台积电率先推出40纳米制程

台积电3月24目表示,领先专业集成电路制造服务领域推出40纳米制程。此一新世代制程包括提供高效能优势的40纳米泛用型制程（40G）以及提供低耗电量优势的40纳米低耗电制程（40LP）,同时提供完备的40纳米设计服务套件和设计自动化工具,以及电性能参数模犁（SPICE Model）及完整设计环境。首批客户产品预计于2008年第二季产出。     

台积公司领先量产40nm制程促进客户创新

台积公司17日表示,40nm泛用犁（40G）及40nm低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40nm逻辑制程的公司。纳米是度量半导体组件金属导线宽度的单位,40nm比人类头发直径的千分之一还要小。     

明导国际Olympus—SoC布局已获台积电测试认可

明导国际（Mentor Graphics）日前正式宣布Olympus—SoC^TM布局绕线系统针对台积电40纳米制程的芯片设计流程已获台积电测试认可,并立即供应客户使用。该项测试包含了手持式组件与无线装置所用的高效率40纳米低功耗（LP）制程以及效能导向的中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、游戏机台及网络组件所用的40纳米通用型（G）制程。     

NetLogic Microsystems与台积电就40nm技术展开合作

NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司日前宣布,在领先业界的40nm泛用型制程技术领域合作,推出NetLogic Microsys-tems下一世代先进的knowledge-based网络处理器及10／40／100Gigabit实体层（PhysicalLayer）解决方案。NetLogicMicrosystems是knowledge—based网络处理器及整合高速芯片设计发展的领导者,也是最先在台积电公司先进40nm制程流片与验证多项产品的客户之一。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程（8英寸晶圆）申请案获批准：台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0．18微米制程申请．不过迟迟未能获得放行，让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追：期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程．第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产．其中第三季90纳米产品比重已达4．9％65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

中国芯片技术未来发展趋势

正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。     

SpringSoft LAKER系统支持TSMC 40纳米技术可相互操作的制程设计套件

SpringSoft近日宣布,支持台积电的40纳米可相互操作制程设计套件（iPDK）。这是以SpringSoft所支持TSMC 65纳米RF制程iPDK为基础,预计在2010年第二季结束,     

台积电打入CPU代工市场获Sun高端处理器订单

经过一年半的合作，台积电终于拿下首颗高阶服务器处理器代工订单，正式进入CPU代工市场。美国Sun Microsystems最近在美国Hot Chips大会中，发表新款16核心Rainbow Falls系统处理器，该款处理器主要委由台积电40纳米制程代工，明年可望顺利量产投片，成为台积电明年营收成长的主要动力来源之一。     

40nm技术,NetLogic与台积电合作

NetLogic Microsystems公司与台积电（TSMC）共同宣布,在领先业界的40nm泛用型工艺技术领域合作,推出NetLogic Microsystems下一世代先进的knowledge-based网络处理器及10/40/100 Gigabit物理层（Physical Layer）解决方案。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程(8英寸晶圆)申请案获批准。台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0.18微米制程申请,不过迟迟未能获得放行,让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追;期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程,第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产,其中第三季90纳米产品比重已达4.9%,65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

ASML极紫外光EUV设备助台积电攻关10纳米以下工艺流程

正半导体微影技术厂商艾司摩尔ASML新一代极紫外光EUV微影设备已正式量产,并接获台积电订单,预计2015年出货,为台积电工艺流程推进至10纳米以下,提供关键加工设备。艾司摩尔指出,因应消费市场对于电子产品多功能、小尺寸、低耗电的要求愈来愈严苛,半导体产业持续追求晶体管工艺流程微缩,台积电取得跨越10纳米以下先进工艺流程最关键的极紫外光EUV机台,摆脱半导体摩尔定律可能受到的物     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

NetLogic采用TSMC技术生产40纳米网络处理器

NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司目前宣布，在领先业界的40纳米泛用型制程技术领域合作，推出NetLogic Microsystems下一代先进的knowledge—based网络处理器及10／40／100 Gigabii实体层解决方案。     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

18英寸硅片时代来临？

业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22纳米制程．在EUV技术可能推迟至2011年之后的情况下，业界似乎都确信，目前的光学光刻方法有可能延伸至22纳米。而对于硅片直径由12英寸过渡到18英寸，分歧则很大。     

明、后年跨入新制程时代，45nm制程设备销售增温

为迎接45nm制程时代，英特尔（Intel）计划于2007年投产，劲敌超微（AMD）也规划与IBM最快在2008年中投严45nm制程芯片，加上台积电、联电、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）皆将于2007年下半年启动量产，使得45nm制程设备近期市场热度升温，知名设备商应用材料（Applied Materials）、荷商ASML趁热打铁推出45nm制程所需浸润式显影、化学气相沉积、干式微显影机等新设备产品。     

台积电松江厂产能将快速扩充

台积电松江厂于2004年10月实现量产，当前产能已从2004年底的15000片／月跃升到了31000片／月。随着今年年初中国台湾对大陆开放0．18μm工艺制程后，台积电松江厂现已导入0．18μm工艺，并实现了量产。     

各大半导体巨头制程工艺发展近况解读

目前全球主要集成电路的制造厂家的制程已经发展到纳米(nm)级别,全球各大半导体巨头制程工艺在竞争中发展。毫无疑问,Intel是半导体工业的技术霸主,是先进制程技术的带头人。AMD是曾经的追随者,与格罗方德合作后又转向三星。台积电在GPU领域有崇高地位,能否再创辉煌,业界拭目以待。三星14nm Fin FET的规模化量产,使得三星成为全球半导体领域的新霸主。制程工艺的极限将推动集成电路制造技术产生革命性创新。     

台积电积极布局28纳米制程

台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐,位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房,将同时兴建,预计2013年完工,这二座新厂,未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。     

台积电、新思科技携手开发纳米制程

台积电与电子自动化设计(EDA)业者美商新思科技近日宣布,将合作开发纳米制程,锁定130纳米和90纳米的讯号完整工作组,争取客户新一代制程的晶圆代工订单。台积电的行销副总胡正大表示,新思在晶片制造前先产生可靠的分析结构,依据这样的需求结果,结合台积电的专业制造流程,提供台积电客户预防、或快速分析与修订他们复杂的讯号完整问题的能力。