基于DSP控制的微弧氧化电源主电路设计

根据微弧氧化(Micro Arc Oxidation,简称MAO)工艺要求,设计了基于DSP控制的MAO电源主电路.前级为三相半控整流结构,通过控制晶闸管的导通角实现电压幅值调节;后级两只大功率IGBT轮流导通与关断,实现频率、占空比调节.经测试证明.该电路输出波形符合设计要求,能够满足MAO电参数的需求.     

双向不对称脉冲电源实现电路的设计

针对一新型表面处理工艺,设计了一种符合工艺要求、可输出双向不对称脉冲的高压脉冲电源实现电路。该电源的脉冲幅度、脉冲频率、脉冲占空比均可在一定范围内连续可调,并为此设计了以单片机为核心的智能控制电路。为保证控制电路在电源中可靠工作,采取了一些抗干扰措施。     

一种高频群脉冲电解加工电源的研究和开发

介绍了一种高频群脉冲电源的设计原理和提高电源可靠性的方法，并详细讨论了IGBT的过压和过流保护技术。功率开关器件IGBT的门极控制信号通过光纤传输，极大地避免了环境噪声的影响，提高了IGBT的关断控制精度，从而获得了良好的信号输出。调试表明，该电源结构合理、稳定可靠。     

大功率铝氧化脉冲电源设计

介绍了用于铝氧化生产的叠加直流成分大功率脉冲电源的设计方法,在选用大功率器件时所需要考虑的问题,以及工业生产应用时,在设备可靠性方面所采取的技术措施和工艺措施。     

组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性

提出了一种新型MOS控制晶闸管,即组合式绝缘栅双极晶体管(CIGBT),它通过在公共的n阱和P阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成.而n阱和P阱可产生一个特有的自箝位特征,可保证阴极免受任何过电压的冲击,进一步改善了其安全工作范围.仿真实验结果证明,CIGBT可大大改善IGBT的通态特性和开关性能.     

IGBT在大功率脉冲激光器中的应用

介绍为单只４×６５Ｐ型高压脉冲氙灯工作所设计的ＩＧＢＴ开关电源。文中叙述了各部分的构成和工作原理，给出了实验波形．主电路采用谐振工作方式减小了ＩＧＢＴ的开关损耗，控制电路采用全数字控制方式提高了整个电源的抗干扰能力。实际运行表明，该电源抗干扰能力强、可靠性高、工作稳定，证明了ＩＧＢＴ能够在很恶劣的工作环境中使用．     

基于Marx电路的固态高压脉冲电源设计

针对高压脉冲放电和低温等离子体应用的要求,设计了一种基于Marx电路的高重复频率的固态高压脉冲发生装置。该脉冲电源利用Marx电路电容并联充电、串联放电的原理,选取绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为放电开关,控制电路的模态切换。Marx主电路由84级单元组成,每级单元包含IGBT开关管、快恢复二极管和储能电容。实验结果表明,在输入电压为480 V直流电压,并且在300 Hz的频率下,该电源可以产生幅值为20 kV、脉宽为500 ns的高压脉冲,满足设计要求。     

1500A高频开关型起动电源

介绍了1500A高频开关型起动电源的一些关键设计、计算以及提高电源可靠性的经验措施。     

双极性微弧电沉积电源系统研制

为满足微弧氧化和阴极微弧电沉积两种涂层制备工艺的共同需求,设计了一种双极性直流脉冲电源系统,该电源系统由主回路和控制系统组成,主回路采用两级结构,前级为三相全桥整流部分,包括三相全桥晶闸管整流电路及其触发电路,输出连续可调的直流电压;后级为逆变电路,包括全桥逆变电路,驱动电路以及脉冲波形发生器的设计,保证输出频率、占空比可调的双极性脉冲波形;控制系统采用双闭环结构,内环为电压环,外环为电流环,采用PI控制算法,实现恒流、恒压控制.     

IGBT高频开关电源的故障分析及处理

IGBT高频开关电源以其一系列优点,一经问世就在整个电镀行业得到了广泛应用.但该电源的缺点是IGBT模块容易损坏,目前的一些IGBT保护方案仅停留在理论阶段.针对一家电镀企业的大功率高频开关电源屡损IGBT进行了长期跟踪调查.通过对IGBT高频开关电源的主板DC/AC电路和驱动电路的深入研究,进行了故障排查及处理.     

感应加热电源中IGBT并联控制方式研究

在感应加热电源中采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)并联扩容时,有并行控制和分时控制两种控制方式,前者已被广泛采用,而后者很少提及.分析表明,采用分时控制不仅能彻底解决并行控制所无法解决的并联IGBT间的电流分配不均衡问题,还能减小IGBT的损耗,提高电源输出功率.给出了采用分时控制时IGBT的工作频率及电流容量选取原则.以半桥串联谐振电路为试验平台,CM75DY-24H为测试对象进行了试验.当输入功率为6 kW时,采用并行控制的输出功率约为采用分时控制的92%,实验结果验证了理论分析的正确性.     

大功率交流斩波器的研究与开发

针对大功率交流斩波器产品开发中出现的问题,通过仿真和实验分析并验证了不同负载条件下的运行特性,改进了电路拓扑,优化了调制方法.实验结果表明,额定功率为1 kW的样机运行稳定,满足各项性能指标要求,在照明节能等方面具有良好的应用前景.     

中子管离子源高压脉冲电源

介绍了一种基于脉冲频率调制(Pulse Frequency Modulation,简称PFM)技术的数控高压脉冲电源.它利用PFM调制电路对输出电压进行调整和稳压,由单片机控制输出电压的脉宽,具有功耗低,体积小,重量轻,绝缘性能好等特点,而且输出高压在1.5～2.5kV连续可调.对具有高可靠性的过流保护电路进行了设计研究,在保证安全性的同时,满足了中子管性能检测系统中对离子源的供电需求.     

新型高功率高重复频率脉冲电源研制

介绍了一台适用于某强流电子束加速器的高功率、高重复频率脉冲电源,其基本电路采用三相半波整流构成直流电源,利用LRC直流谐振充电原理实现脉冲电源的重复频率运行。     

一种中大功率IGBT数字驱动器设计

目前工程中使用的中大功率IGBT驱动器大都采用模拟电路实现的无源电阻性门极控制方案.针对这些驱动器产品存在的缺陷,提出以FPGA为核心,利用数字技术实现可分级控制的有源门极驱动方案,并论述了该数字驱动器的结构及各部分的工作原理与作用.该驱动器能利用全面的IGBT状态检测电路、多路故障检测和保护电路,使IGBT开关过程得...     

大功率IGBT在固态脉冲调制器中的应用

介绍了感应叠加型大功率同态脉冲调制器;使用3.3kV/800A绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为调制器组元电路开关,设计了大功率固态脉冲调制器用3.3kV/800A IGBT的驱动和保护电路;给出了相关的实验波形.     

脉冲电源中高压硅堆保护的研究

阐述了导致高压硅堆损坏的原因,并对其导通前后的电路特征和过渡过程进行了分析.根据二阶系统特性,提出采用缓冲电阻的方法来抑制工作放电中出现的冲击电压和冲击电流,防止硅堆损坏.由于缓冲电阻增人了系统的阻尼比,因此有效地抑制了系统振荡,保护了硅堆.同时,仿真和实验验证了高压硅堆损坏原因分析的正确性.     

高功率脉冲电源的研制

高功率脉冲磁控溅射以其高离化率、高薄膜性能等特点得到广泛关注.介绍了高功率脉冲电源系统的原理和研制,提出了基于全桥逆变、电容储能、均流斩波等环节实现电源的方案,分别阐述了主回路、控制系统、保护电路的设计思路.电源系统采用全桥逆变实现初级能源,电容储能实现中间能源,均流斩波实现功率输出,单片机和SG3525实现控制部分....