ASIC单元库建库方法的研究

介绍了ＡＳＩＣ单元库的含义,阐述了建立ＡＳＩＣ单元库的一般方法,基于ＣＯＭＰＡＳＳ的建库工具Ｍｅｒｃｕｒｙ,阐述了建立参数库的技术,并简单介绍中典型的ＡＳＩＣ单元库及应用情况。     

砷化镓ASIC电路实用库的研究

本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．     

I~2L单元的建库技术

叙述了Ｉ２Ｌ的基本结构及原理，提出了Ｉ２Ｌ单元的建库方法，包括逻辑符号库、版图库、功能参数库的建立三部分内容，提出了常规逻辑图到Ｉ２Ｌ逻辑图的转换法则，以Ｄ触发器为例说明了Ｉ２Ｌ单元的建库过程。     

一种CMOS标准单元库的评估电路设计

介绍了一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ标准单元库评估电路的设计思想, 分别就单元延迟参数、扇出延迟特性、线负载延迟特性、触发器延迟特性、最高振荡频率等参数设计了相应的测试链, 给出了评估电路总的结构形式和版图。     

一种CMOS标准单元库的评估电路设计

介绍了一种ＣＭＯＳ标准单元库评估电路的设计思想,分别就单元延迟参数、扇出延迟特性、线负载延迟特性、触发器延迟特性、最高振荡频率等参数设计相应的测试链,给出了评估电路总的结构和版图。     

减小CMOS逻辑器件的△I噪声的方法

通过确定ＣＭＯＳ逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系,得出设计ＣＭＯＳ逻辑器件的各种参数以减小△Ｉ噪声,从电磁兼容的角度提出了设计ＣＭＯＳ器件的方法。     

ASIC单元库建库方法的研究

介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。     

利用COMPASS软件的AutoSpice进行逻辑参数提取

本文简单介绍了ＣＯＭＰＡＳＳ软件的ＡｕｔｏＳｐｉｃｅ工具，给出了利用该工具进行逻辑参数提取的一般过程．各有关文件并给出一些实例。     

对称三值电流型CMOS电路设计

本文应用开关信号理论，建立了采用对称三值逻辑的传输电流开关理论，该理论能指导从开关级设计对称三值电流型ＣＭＯＳ电路。应用该理论设计的对称三值电流型ＣＭＯＳ电路不仅具有简单的电路结构和正确的逻辑功能，而且能处理具有以向特性的信号。     

Lattice pLSI系列器件与AMD MACH系列器件的比较

本文对Ｌａｔｔｉｃｅ公司ｐＬＳＩ／ｉｓｐＬＳＩ １０００系列高密度可编程逻辑器件和ＡＭＤ公司ＭＡＣＨ１００／２００系列ＰＡＬ器件作了简要的比较。Ｌａｔｔｉｃｅ公司和ＡＭＤ公司都是可编程逻辑器件的重要生产厂家，本文对Ｌａｔｔｉｃｅ的代表产品ｐＬＳＩ／ｉｓｐＬＳＩ１０００系列高密度可编程逻辑器件和ＡＭＤ公司的代表产品ＭＡＣＨ１００／２００系列，ＰＡＬ在以下几个方面进行了比较：（１）逻辑块的尺寸；（２）     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

根据概率分布建立有源器件的统计模型

给出一种新的统计模型的建立方法。在有源器件物理模型的基础上，通过优化物理模型参数的均值和均方根，使所建立统计模型的Ｓ参数在各个频率上的概率分布逼近测量数据的概率分布。从建立微波ＭＥＳＦＥＴ统计模型的算例结果看出，本方法不仅能比较好地拟合样本Ｓ参数的概率分布，而且提高了计算效率。     

CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计

本文对ＣＭＯＳ集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述，包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等，使工艺评价ＰＣＭ和可靠性评估ＲＥＭ测试结构发展成为工艺监测、工艺控制和可靠性评估的实用技术。     

使用智能库源缩短开发周期

本文主要介绍了缩短产品设计开发周期的一种方案，即使用基于可编程逻辑的智能库源。     

指导nMOS数字电路元件级设计的开关信号理论

本文指出了布尔代数在指导数字电路设计中的不足，并在区分描写开关状态与信号的二类变量的基础上建立了能反映数字电路内开关元件与信号相互作用过程的开关信号理论。本文把该理论具体用于对ｎＭＯＳ数字电路的研究，结果表明该理论可很好地指导ｎＭＯＳ数字电路在元件级的逻辑设计。     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

一种新的参数化标准件库开发技术

一、引言 建立参数化标准件库是一项重要的CAD应用软件二次开发工作,但传统的参数化建库多是建立在编程的基础上,用复杂的程序来描述参数化图形,不仅工作量大,开发周期长,而且往往要准备大量的具有严格数据格式的专用数据文件,给标准件库日后的扩充和维护都带来了很多困难。 本文所介绍的开发工作是在一种新型CAD软件平台Sigraph-Design之上展开的,方案充分利用了该平台现有的功能。     

用于协议一致性测试序列生成的状态规范化算法

这篇论文提出了一种方法，把ＥＦＳＭ描述协议的广泛性和ＦＳＭ测试序列生成方法的成熟性有机的结合起来，较圆满地解决了测试序列的可执行性、观察性、控制性问题，同时兼顾了数据流和控制流的全面测试。这种方法是基于两边靠拢的思想，一方面将非确定性的ＥＦＳＭ向确定性的ＤＦＳＭ规范化，另一方面修改ＦＳＭ的测试序列生成算法，使之能够同时测试数据流，也即能够处理输入、输出原语的参数问题。在本文中讲述了第一步的工作，提出了由ＥＦＳＭ到ＤＦＳＭ的规范化算法和其概念的严格定义，建立了用于算法描述和实现的ＥＦＳＭ向图概念。同时选择了一个较能完全体现ＥＦＳＭ特点的Ｑ．９２１协议讲述了其实现     

一种标准单元库的自动仿真验证方法

提出了一种针对标准单元库中单元逻辑功能进行自动仿真验证的方法,验证了55 nm标准单元库中单元逻辑功能的正确性。该方法能自动提取设计文档中的单元逻辑,根据提取结果中输入端的数量自动生成测试向量,并以此测试向量生成参考逻辑值,整个过程只需0.708 μs。采用仿真工具对标准单元库文件进行仿真,将得到的仿真值自动与参考值对比,验证了库单元逻辑的正确性,提高了标准单元库功能验证的效率。     

一种改进的微波MESFET模拟器

本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波ＭＥＳＦＥＴ模拟器，它不仅可以模拟器件物理参数变化对ＭＥＳＦＥＴ特性（如等效电路元件、Ｓ参数、电流－电压特性）的影响，而且亦可以模拟ＭＥＳＦＥＴ特性随温度变化的情况。