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介绍了一种应用于 P 波段,具有输出增益可调的固态发射机.它是建立在其他输出功率可调发射机的基础上,运用了输入功率相位可调,输出功率矢量合成的原理.文中首先分析了其技术指标、系统组成和工作原理.发射机可工作于最大脉宽 300μs,最大占空比 15%.在无相位差的条件下,可获得 4.5 kW 的峰值功率.通过调节前级放大器中的移相器的相位,输出端可获得 20 dB 的动态增益范围.实际测试数据与理论数据基本一致. 相似文献
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结合发射机工作的特点,重点介绍了由微波晶体管放大器-栅控行波管放大器-前向波管放大器构成的固态调制发射机的可靠性,尤其值得提出的是,在前向波放大器的可控硅调制器中,其快速保护器具有下列特殊功能即复载短路或开路时的快速保护,无高频激励的快速保护以及线型调制器人工线脉宽的快速转换。在栅控行波管放大器中的快速链锁保护装置,它不仅可保证栅控行波管的加电顺序,而且还能实现故障保护。在控保系统中采用矩阵式数字电路,大大简化了逻辑电路的设计。另外还有一个突出的特点是,在修改保护功能或增加任何数量的保护功能时,不必修改逻辑电路,这些都大大提高了放大链发射机的可靠性。 相似文献
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前向波放大管是一种低电压、高效率、低噪声、可瞬时启动的正交场放大器,本文介绍了一种S波段低电压宽频带前向波放大管的模拟设计。从慢波结构色散特性、驻波系数、插入损耗等方面讨论了单螺旋耦合翼片慢波结构;定性分析了正交场器件冷启动技术,重点介绍前向波管冷阴极启动性能、阴极材料以及目前技术水平,并讨论了前向波放大管可以低电压工作的主要原因;在理论分析的基础上,建立了S波段前向波放大管仿真模型,通过优化设计了S波段低电压宽频带前向波放大管,在工作电压9.8 kV、工作磁场0.32 T的条件下,当激励功率为3 kW时,阳极脉冲电流小于12.0 A,输出脉冲功率超过60 kW,效率大于50%,增益大于13 dB,相对带宽超过10%。 相似文献
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S波段4kW超大功率连续波发射机 总被引:1,自引:0,他引:1
利用通道功率合成技术原理,采用魔T这一大功率器件,可以在射频通道上合成更高功率。文章给出一种两级合成的四管发射机组成方案,并利用三个魔T,对四只S波段放大器进行两级功率合成,成功获得4~5kW的连续波超大功率。由于采用了精密的幅相均衡技术,发射机的两级合成效率极高,在全频段内均达到77%以上。 相似文献
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结合现代雷达发射机工作的特点,较详细地介绍了可编程控制器的特性和在发射机中的应用,结合微波晶体管放大器-栅控行波管放大器-前向波管放大器构成的放大链,介绍了一些特殊的保护技术。 相似文献
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介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电路的电源抑制比;采用伪AB类输出级提高运放的瞬态响应,稳定运放输出。仿真结果表明,该电路具有良好的性能:增益为113dB,相位裕度为67°;单位增益带宽为1.9MHz,共模抑制比为160dB,电源抑制比为82.7dB;共模反馈环路增益为120dB,相位裕度为62°。 相似文献
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声学界无人不知的"胆石之争",即电子管功率放大器("胆机")与晶体管功率放大器("石机") 孰优孰劣,孰长孰短之争.熙熙攘攘十多年,至今仍余音绕耳.公婆各执一端,似乎谁也不服对方.按说只要有一个明确的争论点,自然就会有个水落石出之日,然而目前胆石之争却仍难解难分. 相似文献
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报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6~18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300~450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。 相似文献
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A low-current-drain low-noise amplifier suitable for long-life implanted transmitters is described. Frequency-response curves are given that show how to tailor the response. A voltage-controlled oscillator (VCO) suitable for connection to an RF transmitter is also described. 相似文献