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由于非同轴微波器件接口的特殊性,无法直接与同轴接口的矢量网络分析仪相连进行测试,非同轴器件的微波性能测试面临较大的困难,目前,国内非同轴器件的测试技术已严重滞后其设计开发工作。对非同轴微波器件接口进行了深入研究,设计了针对非同轴微波器件测试的分体式夹具,解决了去嵌入技术问题,并以实例验证了该测试装置的正确性。大量测试表... 相似文献
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《红外与激光工程》1976,(4)
光测技术往往是根据光电器件的特性来探测物体。直到现在,因为用目视调节比较方便,所以可利用的光限止在可见光区。如果仅限于在半导体方面考虑的话,CdS器件接近于人的视觉特性,所以用得最普遍,这大概就是理由之一吧!然而,最近光的利用方法有了很大的变化,光的强度除了具有物理意义以外,已经利用光来传送情报。特别是由于激光的发展,从过去的非相干光的应用技术正在发展以相干光为主要的应用技术。可以举光通信、激光显示器等为例,要考虑背景光和空气当中的吸收光和散乱光,红外光就比可见光具有更多的优点。新型光计测的方向是在红外区域扩展它的幅度。因此,在红外方面,高灵敏度的半 相似文献
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IrDA技术和元件在家用电器和数据通信的应用日新月异,未来几年内人们会发现IrDA在凡是电缆进行数字信号传输的场合几乎都可以被IrDA无线传输所替代。为此,目前已有超过130多家的IrDA硬件,软件厂商共同组织了IrDA协会,并且制定了一系列IrDA标准及其运用范围,以便各厂商产品能相互链接,互相兼容,便于在世界市场上被广泛应用。 本文就IrDA器件最低层物理层串行协议的测试作一介绍。 相似文献
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东京大学生产技术研究所的生驹俊明教授等人利用半导体中深杂质能级,成功地试制了新型红外摄象器件。在硅材料中,通过扩散杂质,形成深杂质能级的肖特基结。其原理是:当红外线激发时,结中深能级所束缚电子的电荷状态变化,用作信号取出。以前只能在可见光领域中才能探测的硅材料,开始用作红外摄象器件。目前,红外摄象器 相似文献
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本文叙述由两个椭球面组成的光学系统的加工工艺和检验方法。并提出加工中出现的一些问题及其解决方法: 1.组合系统和小直径椭球面的检验考虑和具体方法; 2.消除非球面研磨和抛光过程中出现的像散现象; 相似文献
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《红外与毫米波学报》2021,(2)
正红外与毫米波所涵盖的电磁波谱段在国防、工业和民生领域得到了广泛应用,对国家安全、国民经济、人民生活有着非常重要的影响,促进了我国光电材料、先进器件、集成电路技术以及相关产业的发展。红外器件是光电系统的关键和核心部件,是现代光电技术与微电子技术发展的基础。近年来,在军用探测感知、民用安防监控、医疗卫生等领域需求不断扩大,红外材料、器件以及相关技术发展迅速。 相似文献
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本文以该所研制的红外器件自动测试系统为例,介绍了计算机在自动测试中的应用,并提出发展我国自动测试技术的一些看法。 相似文献
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我们报导的一种单晶Si-Ge结构,可以当作在达到1.5μm波长范围工作的一种高效光电探测器使用。这种多层结构在一个3英寸的n型硅衬底上用分子束外延方法生长出的,包括以下几层:n~+硅(1000 ),n~+Ge_xSi_(1-x)合金(1800 ,从x=0到x=1分成10级)n~+锗(1.25μm),非掺杂的锗(2.0μm ),以及p~+锗(2500 )。上面三层形成一个锗p-i-n二极管,它通过一个高电导率的缓冲层,与Ge-Si界面隔开。这种结构的优点在于缓冲层中的材料缺陷不影响其性能。此外,用透射电子显微术检验表明,在Ge-Si界面处晶格失配引起的位错密度随着远离界面而减少。我们最初的几个实验结构的确其有锗p-i-n二极管的这种特性。其频谱响应曲线在室温和液氮温度下都与锗的文献中所给出的曲线相一致。对于1.45μm波长的入射光,在T=300K下我们测出其量子效率为40%。我们相信用我们这种方法展现了一个很吸引人的途径,这就是我们有在一个硅片上制造完整的红外装置的可能性。 相似文献
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本文简要介绍微波网络分析仪的系统误差模型。详细讨论了用微波自动网络分析仪测量微波器件时测试夹具给测量结果带来的误差及其修正方法,建立测试夹具的数学模型,用计算机修正测试夹具的误差,并给出了器件在修正夹具误差后的测量结果。 相似文献
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一、红外焦平面列阵1.适合空间和地面应用的多色长波红外焦平面列阵技术(Latika S.R.Becker)2.长波HgCdTe焦平面列阵用高性能辐射硬化增透膜的设计与研制(Ashok K.Sood)3.多色探测器列阵的设计与研制(Ashok K.Sood)4.在硅上研制大规格红外焦平面列阵(Nibir K.Dhar等) 相似文献