基于化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3的全息存储系统

以K_2O为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法成功地生长出近化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3(Mg:Fe:SLN)晶体.测量了晶体的紫外吸收光谱及响应时间,且和同成分Fe:LiNbO_3(Fe:CLN)晶体作了比较.结果表明,Mg:Fe:SLN晶体更适于作为全息存储器来应用.针对全息存储中固有的高原生误码率问题,采用快速响应矩阵码(QR)编码技术对原始数据进行编码,缓解了对系统设计和部件质量等方面的压力.以Mg:Fe:SLN晶体作为存储介质,构建了体全息存储系统,将QR码编、译码技术用于包含音频和视频的多媒体数据的全息存储,重构数据能成功回放.     

Mg:Ce:Fe:LN晶体的生长及位相共轭分析

在Ce:Fe:LN中掺进不同摩尔分数(0,2%,4%,6%)的MgO首次以提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体,并对晶体进行极化、氧化和还原处理。测试晶体的吸收光谱和光损伤阈值。Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收光谱吸收边相对Ce:Fe:LN晶体发生紫移。Mg:Ce:Fe:LN晶体光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体增大,研究了Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收边移动机理和光损伤阈值增加机理。采用4波混频光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率和响应时间,Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率相对Ce:Fe:LN晶体降低,但响应速度增加。以x(Mg)2%(摩尔分数):Ce:Fe:LN晶体位相共轭镜消除信号光波的位相畸变。     

Nd:MgO:LiNbO_3光波导的制备及其特性

一、引言 目前,LiNbO_3是集成光学系统中使用较为广泛的衬底材料。自从Zhong等人首次报道了掺MgO的LiNbO_3晶体具有抗光损伤效应以来,MgO:LiNbO_3晶体在集成光学系统中得到了越来越广泛的应用。而质子交换MgO:LiNbO_3波导具有比纯LiNbO_3质子交换波导高的抗光损伤能力。把具有较好激光性能的钕离子掺入LiNbO_3中就能制成波导激光器。     

Cr4+:YAG晶体在固体激光器中的应用研究

Cr4 :YAG晶体具有良好的物理化学性质 ,其在激光器的研究中有着十分重要的作用 ,这篇文章第一次全面概括了Cr4 :YAG晶体在固体激光器中的三种应用。Cr4 :YAG晶体既可作为调Q晶体用于其它固体激光器中 ,用来改善输出激光的性能 ,同时它也可作为激光增益介质 ,制作成宽带可调谐的激光器系统 ,用于光纤通信技术、量子通信、光电子器件等等当中。     

Nd~(3+):YAG晶休微区发光的研究

Nd~(3+):YAG晶体是近一、二十年来十分受人重视和应用较广泛的红外激光材料。但由于Nd~(3—— YAG单晶生长工艺复杂,很多因素会导致晶体产生缺陷,影响了晶体的光学质量。本工作是通过SEM-CL方法对Nd~(3+):YAG晶体的生长条纹进行分析研究。用提拉法生长的Nd~(3+):YAG晶体由于生长过程中某些因素的影响,会使晶体产生生长条纹,生长条纹可反     

中红外Fe:ZnSe激光技术最新研究进展

3~5 m中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe:ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe:ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe:ZnSe激光技术的发展历程和最新研究进展,指出制备高光学质量的Fe:ZnSe晶体和研制3 m波段高效、高能窄脉冲泵浦源是发展实用室温Fe:ZnSe激光器当前面临的挑战。并对实现室温高能、高功率Fe:ZnSe激光的关键问题进行了讨论。     

高浓度Yb:YAG及YbAG晶体的生长、光谱性能

应用中频感应提拉法成功生长出高浓度(原子数分数0.50)Yb:YAG晶体以及YbA15O12 (YbAG)激光晶体,X射线粉末衍射(XRPD)结果表明晶体的结构和Y:Y3Al5O12(YAG)相似.研究了室温下,晶体的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命,并且比较了与低浓度Yb:YAG晶体的光谱参数.结果表明,高浓度Yb:YAG及YbAG晶体足有前途的高功率激光增益介质.     

Ce:Mn:LiNbO_3晶体光折变效应及应用

铌酸锂晶体非线性光学系数大,易于掺杂并能保证较高的光学质量,所以仍然是目前应用较广的光折变材料之一。本文报道铈锰双掺铌酸锂(Ce:Mn:LiNbo_3)的晶体的光折变效应及其在二波耦合和实时全息关联存储中的应用,并对实验结果进行了讨论和     

LiNbO3:Fe:Rh晶体近红外非挥发全息记录

采用双中心记录方案在双掺杂LiNbO3:Fe:Rh晶体中实现了近红外非挥发全息记录,研究了LiNbO3:Fe:Rh晶体在633 nm,752 nm,799 nm波长下的全息记录性能.结果表明,在使用近红外记录光时,其记录灵敏度随敏化光强的变化趋势与双中心短波长记录时的不同.通过和LiNbO3:Fe:Mn等传统双掺杂铌酸锂晶体的近红外波段记录效果对比,发现同时掺杂Fe和Rh可增强晶体对近红外光的吸收,获得更高的浅中心Fe光生伏特系数,从而能够在LiNbO3:Fe:Rh晶体中实现近红外波段的光折变全息记录.     

快速InP:Fe光导探测器

最近,人们对亚毫微秒载流子寿命光电导体用作快速光电探测器产生了兴趣。这种器件在应用中受到限制主要是由于减少了载流子寿命,同时也缩短了寿命时间。高速光电导体的潜在优点是:有高的电流响应;有大的动态范围;有内光导增益;制作简单。据最近报导,InP:Fe光电导体响应速度高的原因是由于半导体晶体内的复合机构,因而也直接与晶体中Fe的浓度有     

CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究

本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光全息存储性能的研究

采用提拉法生长了In:Fe:Cu:LiNbO3晶体,测试了晶体的紫外可见光谱、红外吸收光谱。利用二波耦合方法测试了晶体的响应时间、最大衍射效率、计算晶体的光折变灵敏度。结果表明,随In3+离子浓度的增加,在In3+浓度较低时,In:Fe:Cu:LiNbO3晶体紫外可见光吸收边发生紫移,而红外吸收峰3 482cm-1位置基本不变,但浓度达到阈值时,紫外可见光吸收边相对于低浓度发生红移,而红外吸收峰向高波数方向移动;In3+浓度增加时,响应时间变短,最大衍射效率下降,晶体存储灵敏度提高。     

背冷式方形Nd:GdYO4微片激光器的热效应

以半解析热分析理论为基础,研究了超高斯分布激光二极管(LD)端面抽运背冷式方形Nd:GdVO4微片晶体的热效应.通过对激光晶体工作特点的分析,建证热模型,利用新的热传导方程求解方法,得出了背冷式方形Nd:GdVO4微片晶体内部温度场、热形变场的半解析计算表达式.研究结果表明,当使用输出功牢为700 W的LD(超高斯阶次为4)端面中心入射背冷方形Nd:GdVO4晶体(晶体掺钕原子数分数为1.2%)时,在抽运端面中心获得69.6℃最高温升和74.1 nm最大热形变量,与实验结果一致.得出的方法可以应用到其他激光晶体热问题研究中.     

近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体的非挥发全息存储

为了研究近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体的非挥发全息存储固定,测试了晶体的光谱特性,发现近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体较同成分Ce:Fe:LiNbO3晶体的红外透射谱变窄,峰值位于3466cm-1处;而紫外光谱发生紫移。并采用单、双光子存储方法进行了理论分析和实验验证。结果表明,单光子照射实验中,用汞灯预照晶体比不用汞灯预照的衍射效率要高;而双光子存储的性能参量明显优于单光子存储的性能参量。     

LD端面抽运变导热系数Nd:YAG晶体热效应

为了计算二极管抽运Nd:YAG晶体温度场及热形变场,建立了端面绝热、周边恒温的晶体热模型。基于Nd:YAG晶体导热系数及热形变系数与其温度的函数关系,应用Newton切线法对热传导方程进行求解,得到了变导热系数和变热形变系数矩形截面Nd:YAG晶体端面抽运下的温度场和热形变场的一般表达式,同时计算了Nd:YAG晶体在不同抽运功率和抽运光斑半径下内部温度场和热形变场的分布变化。结果表明,使用钕离子质量分数为0.01、尺寸为3mm×3mm×8mm的Nd:YAG晶体,在功率为60W、光斑半径为450μm的抽运光照射下,变导热系数的Nd:YAG晶体端面最大温升为55.7℃,最大热形变量为2.85μm,而按传统将Nd:YAG晶体导热系数、热形变系数均视为定值时,晶体端面最大温升为43.4℃,端面最大热形变为2.84μm。     

双端偏心抽运矩形截面Nd:GdVO4晶体的热效应分析

以解析分析为基础,研究矩形横截面Nd:GdVO4晶体受高斯分布半导体激光双端面偏心入射时温度场以及抽运面热形变分布情况.得出了矩形截面Nd:GdVO4晶体的温度场分布和端面热形变场通解表达式,同时对影响激光晶体温度场分布的各种因素进行了定量研究.并对偏心度对热形变影响的规律进行了研究.由于双端偏心抽运是对于激光二极管端面抽运激光情况的一般讨论,所以更切合实际.这种方法还可以应用到其他激光晶体热问题研究中,为有效解决激光系统热问题提供了理论依据.     

温梯法生长优质Nd:YAG晶体

随着Nd:YAG晶体的广泛应用,要求晶体具有良好的光学均匀性,合适的钕浓度和一定的尺寸,而片状激光放大器要求提供大直径的片状Nd:YAG晶体。 目前Nd:YAG激光器件所用的晶体捧主要从引上法生长的晶体毛坯中获得,但由于引上法工艺条件的限制,难以获得直径大而均匀性好的晶体。     

改善YAG:Nd晶体光学质量的研究

一、引言掺钕YAG:Nd晶体是目前国内外广泛使用的固体激光器的工作物质。它是四能级工作,具有阈值低、效率高等优点。多年来晶体生长工作者采用不同方法来提高YAG:Nd晶体的光学均匀性,改善YAG:Nd晶体激光性能。作法有两种。第一,改善晶体生长工艺。第二,在YAG:Nd晶体中掺入起敏化作用离子,或掺入尺寸补偿离子。例如:在YAG:Nd晶体中掺入Cr、Mn等离子起敏化作用,借此来改善YAG:Nd晶体的激光性能。在晶体YAG:     

Ho:GGG晶体的生长和光谱性质

文献〔1〕报导,已在Ho:GGG晶体中实现了激光振荡,在低温时的输出波长为1.2085μm,1.4040μm和2.0885μm,在室温时输出为2.96μm。由于2.96μm的波长处于大气窗口,因而引起了人们的关注。我们在生长GGG晶体基础上,试长了Ho:GGG晶体,测了Ho在GGG晶体中的分凝系数、吸收光谱和荧光光谱。一、晶体生长生长Ho:GGG晶体所用的原料为Gd_2O_3(99.95％)和Ga_2O_3(99.999％),掺质原料为Ho_2O_3(99.95％)。按分子式Ho_xGd_(3-x)G_(a5)O_(12)配料,其中x=0.24,即Ho离子进入晶体后取代Gd离子,Ho离子与Gd离子的比为8:100,合成重量百分比为3.90％。用高频感应加热提拉法在铱坩埚中生长晶体,提拉速度为4mm/h,晶体转速为50转/min。生长成的晶体略带茶色。晶体的开始生长部份和结尾部份没有明显的颜色差别。为了确定晶体中Ho的实际含量和晶体中Ho含量的