60元3～5μmHgCdTe线列光导探测器

６０元３～５μｍＨｇＣｄＴｅ线列光导探测器徐国森（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文简单报导了研制的６０元ＨｇＣｄＴｅ（３～５μｍ）线列光导探测器的工作性能，探测器灵敏元面积为６０ｐｍ×１００μｍ，在７７Ｋ，平均峰值探测率为９．５×１０￣（１０...     

8—14μm多通道HgCdTe光导探测器

利用线性渐变滤光器与线列多元ＨｇＣｄＴｅ光导探测器组合，研制出８－１４μｍ长波多通道ＨｇＣｄＴｅ光导探测器，探测器光谱分辨率接近０．２μｍ。文中给出了多通道探测器光谱响应曲线，分析了多通道探测器的设计特性。     

180元HgCdTe线列器件的冷屏效应与背景限性能

从理论上分析了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列器件的冷屏效应，计算了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角（ＦＯＶ）及其在３００Ｋ背景辐射下的背景限探测率，并将实际的１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了比较，结果表明１８０元长波红外ＨｇＣｄＴｅ线列探测器的性能已经接近室温背景的理论极限．     

昆明物理研究所HgCdTe光导探测器的现状及发展

“七五”,“八五”期间,昆明物理研究所成功地研制和发展了ＨｇＣｄＴｅＳＰＲＩＴＥ探测器组件和多元短线列光导ＨｇＣｄＴｅ探测器组件,本文简要报道这两种探测器组件的现状和今后的发展。     

11.3μm~123μm对地观测用长线列阵探测器的新发展（上）

在科学对地观测度划的技术准备阶段,欧洲空间局（ＥＳＡ）已对将在低地球轨道卫生上使用的高分辨率热辐射计开展一些实验性工作。在吸取以前实验阶段的教训半考虑仪器原理改进因素的基础上,研制了一个用于１１．３μｍ～１２３μｍ范围的长波红外线列焦平面实验样件。该实验样年同两个像元间距为３０μｍ的２５６无ＨｇＣｄＴｅ模块构成,这两个ＨｇＣｄＴｅ模块是通过用机械方法对接后,再同四个路传输器间接混成的。由于焦平面处     

HgCdTe体晶的组份均匀性分析

利用ＳＰＲＩＴＥ探测器的截止波长研究了布里奇曼、Ｔｅ溶剂和固态再结晶３种方法制备的ＨｇＣｄＴｅ体晶组份的均匀性。实验结果表明：３种方法生长的ＨｇＣｄＴｅ晶片的组份均匀性大致相当。用任意一种材料研制的一个８条ＳＰＲＩＴＥ探测器,其任意２条的截止波长差不大于０．８μｍ的概率大于９８％。     

监视应用的高性能长波红外HgCdTe扫描焦平面列阵（上）

本文介绍用ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）制备的先进的扫描型长波红外（ＬＷＩＲ）焦平面列阵（ＦＰＡ）。该列阵包含一个与ＳｉＣＭＯＳ读出积分电路匹配的,由正面照射的平面型Ｐ型上为ｎ型的同质结二极管组成的列阵,在６５Ｋ下该列阵所测得的平均光谱截止波长为１０．８μｍ,平均量子效率为８７％,在６５和７８Ｋ温度下和无背景辐射条件下,焦平面列阵的峰值Ｄ分别超过９．３×１０＾１１和２．６×１０＾１１ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ     

长波光导HgCdTe探测器的输运特性

测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．探测器的性能与最大电阻温度有对应关系     

长波红外探测器线列生产的测试方法

本文详细描述长波红外ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）探测器线列生产的设计,制造和测试方法。     

金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的进展

回顾了金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的发展历程，简要叙述了ＭＯＶＰＥＨｇＣｄＴｅ薄膜的三种主要技术，与ＨｇＣｄＴｅ晶格匹配和失配的衬底材料，各种金属有机物源和掺杂研究的新近进展。还介绍了ＭＯＶＰＥ－ＨｇＣｄＴｅ薄膜和探测器目前达到的水平。大量结果已经表明，ＭＯＶＰＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜的质量适合于制造高质量的光伏型探测器，ＭＯＶＰＥ是一种原位生长先进的ＨｇＣｄＴｅ红外焦平面列阵既实用又富生命力     

多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价

讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ顺探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量器件性能参数的均匀性是不适宜的；根据分析结果提出了一个相应的评价参数。     

双色红外探测器的现状与发展

双色红外探测器是红外探测器发展的方向之一，现已有多种双色红外探测器投入使用。本文简要综述了国内外研制双色红外探测器的技术途径、现状和发展方向，从探测器材料看，多数采用ＨｇＣｄＴｅ或ＨｇＣｄＴｅ＋ＩｎＳｂ。从探测器光敏元的排列方式看，多数采用并列和上下重叠结构。从探测器的工作原理看，多数以光导和光伏模式工作。今后，双色红外探测器将继续向集成化、焦平面、大列阵、小型化和多色化等方向发展并获得更为广泛的     

长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析

从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。     

SPRITE探测器截止波长与HgCdTe材料组份的关系

根据探测器截止波长的变化,讨论和确定了ＨｇＣｄＴｅ材料组份的实际偏差量。从ＳＰＲＩＴＥ探测器截止波长的测量结果计算,对用布里奇曼、Ｔｅ溶剂和固态再结晶等三种体晶技术生长的长波ＨｇＣｄＴｅ材料,在１ｍｍ２的面积上,材料组份的偏差量均能优于±０．００１５ｍｏｌｅ,在１ｃｍ２的面积上,统计平均的组份偏差相应要增大约一个数量级。     

1024＊1024InSb列阵：设计,描述结果（上）

已经生产了７个ＡＬＡＤＤＩＮ（ＩｎＳｂ的高级大面积探测器发展计划）传感器芯片组件,现在还在生产别外９个传感器组件。在本文中,构们介绍了ＡＬＡＤＤＩＮ传感器芯片组件的设计,细节以及实测性能。ＡＬＡＤＤＩＮ传感器芯组件的面积超过７．５ｃｍ,这是当今正在使用的最大的单片红外列阵。它是一种通过铟丘使ＩｎＳｂ探测器与硅读出电路相连的混成式组件。这种大小的列阵能够制成,是因为ＩｎＳｂ探测器材料已被减薄到１０μ     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。目前的热点是ＨｇＣｄＴｅ和非致冷焦平面列阵。广阔的军事和民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。     

GaAs／GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨

通过长波ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统ＨｇＣｄＴｅ探测器的比较，直接地显示了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竞争力。     

第二代新型红外探测器阵列已批量生产

第二代新型红外探测器阵列已批量生产据法国Ｓｏｆｒａｄｉｒ（由法国国防部支持的一个红外探测器研究生产联合体）报导，他们已研制并批量生产第二代红外探测器阵列，并已用于装备美国军队的夜视仪。当前一般采用的ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器在芯片与硅处理电路间采用多通道...     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。