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单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键。室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺。自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题。在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点。 相似文献
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单电子晶体管以其超小的器件尺寸和极低的功耗,被认为是最有希望代替MOS器件的技术。国内外研究人员已经提出了多种基于单电子晶体管的逻辑结构。本文在分析单电子晶体管体电压效应的基础上,首次提出了基于体电压控制的可重构单电子晶体管逻辑门(RSETLG)。SPICE的模拟结果表明,RSETLG能够以其简单的结构实现多种逻辑功能,具有很高的应用价值。 相似文献
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《计算机研究与发展》2007,44(10):1808
美国IBM公司在最新一期《科学》杂志上发表了两份研究报告,公布了其在单原子存储技术和单分子逻辑开关研究方面取得的技术突破.这是纳米技术领域两项最新的重大科学成就.对单个原子磁各向异性的测量具有重要技术意义,因为它决定了一个原子储存信息的能力.目前,即使是存储密度最高的硬盘,要想保存一比特的信息也需要大约100万个磁性原子.单原子存储技术实用后可以得到超高密度的存储设备,容量至少相当于目前硬盘的1000倍.另一份由IBM苏黎世实验室发表的报告,则首次揭示了单分子开关. 相似文献
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为了满足GaAs微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在GaAs衬底上制作专用TRL校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片S参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。 相似文献
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《计算机研究与发展》2007,44(10):1808
以色列魏兹曼科学院材料与界面系的科学家与美国科学家一起,首次成功地在分子电子学领域中实现了“搀杂”,开发出由碳基有机单分子层所组成的价格低廉、可生物降解、用途广泛且易于操纵的电子器件.科学家们先是制得非常纯净的有机材料,然后通过用紫外光或弱电子光束照射材料表面对“纯净”的单分子层搀杂,从而改变构成分子层的碳原子间的化学键.这些化学键的束缚影响了分子内的电子传递.研究人员预见,这一方法将被实质性地广泛用于纳米电子学领域. 相似文献
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为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。 相似文献
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