微剂量及微剂量辐射效应

介绍发生在分子水平的原发辐射效应,射线能量在微组织水平的沉积,次级电子微剂量效应在细胞损伤中的作用,以及基因微剂量效应对细胞存活的影响,为定量描述各种微观辐射效应,更加准确认识和理解低剂量辐射诱导的各种生物效应,科学评估低剂量辐射的健康危害,引出微剂量和微剂量事件等术语和概念。     

电离辐射旁效应对辐射防护的影响

电离辐射旁效应的发现对辐射致癌危险性的线性无阈模型及辐射防护措施提出了新的挑战,其研究已成为放射医学领域的热点。本文以辐射旁效应为主线,介绍了其致癌危险性;结合其在航天航空、放射诊疗等方面的具体情形,介绍了辐射旁效应及远位旁效应的研究进展,以及可能的防护措施。     

辐射变色薄膜电子高剂量计的一般特性

研究了PC-85辐射变色薄膜测量电子吸收剂量的一般特性。测定了光吸收谱,光密度变化与膜厚度呈线性关系的范围,单位厚度的本底光密度分布,测量电子剂量的分散性,存放时环境因素对本底和照后光密度的影响,响应充分建立所需条件及光照效应等。该剂量计特别适合于辐射加工中的剂量测量。     

受辐射肝癌细胞所诱导旁效应与p53的关系

通过检测受照射细胞及与其共培养旁细胞的损伤情况及p53抑制剂对其的影响,研究了肝癌细胞辐射敏感性及辐射诱导的旁效应与p53的关系.发现肝癌细胞的辐射敏感性与p53密切相关:野生型p53辐射敏感性最高,突变型的次之,缺失型的敏感性最低.同时,辐射诱导的旁效应与p53状态亦密切相关,仅野生型p53肝癌细胞(HepG2)对旁细胞(chang氏肝细胞)具有旁效应,且未受照射旁细胞中产生的微核具有明显的剂量效应和时间效应;而突变型(PLC)和缺失型(Hep3B)的肝癌细胞几乎不能诱导辐射旁效应的产生.另外,p53抑制剂可显著抑制辐射旁效应的产生.     

MOSFET辐射效应测试装置的研制

为进行金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的单粒子翻转、烧毁截面、栅穿、闭锁等辐射效应的研究,研制了MOSFET辐射效应的测试装置.记述了利用该装置在252Cf源、激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上进行的MOSFET的辐射效应实验.     

利用TDPAC方法研究电子对金属的辐射损伤

核辐射能使固体晶格损伤,引起其电磁学、光学及力学参量的改变。在某些金属表面通过带电粒子辐射或离子注入,可提高材料的抗腐蚀性能、抗氧化性能和耐磨性能。一些半导体材料,通过重离子或中子辐射,可产生一种新的杂质元素,这种方法成为制备半导体器件的新工艺。所以对辐射损伤及其变性的机理研究很有价值。现在国际上正采用各种方法,如扰动角关联、电子显微镜、沟道效应、穆斯堡尔效应、中子散射及正电子湮没等方法,企图从不同的侧面来揭示辐射损伤的微观特性。     

美国核管会为何根据线性无阈值理论制订法规

【美国《核新闻》2001年6月刊报道】 目前通用的辐射防护标准是建立在这样一个假设基础上的:任何辐射,无论其剂量多么微小,都将造成人体损伤性的健康效应,如癌症。目前假定接受辐射剂量的大小和健康效应的程度成正比,即加倍的辐射剂量将导致加倍的健康效应。 人们关于人体辐射健康效应的知识大部分来自于对广岛和长崎原子弹爆炸幸存者的研究。为人体辐射健康效应的研究提供了重要数据的其他人群则是一些治疗中的病人,绝大部分数据是有关高辐射剂量或高剂量率所导致的健康效应。大量有关人体、动物及细胞的辐射效应的研究使线性无阈值(LNT…     

辐射防护的生物学基础--辐射生物效应

人类必须研究电离辐射的生物效应，以保护其自身及其它物种免受电离辐射的有害影响，同时在应用中最大限度地获取利益，辐射生物效应，作为辐射防护的生物学基础，一直受到国内外辐射防护界的极大关注。本文就辐射防护密切相关的辐射随机效应，辐射致癌概率，小剂量照射效应及组织权重因子等进行简要讨论。     

电子束固化环氧树脂混合体系的研究

对几种环氧树脂混合体系的电子束固化进行了研究。比较了环氧８２８、６４８、２０７树脂及其混合体系的辐射效应。分析了树脂配比及辐射剂量对环氧８２８／６４８树脂混合体系的影响；测试了不同树脂配比的环氧２０７／６４８树脂混合体系辐射产物的性能。结果表明，环氧树脂的化学结构、空间效应以及结晶性等其辐射效应有很大影响，通过不同环氧树脂的配合，可以改善体系的辐射固化效果，减少辐射剂量，提高辐射产物的性能。     

光子和电子辐射外照射剂量当量的测定

光子和电子辐射外照射剂量当量的测定１引言多年以来，剂量当量就是辐射防护中的基本量。然而，在什么条件下来测定剂量当量却一直意见不一。１９７７年国际放射防护委员会（ＩＣＲＰ，１９７７）建议，对随机性效应的剂量限值应基于有效剂量当量ＨＥ来制定。国际辐射单位...     

Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布

对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性.     

GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。     

基于Geant4-DNA工具包的单能电子微剂量学模拟研究

应用Geant4－DNA工具包分析和评估了不同物理过程影响因素对低能电子在液态水中的影响,为建立放射治疗与辐射防护所关心的微剂量学基本数据库提供理论支撑。在最新版本的Geant4中,Geant4-DNA工具包中共有7个物理模型可模拟电子在液态水中的输运。根据不同模型的特点,本文选择其中5个适用的模型来模拟单能入射电子(0.1～20 keV)在液态水中的输运过程;比较各模型记录的径迹结构具体信息,包括相互作用过程总次数、电离和激发次数及相应沉积能量占比等;分析Geant4-DNA选项模型、抽样位点小球半径及相互作用过程等因素对线能均值的影响。模拟结果显示:“option0”与“option2” 之间、“option4”与“option5”之间的模拟结果基本吻合;由于各个模型相互作用截面的不同,“option2”、“option4”和“option6”的径迹信息及线能均值均存在差异;模型对线能均值的影响随着抽样位点小球半径的增大而减小。本工作通过设置不同输运控制条件较全面地比较了Geant4-DNA工具包中的不同选项模型,对用户根据需要选择合适的模型模拟单能电子有帮助和指导作用,为完善电子在液态水中的微剂量学数据库并用于评估电离辐射在微观尺度的生物学效应提供依据。     

低能电子束循环辐射硫化天然橡胶乳液

应用250keV低能电子束循环辐射硫化二丙烯酸壬酯（1,9-nonanedilo diacrylate，NDDA）敏化的天然橡胶乳液，探讨了影响低能电子束循环辐射硫化天然橡胶乳液的因素。结果表明，提高电子束束流，可缩短辐射硫化时间；40％的天然橡胶乳液更适合低能电子束的辐射硫化；适当提高循环乳液的重量有利于辐射硫化乳液的质量控制。     

Angular distribution of radiation by relativistic electrons in a thin crystal

The results of theoretical investigation of angular distributions of radiation from a relativistic electron passing through a thin crystal at a small angle to the crystal axis are presented. The electron trajectories in crystal were simulated using the binary collision model which takes into account both coherent and incoherent effects at scattering. The angular distribution of radiation was calculated as a sum of radiation from each electron. It is shown that there are non-trivial angular distributions of the emitted photons, which is connected to the superposition of the coherent scattering of electrons by atomic rows (“doughnut scattering” effect) and the suppression of the radiation due to the multiple scattering effect (similar to the Landau–Pomeranchuk–Migdal effect in an amorphous matter). The orientation dependence of angular distribution of radiation is also analyzed.     

DZ-12/4多能量档电子直线加速器辐照关键参数测试

中国原子能科学研究院建立了一台DZ-12/4多能量档电子直线加速器,该装置主要用作辐射加工级电子束辐照实验平台。为了检测该电子束辐照实验平台辐照工艺控制参数,本文利用中国原子能科学研究院FJL-02型辐射变色薄膜剂量计对DZ-12/4多能量档电子直线加速器关键参数能量进行了测量,并对研制的束流监测系统法拉第筒的可靠性进行了验证。结果表明,DZ-12/4多能量档电子直线加速器能量在4~12 MeV范围可调,运行参数准确可靠;日常运行中,加速器运行人员通过监测设备和调节加速器参数可有效控制并估计辐照剂量,具有非常好的实用性和简便性。     

剂量增强效应简介

本文介绍了剂量增强效应的起因、定义以及器件和电容器的剂量增强效应;提供了一般电子系统中使用的器件在X,γ射线环境中的剂量增强系数参考数据,有较宽的适应范围。     

基于气体电子倍增器原理的高能X射线工业CT气体探测器

分析了高能X射线工业CT所常用的闪烁探测器的优缺点,及传统气体电离室探测器存在的不足。为克服这些缺点和不足,从X光子与物质相互作用理论出发,结合高能工业CT的结构特点,探讨了高能窄X射线束入射到薄金属片中X光子和光电子的输运过程,提出了以高密度的金属片作为X光子辐射转换体,以气体电子倍增器作为光电子倍增放大的新型高能工业CT探测器方案。并利用基于Linux平台的EGSnrc程序进行了Monte-Carlo仿真。从原理上说明了这种气体倍增探测器相对于传统气体电离室探测器,既有较高的探测效率,其体积也大为减小,替代高能工业CT传统的闪烁体探测器在理论上是可行的。     

Terahertz Plasma Waves in Two Dimensional Quantum Electron Gas with Electron Scattering

We investigate the Terahertz(THz) plasma waves in a two-dimensional(2D) electron gas in a nanometer field effect transistor(FET) with quantum effects, the electron scattering,the thermal motion of electrons and electron exchange-correlation. We find that, while the electron scattering, the wave number along y direction and the electron exchange-correlation suppress the radiation power, but the thermal motion of electrons and the quantum effects can amplify the radiation power. The radiation frequency decreases with electron exchange-correlation contributions, but increases with quantum effects, the wave number along y direction and thermal motion of electrons. It is worth mentioning that the electron scattering has scarce influence on the radiation frequency. These properties could be of great help to the realization of practical THz plasma oscillations in nanometer FET.