量子点标记及其在植物细胞生物学中的应用

量子点是一种直径在1-100 nm,能接受激发光产生荧光的半导体纳米晶粒,由于其独特的物理、化学特性,在生物学中的应用不断扩大。本文介绍了量子点的合成及功能方面的进展,同时也对其在细胞生物学中的应用进展,特别是对其在植物细胞生物学中的应用进行了评述。此外,对量子点在单分子检测、高分辨率细胞成像及活体动态长时追踪方面的应用前景进行了展望。     

GaAs／AlAs量子阱在电场下的量子限定Stark效应

本文从单带双谷模型出发，使用隧道谐振方法研究了GaAs/AlAs量子阱在电场作用下的量子限定Stark效应。计算了电子和空穴能级的Stark效应，讨论了各种不同状态所产生的不同的Stark效应，在此基础上研究了一些特殊结构量子阱中的能带混和效应，即r-X混和效应，最后论述了电场作用与量子阱中电子状态之间的相互关系。     

一种基于量子细胞自动机的三维量子细胞神经网络

以量子细胞自动机为神经元,提出了一种三维的量子细胞神经网络结构;该量子细胞网络包含上下两层的量子细胞自动机阵列,并引入了A模板、B模板以及阈值的概念.以量子细胞自动机的极化率为像素值,通过选择不同的模板、阈值等参数.使得量子细胞神经网络实现了"与"、"或"、"非"操作以及边缘提取等图像处理功能,并利用MATLAB进行了仿真验证,数值仿真结果验证了其在图像处理上的有效性.与传统的细胞神经网络相比,量子细胞神经网络易于实现超大规模且具有超低功耗、超高集成度等优点.     

不同形状量子阱的量子限制效应

采用差分法求解有效质量方程，考虑轻重空穴的混合效应及应变效应，对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了比较。在阱宽相同的条件下，方阱有最大的限制能力，但抛物阱和三角阱有更平坦的态密度曲线，使得以抛物阱和三角阱为有源区的激光器和半导体激光放大器可以有较低的透明电流密度。同时价带子带的耦合强烈改变了跃迁矩阵元，这对量子阱的增益特性会产生影响。     

考虑量子效应的MOS器件表面势模型

介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。     

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

DNA激光损伤与细胞遗传学效应

本文对ＤＮＡ激光损光伤的分子机理及其致突变效应进行了综述。这对激光在生物和医学中的应用及其危害性的研究具有重要意义。     

人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用

应用前馈神经网络解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型.此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程.首先以此方法解具有Morse势函数的Schrodinger方程来验证此方法的精度,然后,以此方法解Schrodinger方程和Poisson方程的近似模型--三角势阱模型.该方法易于实现,便于扩展到二维模型,方便模拟.     

人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用

应用前馈神经网络解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型.此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程.首先以此方法解具有Morse势函数的Schro¨dinger方程来验证此方法的精度,然后,以此方法解Schro¨dinger方程和Poisson方程的近似模型——三角势阱模型.该方法易于实现,便于扩展到二维模型,方便模拟.     

考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明：源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重.     

平面栅静电感应晶体管阻断状态解析模型

给出的这一解析模型,是在合理近似基础上,通过求解二维Poisson方程获得的。其计算值与数值模拟结果相符,而且该模型也是分析平面栅静电感应晶体管特性的基础。     

双极模式静电感应晶体管特性分析

在新的阻断状态全解析模型基础上,结合已有的理论成果,全面分析了双极模式静电感应晶体管(BSIT)的静态、动态和温度特性,并在分析中更加明确地论证了势垒钉扎等问题,为BSIT的设计提供了理论依据。     

高压半导体器件电场的二维数值分析

利用作者们开发的有限元二维分析程序对高压半导体器件的电场分布进行了模拟分析.给出了这类器件中有离子注入、场板和栅极延伸等终端结构时的电场分布;根据模拟结果得出突变平面结表面电场的近似公式,将此公式与圆柱坐标对称解和计算机模拟结果进行了比较.     

电磁场中带电粒子的量子遂穿效应

具有一定能量E的电子(Ea,x相似文献   

双注入结型场效应管的电流-电压特性

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。     

MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应.根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子.由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子.     

CdS半导体非线性吸收中的电场作用

在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.     

基于肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管

由于具有独特的一维纳米结构、稳定的化学特性和优异的电学性能,单壁碳纳米管被认为是制作高性能电子器件以及下一代纳米电路的理想材料,作为新型基础电子元件的一种,碳纳米管场效应晶体管一直是研究的热点。研究了一种基于非对称肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管,金属钯与金属铝分别作为电极材料制作出的碳纳米管场效应晶体管分别表现出p型和n型的导通特性,当这两种金属分别作为源、漏电极制作在单根半导体性单壁碳纳米管的两端时,便构成了非对称肖特基接触结构碳纳米管场效应晶体管。器件表现出了优良的整流特性,整流比达到103,在栅压的调控下,正向电流的开关比接近103。     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件

提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。