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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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一、MPEG-1和MPEG-2简介 MPEG-1制定于1992年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ISO/IEC11172中。可适用于不同带宽的设备.如 CD-ROM、VCD、CD-i,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。MPEG-2制定于1994年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视(SDTV)和高清晰度电视(HDTV)在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从3Mbit/s-100Mbit/s,标准的正式规范在ISO/IEC13818… 相似文献
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HDTV声音编码技术(下)门爱东,全子一,蔡朝晖三、MUSICAM环绕声系统 ̄[7][8]自1989年以来,ISO和IEC成立了一个MPEG专家组,制定了大家熟知的MPEGl(ISO11172)、MPEG2(ISO13813)标准,其中包括声音编码。... 相似文献
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在对兼容性没有任何要求的条件下,ISO/IECMPEG-2先进音频编码(AAC)系统使ISO/IECMPGE-2编码具有最好的音频质量,叙述了AAC系统(ISO/IEC13818-7)的主要特点,MPEG-2AAC把高分辨率滤波器组,预测技术,霍夫曼编码的编码效率和其他功能结合在一起,可以在数据率可变的情况下,传输品质极高的音频。 相似文献
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《电子工业专用设备》1996,(2)
NEC开发出了0.07μm线宽的CMOS大规模集成电路NEC开发成功了16GDRAM千兆位的动态存储器工艺需要0.07μm的线宽,NEC制成了在1.SV电压和低持续电流条件下延迟时间为16.7PS的超高速动态存储器。该成果是在去;年6月召开的VISI... 相似文献
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雷卡1X-AIME(Air Interface Monitor/Emula-tor)系统是专门为手机的cdmaOne及 cdma2000 1X信令测试而设计的,广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持,是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前,1X-AIME系统可支持cdmaOne+cdma2000的标淮,包括:IS95A、IS95B、J-STD-008、ARIB-T53、KOREAN 800MHZ、KOREAN PCS、IS-2000 1X等,并且兼容CDG22、CDG53及CDG57的第二阶… 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(4)
NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM据ISSCC’95的发表内容,NEC、日立已经在世界上率先开发了1GDRAM。NEC开发的1GDRAM的特点是,采用0.2μm电子束曝光技术和钽氧化膜低温(500℃)工艺技术以0.25μmCMOS工艺,存贮单... 相似文献
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国产大屏幕遥控彩电的维修(下)杨国安,周康生(十)AV故障飞跃牌时OG型彩电具有人V彩色双制式;P*卜DK、NTSC-M制的解码电路和控制电路。两种制式彩色电视信号系统的区别如丧4所列。表4两种制式电视信号的比较图1;1为AVI.AVZ彩色多制式系统... 相似文献
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介绍基于Motorola PowerPC芯片MPC860Sar的应用开发板,ATM接口卡及实时多任务操作系统pSOS+,以ATM论坛MPOA1.0协议标准为基础,采用面向对象的系统设计方法,开发出MPOA1.0协议软件。其低层的局域网仿真层由同期开发的LANE2.0软件实现。 相似文献
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1 MPEG-2标准简介MPEG是活动图像专家组的英文缩写。它成立于1998年,现在属于国际标准化组织(ISO)和国际电工委员会(IEC)信息技术委员会第29研究组的第11工作组,其全称是:ISO/IEC/JTCI/SC29/WG11。MPEG-2标准在1993年11月汉城会议后,形成了委员会文件草案。1996年1月通过为国际标准,编号为ISO/IEC13818。它作为一种信息技术标准,规定了数字化活动图像和附带音频信号的一般编码方法,主要有4个部分:13818-1系统,规定了系统编码层的技术要… 相似文献
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采用多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出多晶硅栅器件,其中N+栅NMOS管的阈值电压为0.45V,P+栅PMOS管的阈值电压为-0.22V,在1V和5V电源电压下多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。 相似文献