=Zn,Ni,Co)系列样品.选区电子衍射研究表明,这些样品的自旋链亚结构的衍射点都出现了在a*和b*方向上扩展成衍射线的现象,而仅由自旋梯子亚结构产生的衍射斑点仍保持明锐.随着掺入离子的电子总自旋的增大,自旋链亚结构的衍射斑点扩展成衍射线的现象加重.掺入Co3 离子的复合晶体Sr14(Cu1-yMy)24O41中对应于自旋链亚结构的衍射斑点已完全扩展成垂直于c*的漫散射条纹.掺Co样品[001]带轴高分辨像显示,两套亚系统沿[001]方向的投影在口和b方向上的周期非常完整.这表明,Sr14(Cu1-yMy)24O41的自旋链亚结构仅在沿着c发生了初始相位无序.而掺入离子的电子总自旋的不同使这种初始相位无序的程度不同.     

定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究

本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法；采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物NiAl和Co3Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化，据此解释了硼对Ni3Al和Co3Ti的晶界偏聚的特性和力学性能的不同影响。     

引晶技术在HgCdTe体单晶生长中的应用

本文论述引入籽晶技术定向生长ＨｇＣｄＴｅ体单晶，通过石英管相对于加热器的缓慢移动来使熔区移过均匀的合成锭达到晶体生长的目的。其结构完整性及组分均匀性得到改善，并且电参数优良。已制出多元光导及光伏器件。     

液晶衍射光栅模型研究

在液晶指向矢计算的基础上，本文得到了向列相液晶在电场下折射率分布和相位延迟。并在矩形光栅和正弦相位光栅的基础上，分析了液晶衍射光栅对入射光一级衍射情况及其衍射效率，得到了它的数学模型。     

液晶衍射光栅的理论分析

在液晶指向矢计算的基础上,得到了向列相液晶在电场下折射率分布和相位延迟。并在矩形光栅和正弦相位光栅的基础上,分析了液晶衍射光栅对入射光一级衍射情况及其衍射效率,得到了15°左右的衍射角,且衍射效率达到40%。     

借助高分辨电子显微像校正电子衍射强度的动力学效应

针对高分辨电子显微学和电子衍射相结合测定晶体结构的图像处理技术,提出了一种借助高分辨电子显微像来校正低散射角电子衍射强度动力学效应的新方法,将此法试用于Ｂｉ２（Ｓｒ０．９Ｌａ０．１）２ＣｏＯｙ晶体结构分析,结果说明此法有效。