钽铌酸钾晶体相结构和相变的研究

本文采用 X 射线粉末衍射法研究了不同组分钽铌酸钾的相结构、高温相变特征和温度与组分的关系等。并讨论了相变的过程。     

铌酸钾锂晶体的生长技术

铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。     

铌酸钾锂晶体的生长研究

首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K₃Li_2-xNb_5＋xO_15＋2_x（0＜x＜0．5）,探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体．     

钽铌酸锂晶体的介电谱研究

研究了钽铌酸锂(LiTa_xNb_(1-x)O_3,x=0,0.02,0.06,0.59,0.92和1.00)晶体在室温的低频和射频介电谱。给出了它们的自由介电常数和受夹介电常数。讨论了低频介电损耗与晶体组分的关系。指出低频介电响应的测量可以作为衡量晶体质量的一种手段。     

铌酸钾锂晶体的生长与性能

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体,讨论了引起晶体开裂的主要原因,研究了该晶体的光透过性能和介电性能,室温下该晶体的介电常数ε33=127,ε11=376,居里温度为380°     

电光晶体研究进展

电光效应就是晶体折射率随外加电场而发生变化的现象。这种效应在光调制领域中有广泛的应用,可以制作激光器件,如高速电光开关、电光偏转器等。介绍了电光晶体的类型,以及电光晶体的研究现状和发展趋势。比较详细地介绍了偏硼酸钡晶体(1985年由我国科学家发现的第一个"中国牌"晶体)、磷酸钛氧钾和磷酸钛氧铷晶体、硅酸镓镧晶体等的特性和应用。最后提出了有关电光晶体研究的建议和展望,指出,必须从理论和实际两个方面来开展对电光晶体的研究,争取有所突破。     

光电晶体钽酸锂

光电子学是新兴的技术部门。从光源、光调制、倍频、偏转到接受、信息处理等都需要晶体元件及制造元件的晶体材料。钽酸锂光电晶体是一种铁电材料,具有较好的光电性能。做为调制材料,由于其光学均匀性好,抗光性好,用改变长度比调制电压可得到一百伏以下,是目前已达实用阶段的最好的调制晶体。用其做成的调制器可用于光电通讯,激光大屏幕彩色电视及电开关等。作为压电材料,由于它具有较高的机电耦合系数,在一定方位上频率常数的温度系数为     

掺铜铌酸钾锂晶体光折变效应的研究

在铌酸钾锂晶体中掺进ＣｕＯ,采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｃｕ：ＫＬＮ晶体。测试Ｃｕ：ＫＬＮ晶体红外透射谱,研究ＯＨ＾－吸收峰发生红移的原因。以二波耦合光路测量Ｃｕ：ＣＬＮ晶体的光折变擦除曲线,计算擦除时间和光电导,研究Ｃｕ：ＫＬＮ晶体的光折变性能。     

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

介绍了近化学计量比铌酸锂晶体的主要生长方法及其特点,总结了近化学计量比铌酸锂晶体的主要性能,通过与同成分铌酸锂晶体的比较,指出了近化学计量比铌酸锂晶体的主要应用优势,明确了该类晶体今后的研究重点.     

掺镁铌酸钾锂晶体的生长与介电特性

首次用提拉法生长了K3Li2 Nb5O15∶Mg晶体 ,在 10～70 0K的温度范围内 ,研究了该晶体的c、a方向片的介电温度特性 ,测量了频率在 5× 10 2 ～ 5× 10 8Hz范围内介电常数的频率依赖关系。结果表明除了在 62 3K附近有铁电 -顺电相变以外 ,还在 80K左右存在铁电 -铁电相变 ,其介电弛豫频率约为2 5 0MHz左右。     

掺铜铌酸钾锂晶体光析变效应的研究

在铌酸钾锂 (KLN)晶体中掺进CuO ,采用Czochralski法生长Cu∶KLN晶体。测试Cu∶KLN晶体红外透射谱 ,研究OH- 吸收峰发生红移的原因。以二波耦合光路测量Cu∶KLN晶体的光析变擦除曲线 ,计算擦除时间和光电导 ,研究Cu∶KLN晶体的光折变性能     

铌酸锂晶体化学键性质研究

利用平均能带模型研究了ＬiNbO3晶体化学键性质,结果表明,铌氧键的共价性为０．２,锂氧键的共价性为０．４２,利用由共价性和极化率定义的化学环境因子h计算LiNbO3中Ｃr^3 的Ｒacah参数和ＬiNbO3中Ｆe^2 的穆斯堡尔同质异能位移均与实验值一致。     

掺镁铌酸锂晶体——一种新的光电多功能集成晶体材料

铌酸锂(LiNbO_3)晶体是制作电光、非线性光学和集成光学器件的最重要的晶体材料之一。在光学应用中遇到的最大问题是容易产生光致折射率变化(光折变),引起光波前畸变,限制了其在高激光功率下应用。为了提高其抗光折变性能,以前多采用减少杂质的纯化方法,但效果不大。1980年我国     

电容器用钽铌粉的研究进展

概括介绍了电容器用钽铌粉的研究进展,介绍了钽粉的3种钠还原制备方法的化学反应机理并进行了比较,同时还介绍了铌粉的制备方法,包括铝热还原法、电解还原法、蒸气还原法、钠还原法和金属热还原法;阐述了钽铌粉中杂质的测定方法以及有关钽铌粉的其它研究进展.     

钽铌电子材料新进展(Ⅰ)

代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司,近年来,研究了钽粉的微观结构,开发出降低杂质含量,改善物理性能等新技术以及Ta2O5钠还原制取高比容钽粉、TaCl5低温钠还原制取纳米级钽粉的新工艺方法;研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉,同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术,制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料.     

钽铌电子材料新进展(Ⅱ)

代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司,近年来,研究了钽粉的微观结构,开发出降低杂质含量、改善物理性能等新技术以及钠还原Ta2O5制取高比容钽粉、低温钠TaCl5还原制取纳米级钽粉的新工艺方法;研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉,同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术,制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料.     

钾钠铌酸锶钡系列晶体自泵浦位相共轭镜的研究

报道了钾钠铌酸锶（ＫＮＳＢＮ）晶体系列自泵浦位相共轭反射镜的最新研究结果。ＫＮＳＢＮ：Ｃｕ、ＫＮＳＢＮ：Ｃｏ和ＫＮＳＢＮ：Ｃｅ自泵浦位相共轭反射镜的反射率分别可达７３％、７３％和８４．３％，ＫＮＳＢＮ：Ｃｕ自泵浦位相共轭反射镜的响应时间在低功率下达２００ｍｓ。     

铌酸钾半导瓷的烧结及其电性能

通过在 KNbO_3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO_3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO_3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。对样品所做的 SEM 和 TG 分析结果表明:在 KNbO_3陶瓷中,K_2O 在烧结温度下发生明显的挥发,样品中晶粒和晶粒之间含有较多气孔。KNbO_3材料的固有特性和成瓷特性使该半导瓷具有一些独特的电学性能。     

钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究进展

介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景.     

Li改性铌钽酸钾钠无铅压电陶瓷的研究

利用固相反应法制备了(Na _0.52 K _0.48-x Li _x)(Nb _0.86 Ta _0.10 Sb _0.04)O ₃系无铅压电陶瓷, 研究了不同Li含量(x分别为0、0.02、0.04、0.06、0.08)样品的显微结构、物相组成及电性能. 结果表明, Li含量的改变对其物相组成、压电性能、铁电性能、介电性能都有显著影响. 当Li含量x从0增大到0.04时, 其压电性能相应提高, 当Li含量x超过0.04时, 压电性能明显下降; 在x=0.04时综合性能最好, 其压电常数d₃₃高达260pC/N, 介电损耗tanδ为0.027, 平面机电耦合系数k_p值达到50%, 剩余极化强度P_r为22μC·cm^-2, 矫顽电场E_c为0.95kV·mm^-1, 居里温度为316℃. 另外, 随着Li含量增加, 该系统的矫顽电场明显增强, 居里温度有所提高.