4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究．利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率f_T以内得到了较为满意的结果．分析了不同的栅长、栅漏间距、不同的沟道掺杂以及温度变化对SiC MESFET特征频率f_T的影响．     

功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解

采用非本征元件的本征元件参数函数的自变量的方法,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数,以场应应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得的了热场效应晶体管状态的本征元件值,该方法具有收剑快,精度高和效率高的优点,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中。     

半导体三极管的统一小信号跨导模型

本文为晶体管引入小信号跨导模型，从而使晶体管的小信号模型与场效应管的小信号模型取得一致，低频模型与高频模型获得统一，电路的分析和设计得到简化，缩短了半导体三极管电路的教学和学习过程。     

Si／SiGe／Si HBT直流特性的解析模型与模拟

在考虑了重掺杂效应、异质结构垒效应、各物理量随温度的变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后,对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟。给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ Ｇｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度ＪＣ的关系。研究了基区少子寿命对β的影响。模拟显示,Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ在电流和中等电流下有良     

横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响

为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.     

6H-SiC材料的氧化特性

研究了１０００～１２００℃温度下干氧和湿氧中６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化特性，讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系，实验结果表明，在相同的生长条件下，６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化层厚度远小于Ｓｉ的氧化层厚度，且遵循相同的生长规律。     

n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型

采用解析模型，对n型4H—SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算．结果表明：低温区，掺杂浓度较高时，中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大；高温区，电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制．此外，霍耳散射因子并不恒定为1，随着温度有一定的变化．研究还表明，施主浓度一定时，补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大．     

碳化硅晶体的可见近红外透射光谱分析

利用紫外可见分光光度计和红外光谱测量系统,在室温下分别测量了本征和掺氮6H-SiC单晶的可见和近红外透射光谱.由光谱分析可知,6H-SiC单晶在可见及近红外区是透明的,而掺氮导致SiC单晶在可见和近红外区都有吸收,掺杂还使得带隙变窄.利用透射光谱,得到6H-SiC单晶在可见和近红外区的色散关系曲线和色散方程.此外,对掺...     

MOSFET模型参数的全域优化提取

本文采用最优化方法中的 L-M 方法,对 MOSFET 直流模型参数进行优化提取。采用了亚闽区、线性区和饱和区直流特性作为目标函数,并且考虑源漏串联电阻对 MOS 直流特性的影响。本文对 MOS 输出特性关于串联电阻的灵敏度分析,说明在线性区考虑它们的必要性。文章最后给出了实测结果与提取参数计算结果的比较。     

4H—SiC肖特基势垒二极管伏—安特性的解析模型

在分析4H－SiC肖特基势垒二极管正向电流势电子发射理论的基础上，计算了肖特基势垒高度φeff和串联电阻Ron，通过对反向电流各种输运机制的分析，提出了一种计算反向电流密度的理论模型，计算结果与帝验数据的比较表明，隧道效应是反应电流的主要输运机理。     

随机分形信号参数的快速估计

从随机分形信息的分数差分方程入手,分析了随机分形信号分数差分后输出信号的归一化自相关函持性提出了彩和了分数差分结果的Ｋ步截尾特性作为测试表达式进行参数估计。该方法实质是寻找一分数阶因子,使随机分形信号通过分数并分后的输出信号最接近白噪声。     

考虑网侧控制的DFIG静态稳定分析及参数优化

目前大多数双馈机组静态稳定简化模型不考虑网侧控制的动态过程,事实上网侧控制会直接影响系统静态稳定分析的结果。建立了含网侧控制动态特性的DFIG小干扰数学模型,计算结果与PSCAD仿真曲线的Prony分析结果能够较好吻合,而忽略网侧控制的动态会遗漏部分主导模态,影响静态稳定分析的正确性。针对DFIG接入产生的弱阻尼主导振荡模态,利用灵敏度分析法找出了最相关参数并给出优化方案,提升了系统的静态稳定裕度。     

4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

基于4H-SiC材料参数，同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，建立了一套新型击穿解析模型．模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响．利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性．采用MNlTAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好．     

Research of Current Mode Atomic Force Microscopy (C-AFM) for Si/SiC Heterostructures on 6H-SiC(0001)

Si/SiC heterostructures with different growth temperatures were prepared on 6 HSiC(0001) by LPCVD. Current mode atomic force microscopy and transmission electron microscopy were employed to investigate the electrical properties and crystalline structure of Si/SiC heterostructures. Face-centered cubic(FCC) on hexagonal close-packing(HCP) epitaxy of the Si(111)/SiC(0001) heterostructure was realized at 900°C. As the growth temperature increases to1 050°C, the 110 preferred orientation of the Si film is observed. The Si films on 6 H-SiC(0001)with different growth orientations consist of different distinctive crystalline grains: quasi-spherical grains with a general size of 20 μm, and columnar grains with a typical size of 7 μm×20 μm. The electrical properties are greatly influenced by the grain structures. The Si film with 110 orientation on SiC(0001) consists of columnar grains, which is more suitable for the fabrication of Si/SiC devices due to its low current fluctuation and relatively uniform current distribution.