CMOS峰值检测电路

采用差动运算放大器加电流镜的方法,设计了一种CMOS峰值检测电路,包括峰值电压检测及输入信号过峰时刻甄别两部分.该电路设计基于0.5μm CMOS工艺,实现对峰值电压范围为0～5V,脉冲宽度1～5μs的准高斯信号的精确检测,误差小于6mV。另外,改进了过峰时刻甄别电路,采用了先微分再过零比较的办法,避免了一个准高斯信号输出多个峰值电压.     

CZT探测器低噪声读出电路设计

采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了CZT探测器低噪声读出电路链和一款多通道能量读出ASIC,该电路将应用于8×8 CZT像素探测器的能量读出.给出了系统框图及低噪声能量读出电路链,分析了低噪声技术策略.实验结果表明,能量分辨范围为20 keV～4 MeV,等效噪声电荷(ENC)小于150个电子,电荷转电压增益为9.2 V/pC,非线性度小于3％,多通道串扰小于10个电子,满足设计需求.     

一种X线探测器信号采集电路的设计

该文利用a-Si PIN结构X线平板探测器设计对应的信号采集电路,读出经由探测器阵列感测到的模拟信号并转化为数字信号供后续处理。用德州仪器成熟的商用芯片,经过电路设计、PCB制作实现硬件部分。控制代码使用VerilogHDL硬件描述语言编写,通过Modelsim软件仿真,最后利用Quartus II软件综合、布局布线,使用AlteraCycloneIV系列现场可编程门阵列(FPGA)实现信号输出从而控制信号采集电路的运行。最终实验与测试验证了电路的功能,成功获取X光的模拟和数字信号。验证了电路的功能,并为低剂量X光探测器信号的采集提供了一种设计参考。     

一种CMOS欠压保护电路的设计

本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果.此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护.     

一种CMOS锯齿波振荡电路的设计

以比较器为核心电路,并采用恒流源充放电技术,设计了一种基于1．2μmCMOS工艺的锯齿波振荡电路,并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence SpectreS仿真工具对电路进行了仿真模拟,结果表明,锯齿波信号的线性度较好,同时在电源电压5．0V左右,信号振荡频率变化很小;在27℃到55℃的温度范围内,信号振荡频率变化也很小。可见在适当的电源电压和温度变化范围内,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。     

一种CMOS锯齿波振荡电路的设计

以比较器为核心电路,并采用恒流源充放电技术,设计了一种基于1.2 μmCMOS工艺的锯齿波振荡电路.并利用Cadence SpectreS仿真工具对电路进行了仿真模拟,结果表明,锯齿波信号的线性度较好,同时其信号振荡频率随电源电压的变化和温度的变化很小,性能良好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中.     

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

多色探测器列阵的设计和研制

1引言高性能传感器的应用需要多色红外焦平面.高性能传感器需要的是能在中波红外/长波红外和长波红外/甚长波红外波段中覆盖人们所关心的各种波长的多色焦平面列阵.HgCdTe探测器工艺在这方面已获得了显著的进步.与使用多个单色红外焦平面列阵相比,使用一个双色红外焦平面列阵的成像系统更加简单可靠,其重量更轻,功耗更小,价格也更便宜.     

一种CMOS智能温度传感器前端电路的设计

设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测器件提供精确的偏置电流;通过自稳零放大器对检测到的微弱电压信号进行放大。整个电路基于上华0.6μm CMOS工艺实现,采用Hspice工具进行仿真。仿真结果表明,该电路检测温度范围从-55℃到125℃,检测精度在1℃以内。     

一种CMOS标准单元库的评估电路设计

介绍了一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ标准单元库评估电路的设计思想, 分别就单元延迟参数、扇出延迟特性、线负载延迟特性、触发器延迟特性、最高振荡频率等参数设计了相应的测试链, 给出了评估电路总的结构形式和版图。     

CMOS反相器辐射加固电路设计

针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟.模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能.     

一种新型的CMOS电流转换电路的设计

提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数依赖性较低，适用于以电流模式工艺的烽模混合电路。     

热释电探测器外电路的抗干扰设计

通过对激光光斑测量热释电探测器外电路的研究,结合热释电探测器的工作原理,深入分析了出现干扰的原因,并设计出热释电探测器的抗干扰外电路.试验验证了该电路既可以减少光热电转换中的干扰,又能够提高信号输出幅度和信噪比,从而提高了系统的测量精度.     

CMOS工艺下的温度检测电路的设计

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。     

CMOS VLSI ESD保护电路设计技术

本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析,介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路,以及采用周密的版图布局布线技术,可实现良好的ESD保护性能。     

一种高精度CMOS带隙基准电路的设计

采用ASMC0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿。通过对其进行仿真验证,当温度在-40～125℃和电源电压在1.6～5V时,输出基准电压具有3.68×10-6/℃的温度系数,Vref摆动小于0.094mV;在低频时具有-114.6dB的PSRR,其中在1kHz时为-109.3dB,在10kHz时为-90.72dB。     

BST红外探测器阵列像元信号检测电路设计(英文)

针对铁电材料BST的电容在直流偏场下电性能随温度变化,设计了一种用来检测微小差分电容的电路。采用性能、形状较为一致的BST铁电陶瓷单元电容器配对结构,以电脉冲的方式读取不同温度下材料的充放电电荷数,从而探测辐射到铁电材料上的红外信息。实验结果与理论分析较为吻合,中心频率10Hz、带宽2Hz、放大倍数9000倍。这种BST红外探测器阵列像元信号检测电路具有抗寄生电容干扰强、灵敏度高、容易实现、成本低等优点。改进该探测电路,有望开发出结构简单、性能优良的新一代红外探测器。     

一种高性能CMOS带隙电路的设计

文章提出一种CMOS带隙参考源（BGR）电路设计，它可以在很宽的电压范围内有效的工作，能够在12．8V，10V范围内实现稳定工作，抗干扰能力强，结构相对简单，由CMOS运放，二极管以及电阻组成，用常规的0．6um CMOS工艺制作，在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2．75V，完全能够满足锁相环设计的要求。     

Design Considerations for an Ordnance Circuit Stray Energy Detector

The purpose of this paper is to acquaint the reader with the basic considerations involved in designing instrumentation to detect stray energy levels in ordnance circuits. In addition, it introduces various techniques that, when properly adapted to each specific application, will enable an accurate evaluation of noise levels at high frequencies.