世界最高速16M SRAM

世界最高速１６ＭＳＲＡＭ据日本《电子材料》杂志１９９３年第４期报道，日本索尼公司已研制成世界最高存取速度９ｕｓ的１６ＭｂＳＲＡＭ。这种ＳＲＡＭ在电路内进行信号放大的读出放大器中，采用了输入阻抗小的反馈式电流读出放大器，并可用作高速存取。以前的ＳＲＡＭ...     

16M 低功耗SRAM

<正> 据《Semiconductor World》2002年 Vol.21,No.24上报道,日立制作所推出了存取时间为25ns 的16Mb低功耗 SRAM[HM62V16102I]、[HM62A16102I]系列产品。该系列产品是首批采用0.13μm 工艺的产品,     

日本三菱电机公司成功地研制出最高速SRAM

日本三菱电机公司成功地研制出最高速ＳＲＡＭ日本三菱电机公司采用最新０．４μｍ的工艺，成功地研制出２５６ｋ位高速ＳＲＡＭ和１Ｍ位的高速ＳＲＡＭ，且已在市场上出售。一般，ＣＭＯＳ结构的ＳＲＡＭ在３．３Ｖ电压下，存取时间为１５ｎｓ，存取时间在１２ｎｓ以下的...     

32M虚拟SRAM

据《Semiconductor World》Vol.20,№.9上报道,东芝公司发表了一种32M 的虚拟 SRAM(Pseudo SRAM,以下简称为 PSRAM),型号为 TC51W3216XB。该 PSRAM 是一种结构单元类似于 DRAM,与外部之间的接口结构又与 SRAM 相同的存储器,它即具有 DRAM 的高集成化、大容量化特点,又兼具 SRAM 的高速度、低功耗的优点。采用0.175μm CMOS 工艺,待机时的电流为70μA,数据存取时间达到80ns。现已有样品出售,从2001年8月份开始可月产10万个。另外,64M PSRAM 也正处于开发之中,预计9月份可出样品。     

世界最高速硅电路

<正>据日本《O Plus E》1992年第157期报道,德国鲁尔大学和西门子中央研究所已共同研制成具有世界最高开关速度的硅电路,可望应用于未来的光通信网络。这种装置包括如下电路:(1)最高传输速度为12 Gbit/s,可供电流为40mA的激光驱动器;(2)最高速度为30～32Gbit/s的多路转换器和信号分离器(图略);(3)最高传输速度为22Gbit/s的判定电路。 目前,正在研究开发10Gbit/s传输速度的新一代光通信系统,而鲁尔大学和西门子共同开发组已成功地做到这一点。从技术上讲,在几年前,接收电路高速化仅仅考虑采用GaAs等化合物半导体,而随着硅技术的发展和实现最佳电路技术的成熟,越来越被人们重视,现已实现0.8μm的硅双极技术。由于这些晶体管是以目前已批量生产自对准双层多晶硅晶体管的技术为基础,故截止频率为25GHz。用该晶体管制作的IC可用于高频通讯机。     

世界最高速MOS晶体管

据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶体管具有下列特性：（1）在1．5V低电压下，有世界最高的跨导，为1010mS／mm。（2）在0．5V低电压下，具有860ms／mm高跨导。通常，为实现低功耗的LSI而采用低电源电压，在低压下，降低了晶体管的电流驱动能力，而使LSI的工作速度下降。该晶体管在3．3V的电源电压下，与目前商品化的钟频为200MHz的最先进的MPU（跨导ZOOms／mm）相比，即使在低电压下也具有高跨导，因此，在1．5V低电压驱动下，也…     

世界最高速光电开关的开发

世界最高速光电开关的开发位于日本茨城县筑波市的工业技院电子技术综合研究所开发出了据称开关时间为５７０ｆｓ的世界最高速的光开关（奥斯顿开关），见附图。他们使用了扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）来进行微细加工的技术。到今天为止的纪录是美国明尼苏达大学所创造的８７...     

世界最高速激光激励IC

<正>据《O Plus E》1989年第120期报道,日本电气公司已开发世界最高速激光激励IC,直接调制振荡波长1.55μm的激光二极管,首先成功地通过光纤进行10 Gbit/s的超高速传输实     

高速SRAM编译器时序算法

介绍了一种通用嵌入式存储器(SRAM)编译器时序建模的方法。通过对存储器关键路径延时分析,时序模型采用分段拓展的建模方式,用Rows、Columns来对SRAM进行分段,分别讨论各段对时序的影响。采用双线性插值法对模型进一步优化,较大程度上提高了模型的精度。最后与ARM公司0.13μm工艺的存储编译器进行了验证和对比。结果表明,该模型能够较为精确地描述存储编译器时序。     

世界16M、64M、256M DRAM的生产

世界DRAM市场1995年登顶，达到400亿美元以上，但1996年即大幅减退到250多亿美元，1997年进一步缩小到200多亿美元，预计要到2000年以后才能超过1995年的最高水平。     

QDR联盟推出新型最高速的QDR SRAM速度可达633MHz

包括赛普拉斯半导体公司和瑞萨电子公司在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的4倍数据率(QDR)SRAM(静态随机存取存储器)。     

世界最高速的1Mb字段存储器

日本研制成能高速先进先出的1Mb字段存储器。该存储器的结构为256×4b,是完全实现了非同步的串行写/读,能完成高速先进先出动作的图像信息存储器。取数时间为25ns,读/写的最小周期时间为30ns,能适应于NTSC制式的3f_(sc),4f_(sc)。因为内含自动更新控制电路,所以没有外部控制电路就能进行模拟静态动作。     

以高速SRAM起家的ISSI公司

Intergrated Silicon Solution Inc(ISSI)是一家从事设计、开发和销售存储器的公司。1988年,在美国的三位华人看到SRAM 在主机板上的应用前景,成立了这家公司,并于1990年推出第一块用作高速缓存器的SRAM而后逐步开发了其它产品。ISSI的创办人及公司总裁李学勉说:“ISSI是     

日发明世界最高速模拟神经卡

日本三菱电机公司最近研制成功运算速度高达每秒20万亿次的模拟神经卡,创世界运算速度最高纪录。 该神经卡模拟了人类大脑神经网络,采用18个高速模拟神经芯片构成模拟神经卡的主体,并配备有神经卡控制元件、神经芯片控制元件和存储器等。与通常的元件排布方式不同,该神经卡上的元件模仿     

摩托罗拉采用铜布线制作高速SRAM

摩托罗拉公司半导体研究中心开发了晶体管长为 0 15 μｍ、采用良好结点及铜布线技术的高性能ＣＭＯＳＳＲＡＭ工艺。由于采用铜替代原来铝布线 ,所以 ,可大幅度改善处理速度、可靠性、制作成本等。目前 ,本公司已采用此工艺成功地制作出 4Ｍ位ＳＲＡＭ制品 ,并采用铜布线制作出高速ＳＲＡＭ。摩托罗拉采用铜布线制作高速SRAM@嘉明     

ICSI推出3.3V异步高速SRAM

日前,矽成积体电路股份有限公司(ICSI)推出3.3V异步高速静态随机存储器(SRAM)。该存储器系列为针对以速度为关键的宽带通信市场而设计,速度可达8ns。在数字信号处理器及微处理器速度与频宽越趋高频的同时,此系列产品可     

台湾研发出16纳米SRAM技术

我国台湾科研机构近日宣布,开发出全球第一个16纳米的SRAM新组件,由于可容纳晶体管是现行45纳米的10倍,这可使未来电子设备更轻薄。这一新组件主要是创新3项关键技术,包括“纳米喷印成像技术”、“320度低温微波活化”及“N型锗组件研究”。     

高速低功耗SRAM中灵敏放大器的设计

本文对比分析了运放型、交叉耦合型和锁存器型灵敏放大器三种不同的SRAM灵敏放大器的基本结构并通过仿真比较了它们的优缺点,在此基础上设计了读出放大时间在最坏情况下需0.5 ns,静态维持功耗约为0.1 mW的SRAM灵敏放大器.