几种典型衬衫袖衩的缝制工艺及结构参数探讨

袖开衩是衬衫长袖款袖口部位的开衩。袖开衩有功能性作用,同时也有美观装饰作用。衬衫款式不同,袖衩的形状,长短及封口线距尖的长度也必须作相应的调整。本文介绍了几种典型外形袖衩的缝制工艺及各种袖衩开衩线长度的计算方法。     

一种衬衫过肩工艺模板的设计

在模板缝制工艺技术中,最核心的问题就是模板的设计.在分析衬衫过肩缝制工艺的基础上,研究了过肩工艺模板化的方法,通过与传统工艺的对比阐述了模板技术的优势.     

一种基于遗传算法的细胞神经网络模板设计算法

细胞神经网络（CNN）设计的关键是找出其模板参数（Cloning template），所提出一种基于遗传算法的细胞神经网络模板设计算法，经实验证明是可行的。     

男式衬衫的计算机辅助工艺规划

开发服装CAPP技术,阐述了服装CAPP技术的系统构成,分析了男式衬衫CAPP系统的工作过程,并对男式衬衫CAPP系统的应用进行了研究．     

一种新型永久性模板的研制

介绍了作者自行的一种新型，经济的钢丝网混凝土薄板模板。还论述了钢丝网混凝土薄板用作混凝土浇模板的必要性，可行性和可靠性。     

一种基于CMOS工艺的掩模ROM设计

介绍了一种基于0.25μmCMOS工艺的128 Kbit掩模ROM设计,对ROM的结构和各模块进行了详细分析,研究了灵敏放大器的工作机理和结构,设计了一种新颖的灵敏放大器,使ROM的访问速度得到了有效的提高。     

女装袖型设计及配袖要点探讨

根据影响袖型功能的袖窿条件,即袖窿深决定袖山高、窿距决定袖肥,袖窿弧长与袖山容量关系密切,提出先研究衣身与衣袖的平衡关系、袖窿形态与衣袖造型的关系、袖型与袖窿弧长的关系,然后根据袖窿形态配制合适的袖型。衣袖的"三势"(前势、弯势、扣势)是将普通合体袖型转化为高级袖型的关键。     

一种砷化镓工艺的双向真时延芯片设计

采用0.25 μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/ Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具有较高的延时量,并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小。延时芯片的工作带宽为6~18 GHz,可实现3位延时,最小延时步进为15 ps,最大延时范围为106 ps。仿真结果表明,其具有相对较低的插入损耗8.1 ~ 15 dB,且损耗随时延的波动小于±2 dB。芯片尺寸为1.91 mm²,群时延均方根误差小于10 ps,回波损耗大于15 dB,直流功耗为110 mW,输入1 dB压缩点大于7 dBm。     

一种基于CMOS工艺的差分低噪声放大器设计

研究低噪声放大器(LNA)的结构以及性能参数,采用电路仿真软件ADS(Advanced Design System)设计一个基于台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺的2.5GHz差分低噪声放大器。通过在输出端增加共源极的优化方法,对其进行电路结构的改进,得到一个高性能的实用低噪声放大器,并利用版图软件CadenceVirtuoso对其实现版图设计。     

羊腿袖的纸样与工艺剖析

对羊腿袖的基本款和几组不同的变化袖型进行纸样和工艺分析,认为在符合人体基本活动机能的情况下,袖型的装饰性能与结构的展开量、多种衬垫材料及工艺手段密切相关.为了体现不同的外形效果,选用的面料也可以用多层复合、上浆等方法进行再处理.     

一种用于贝尔模板图像压缩的算术编码器

针对贝尔模板图像的预测编码问题,设计了一种高效的自适应算术编码器.通常,贝尔模板图像的预测误差满足拉普拉斯分布,为了降低估计预测误差概率的计算复杂度,按照最小均方误差准则对预测误差进行了分类量化,并建立了相应的概率查找表,概率值仅需要保留3位有效值.实验结果表明：提出的算术编码器比Golomb熵编码方法具有更高的效率.     

一种基于Word自定义模板的文档管理模式

在对现有信息系统中文档生成和管理方法存在问题分析的基础上，针对企事业单位大量文档管理与信息系统有限模板之间的矛盾，提出了一种基于Word自定义模板的文档生成和管理模式．首先对基于Word的模板存储结构的设计、模板的自定义及其管理进行详细描述；然后对基于模板的文档生成方法和文档存储结构进行了介绍；最后采用对象分类技术，实行了文档的动态分类管理．根据上述思想的文档管理方法在律师事务所信息系统案件文档管理中得到了应用，方便了各类案件文档的管理，提高了信息系统的灵活性和管理效率，取得了比较满意的效果．     

一种简单的模板法制备聚苯乙烯纳米管

为了制备具有高强度聚苯乙烯纳米管及其阵列结构，以孔径仅有200nm的阳极氧化铝为模板，采用聚合物溶液浸润模板这一简单的物理技术，成功制备了具有常规相对分子质量的聚苯乙烯纳米管及其阵列。SEM和TEM测试结果表明：聚苯乙烯质量分数分别为2．5％，5．0％和10．0％的聚合物溶液可以制得管壁厚度分别为50nm，70nm和80nm的纳米管。可知聚合物溶液浓度是影响纳米管结构的主要因素之一。计算可知：聚苯乙烯质量分数为10．0％的聚合物溶液完全充满纳米孔时，溶剂挥发后高分子链沉积在孔内壁上形成纳米管的管壁厚度约为5nm。由此推断出聚合物溶液浸润阳极氧化铝模板的过程反复多次进行，并归纳出溶液浸润模板制备聚合物纳米管的多次浸润机理。     

男衬衫设计与消费行为的调查分析

分析了男村衫的设计要素以及影响男衬衫消费行为的咀素，在此基础上进行了男衬衫设计与消费行为的问卷设计与调查，对调查结果进行统计分析，探讨了当前男衬衫的设计要点和市场拓展的思路，为产品设计与开发以及市场拓展提供参考。     

一种用AutoLISP语言开发工艺设计专家系统的方法

ＣＡＤ、ＣＡＰＰ和ＣＡＭ并行设计就是在设计过程中随时对设计的中间结果给出设计合理性及加工可行性评价。微机ＣＡＤ多采用ＡｕｔｏＣＡＤ软件开发,而工艺设计和加工可行性评价通常采用专家系统。用ＡｕｔｏＬＩＳＰ语言开发面向并行设计的专家系统,从而使ＣＡＤ、ＣＡＰＰ和ＣＡＭ集成在同一软件环境下。提供了一种用ＡｕｔｏＬＩＳＰ语言开发工艺设计和加工可行性评价专家系统的方法,给出了一组用于推理的基本函数。     

男衬衫过肩工艺动作分析及优化

男衬衫工艺中过肩工艺是非常重要的环节,为了简化服装厂实际男衬衫缝制工艺,充分利用工时,研究以缝制男衬衫过肩工序为例对缝制工艺动作进行细分,根据动作分析兼顾效率的原则,对男衬衫过肩缝制工艺进行分析,并得出男衬衫过肩缝制工艺的优化工艺．     

一种适用于小尺寸工艺的SRAM单元设计

最近研究表明,静态存储器(SRAM)功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,功耗问题在SRAM单元设计中成为一个日益重要的问题。提出了一种新的纳米级的高稳定性和低功耗应用技术,采用该技术的SRAM单元采用分开的读写机制。65nm CMOS工艺的仿真结果表明,此新型的SRAM单元结构在保证正确的读写操作下,在写0操作时功耗比传统的SRAM单元降低22.45%。同时,此新型SRAM在空闲模式下利用漏电流和正反馈存值,极大地提高了SRAM单元的稳定性,改善了纳米尺度下SRAM单元的功耗问题。     

一种蜡防印染废水处理工艺的设计及运行

根据蜡防印染废水的水质特性,采用"生产废水分流预处理+微电解+水解酸化+接触氧化+活性炭过滤"的工艺处理技术。运行结果表明:对于处理成分复杂,含有大量蜡质、色度高、波动大、难降解组分变化大的蜡防印染废水,该工艺具有处理效果稳定、操作方便等特点,出水水质稳定且优于"太湖区域城镇污水处理厂及重点工业行业主要污染物排放限值"。     

一种基于模板匹配的远场畸变校正方法

在激光照射性能监测系统跟踪移动目标采集远场图像过程中,由于受主光轴入射角度、相对位移等因素影响,导致所摄图像会产生一定程度的畸变。为了校正图像畸变,提出一种基于模板匹配的远场畸变校正方法。首先制作四个靶板角点模板,利用模板匹配算法跟踪识别畸变图像的靶板角点;依据相机成像模型计算出理想靶板角点的像素坐标;根据四对靶板角点,利用透视投影模型求解畸变校正系数,从而实现对图像的畸变校正。实验表明,该方法可以对远场畸变图像进行有效校正,具有实验条件要求低、校正精确、处理速度快等优点,为激光照射性能监测系统提供了准确的图像信息,在实际工程中具有重要意义。