烧成温度对Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－pb（Zn_（1／3

研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的增大；利用显微结构结构观察分析了上述结果。     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

低温烧结Ph(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而MgF2和硼硅玻璃助烧的PZN复相陶瓷可保持两相共存．以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有X7R温度稳定特性的PZN基复相陶瓷．     

PHASES AND PROPERTIES OF SYSTEM Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3—PbTiO_3 —Ba(Ti(0.85)Sn(0.15))O_3

本文合成并研究了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15))O_3(PZN-PT-BTS)陶瓷的晶相组成及其介电、压电和铁电性能。Sn~(4+)离子的存在,使PZN-PT-BTS 陶瓷晶粒难以具有完全的钙钛矿结构。微量焦绿石的存在,对其电性能的影响并不很大。PZN-PT-BTS 具有良好的介电、压电和铁电特性。     

具有过量PbO的Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—PbTiO3系陶瓷的相结构和介电性能

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能，在（１－ｘ）ＰＺＮ－ｘＰＴ（０．１＜ｘ＜０．２）系陶恣体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能。当ＰＴ的摩尔浓度为１４－１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性及仍随频率变化而弥散。     

Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15)O_3陶瓷的晶相组成与电性能

本文合成并研究了 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15))O_3(PZN-PT-BTS)陶瓷的晶相组成及其介电、压电和铁电性能。Sn~(4+)离子的存在,使 PZN-PT-BTS 陶瓷晶粒难以具有完全的钙钛矿结构。微量焦绿石的存在,对其电性能的影响并不很大。PZN-PT-BTS 具有良好的介电、压电和铁电特性。     

铁电陶瓷/铁氧体复合材料的相结构与介电性能

研究了铁电陶瓷/铁氧体混合烧结体的相结构与介电性能。在900℃制备出铁电陶瓷/铁氧体复合材料,该复合材料是介电材料相与铁氧体材料相共存的复相陶瓷。铁电陶瓷/铁氧体复合材料的介电性能在低温区域主要是介电材料相起作用,而铁氧体材料主要在高温部分对复合材料的介电性能起作用。采用两相混合分布的介电常数计算公式拟合了复相陶瓷的介温曲线,并提出修正指数因子α和β,建立修正方程。      

三维连通网络陶瓷的电磁特性Ⅱ电磁参数的影响因素

通过对具有不同骨架L径、陶瓷浆料组分在不同温度下烧结的三维连通网络陶瓷的电导率和电磁参数的测量,研究了对这种网络结构材料电磁参量的影响因素.结果表明,当三维连通网络陶瓷的电导率为10-4＜σ＜101S/cm时,其电损耗及感应磁损耗较大.三维连通网络陶瓷在高温下有较大的介电损耗特性,使其成为耐高温电吸波材料的理想选择.     

高介电性能的陶瓷-聚合物复合材料的研究现状

在材料研究领域中,具有电学性能的陶瓷／聚合物复合材料是一种新型的复合材料,其中具有高介电性能的陶瓷／聚合物0-3复合材料以其广泛的应用前景已经引起人们极大的关注。文中介绍了具有高介电性能的陶瓷／聚合物复合材料的介电理论模型及其制备方法,概述了国内外的研究现状及应用,并且对未来的发展趋势做了展望。     

三维连通网络陶瓷的电磁特性Ⅰ网络结构特性

分别用矩形谐振腔微扰法和波导传输线法测量了三维连通网络陶瓷及其同质粉末压片的电磁参数的温度特性和频率特性。结果表明，无论是磁性还是非磁性三维连通网络陶瓷在较宽的温度范围及整个测试频段内都比其同质粉末具有更大的电磁损耗，这种损耗差异来自它的三维连通网络结构特性，三维连通网络结构使材料电损耗的增加远远大于磁损耗的增加，三维网络陶瓷的这一特点，为研制兼具耐高温，宽频，廉价于一身的结构吸波材料提供了新思路。     

半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和 N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K     

PZN-PMN-PT陶瓷的介电、压电性能

研究了 Ｐ Ｚ Ｎ Ｐ Ｍ Ｎ Ｐ Ｔ 陶瓷的介电、压电性能． 在 Ｐ Ｔ 物质的量分数为２３ ％ 附近存在一个准同型相界, 在此附近的配方具有较好的压电、介电性能． 热处理后, 材料的压电、介电性能均有较大的提高, Ｋｐ 从４１ ％ 提高到５１ ％ , ｄ３３ 从３１９ｐ Ｃ／ Ｎ 提高到４１８ｐ Ｃ／ Ｎ, 而相对介电常数由１００１０ 提高到１４２１０     

高介电性能的陶瓷－聚合物复合材料初探

研究了用高介电性能的陶瓷材料（ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＴｉＯ２）与聚合物材料（聚苯乙烯、氯化聚乙烯）进行不同形式的复合，发现随陶瓷体积分数的变化，复合材料的介电系数呈线性关系变化。同时发现采用溶液聚合法比简单共混的效果好，对陶瓷材料的比较发现，表面处理后的ＢａＴｉＯ３与苯乙烯进行溶液聚合得到的复合材料具有较低的介电损耗和在高频下仍能保持较高的介电系数的性能。     

BaTiO3陶瓷墨水的制备和性能

制备了喷射打印用BaTiO3陶瓷墨水，研究了墨水的理化性能。结果表明，在固相含量一定的条件下，BaTiO3陶瓷墨水的分散稳定性随分散剂PAA加入量的增加而增大，存在一个与固相含量有关的分散剂的最佳加入量，墨水的粘度随固相含量的增加而增大。     

Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／