向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料为置换了部分BiFeO3（BFO）成分而成。新材料与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。     

Fe—40Al及其含Mn或Ti合金的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱研究了Ｂ２结构金属间化合物Ｆｅ－４０Ａｌ及其加Ｍｎ或Ｔｉ量分别为１，５，１０ａｔ．－％的合金．在室温下，Ｆｅ－４０Ａｌ及其合金的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱均接近单峰谱线，Ｆｅ原子无明显磁矩对加入第三组元的Ｆｅ—４０Ａｌ合金的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱用最小二乘法拟合为两条洛仑兹曲线之和，认为Ｍｎ原子既占据Ｆｅ原子位置，也占据Ａｌ原子位置；而Ｔｉ原子优先占据Ｆｅ原子位置，超过５ａｔ．－％时，才有少量Ｔｉ原子占据Ａｌ原子位置．     

代位原子在Fe3Al亚点阵中的占位与合金的塑性

采用中子衍射法测定了Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ等代位原子在ＤＯ３结构Ｆｅ３Ａｌ亚点阵中的原子占位，并从解离能角度探讨了原子对之间的相互作用及合金室温塑性的影响，结果表明：Ｃｒ、ＭＯ、Ｔｉ都占据了Ａｌ原子的次近邻位置，替代Ｆｅ原子；Ｎｉ、Ｍｎ占据Ａｌ原子的最近邻位置，（Ｓｉ＋Ａ）当量成分以内的Ｓｉ原子替代占据Ａｌ原子的位置，由于Ａｌ－Ｃｒ原子对的结合能低于Ｆｅ－Ａｌ，ＡＬ－Ｍｏ用Ａｌ－Ｔｉ对     

Fe—40La及其含Mn或Ti合金的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱研究了Ｂ２结构金属间化合物Ｆｅ－４０Ａｌ及其加Ｍｎ或Ｔｉ量分别为１，５，１０ａｔ．－％的合金，在室温下，Ｆｅ－４０Ａｌ及其合金的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱均接近单峰谱线，Ｆｅ原子无明显磁矩。对加入第三组元的Ｆｅ－４０Ａｌ合金的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱用最小二乘法拟合为两条洛仑兹曲线之和，认为Ｍｎ原子既占据Ｆ原子位置，也占据Ａｌ原子位置；而Ｔｉ原子优先占据了Ｆｅ原子位置，超过５ａｔ．－％     

锰掺杂锯齿型石墨烯纳米带电磁学特性研究

基于密度泛函理论的第一性原理,计算了锰原子单空位掺杂锯齿型石墨烯纳米带6种不同位置时的电磁学特性。结果表明:锰原子掺杂石墨烯纳米带的能带结构对掺杂位置十分敏感。随着锰掺杂位置的变化,掺杂石墨烯纳米带分别表现出半导体性和金属性特征。锰原子掺杂石墨烯纳米带改变了原本的磁性特征,掺杂位置不同,结构磁性特点也不相同,掺杂位置在4号位置时,纳米带实现了由反铁磁态的锯齿型石墨烯纳米带向铁磁性的转化。锰原子掺杂锯齿型石墨烯纳米带可以调制其磁性和能带特性,为石墨烯纳米带在电磁学领域应用提供一定的理论依据。     

锰掺杂锯齿型石墨烯纳米带电磁学特性研究

基于密度泛函理论的第一性原理,计算了锰原子单空位掺杂锯齿型石墨烯纳米带6种不同位置时的电磁学特性。结果表明:锰原子掺杂石墨烯纳米带的能带结构对掺杂位置十分敏感。随着锰掺杂位置的变化,掺杂石墨烯纳米带分别表现出半导体性和金属性特征。锰原子掺杂石墨烯纳米带改变了原本的磁性特征,掺杂位置不同,结构磁性特点也不相同,掺杂位置在4号位置时,纳米带实现了由反铁磁态的锯齿型石墨烯纳米带向铁磁性的转化。锰原子掺杂锯齿型石墨烯纳米带可以调制其磁性和能带特性,为石墨烯纳米带在电磁学领域应用提供一定的理论依据。     

原子探针场离子显微镜

本文介绍了原子探针场离子显微镜的基本结构，成象原理，原子鉴别的基本思想和应用范围。原子探针场离子显微镜是至今为止最能精确地确定原子位置和原子种类的重要装置，是材料科学研究的有力工具之一。     

位置灵敏原子探针的新发展与新应用

本文介绍位置灵敏原子探针显微分析实验手段的最新发展、应用与前景。以应用这种技术研究不锈钢与化合物半导体为例，结合实验结果介绍新的图像显示方法。此外还示例概述了位置灵敏原子探针在钢与合金研究中的新应用。最后，作者对世界上三维原子探针的发展前景作了展望。     

分子吸尘器：纳米仪器新工具

科学家在原子水平构建某种结构，过去一直需要隧道显微镜，它的探头可以逐一粘连原子。法国科学家最近开发出一种新方法，利用一种具有类似“吸尘器”功能的分子，把原子吸附、运输并放置在特定的位置。     

Nb-Si-N纳米复合薄膜表面吸附与迁移的第一性原理研究

针对Nb-Si-N纳米复合薄膜在沉积过程中各原子的成核过程和生长取向,采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了Nb、Si、N各单原子在NbN(001)表面6个对称位的吸附作用和迁移过程。吸附作用的计算获得各原子的势能面,其中Nb在NbN(001)表面最低能量位置为HL位,N、Si最低能量位置处于HL位与TopN位之间。势能面计算结果确定各单原子在NbN(001)表面迁移的路径分别为,Nb原子和Si原子均为从TopN位置迁移到HL位置;N原子分别从TopNb位置和TopN-HL位置迁移到HL位置。Nb、Si、N各单原子在NbN(001)表面迁移激活能分别为0.32,0.69和1.32eV。     

位置灵敏原子探针及其在材料研究中应用

将位置灵敏探测器安装到短飞行距离原子探针上,可以同时获得材料内原子排列的成分与位置信息。通过该探测器还可得到材料的数字化场离子像。采用试验型位置灵敏原子探针成功地分析了一系列合金与半导体多量子阱结构,显示出它重现材料三维原子微观成分结构的能力。     

基于进程组织的Linux内存取证分析

内存作为数字证据的重要来源，研究还处于起步阶段。Linux平台下的内存取证工作首要解决的问题是定位进程的位置，才能根据查找到的进程进一步分析，获得用户打开的文件列表、建立的网络连接等。针对这一问题，分析了Linux进程的组织结构，提出了根据init线性队列、散列表、进程家谱和运行队列查找进程的方法。     

Fe掺杂CdTe电磁性质的第一性原理研究

使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Fe掺杂CdTe的晶格结构与电磁性质变化。研究发现,掺杂体系的晶格常数与电子结构等随掺杂Fe原子的位置不同而异。通过能带结构与电子态密度的分析表明,不同占据位的Fe原子表现出迥异的电子能级分布、轨道杂化等,从而引起体系电子性质与原子磁矩的显著变化。其中,替代位与间隙位Fe杂质的原子磁矩分别为3.76和3.14玻尔磁子。这一研究对深入理解掺杂CdTe类稀磁半导体的物理性质有重要意义。     

Fe0．875Mn0．125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法，对掺Mn的β-Fesi2的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：（1）杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置，掺杂是调制材料电子结构的有效方式；（2）在β-FeSi2中掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性，Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子；（3）能带结构计算表明：掺Mn使得β-FeSi2的费米面向价带移动，形成了P型半导体。     

位置灵敏原子探针在材料研究中的应用(续谈)

本文示例介绍了位置灵敏原子探针在材料研究中的应用,其中包括有马氏体时效钢的时效初期反应,双相不锈钢内铁素体的调幅分解;铝合金内的细小析出物形成;Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的不均匀结构;及陶瓷氧化物超导体的表面偏聚。位置灵敏原子探针技术将位置灵敏探测器与飞行时间质谱结合起来进行微观分析,采用它可以在三维空间重构原子级化学组成。本文的示例将具体显示这种分析方法的作用。作者曾在本刊上撰文介绍一种国外最新研制成功的位置灵敏原子探针,并简要介绍了它在材料研究中的应用。本文将继续介绍位置灵敏原子探针的应用情况,以便读者了解到更新的动态,也更增强对位置灵敏原子探针的认识。     

IBAD钼膜与Al2O3（0001）单晶界面的HREM研究

采用中等能量离子束辅助沉积技术在单晶Ａｌ２Ｏ３基片上沉积钼膜，通过ＨＲＥＭ等分析手段，在原子尺度上，对于钼膜及其与Ａｌ２Ｏ３单昌基体界面的显微结构进行了研究。结果表明：钼膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，平均晶粒尺寸约为８ｎｍ，钼膜的致密度较高，膜内存在非晶组织。在钼膜与Ａｌ２Ｏ３单晶基片之间存在厚约１０－１５ｎｍ的非晶过渡层，在界面处未发现原子的长程扩散。     

Windows内核对象的查找方法研究

内存作为数字证据的重要来源,研究还处于起步阶段。在各操作系统下的内存取证工作首要解决的问题是定位内核对象的位置,才能根据查找到的对象进一步分析,获得用户打开的文件列表、建立的网络连接等。针对这一问题,提出内存中查找对象的方法。     

韩研制出2nm金属线 开半导体工艺新纪元

韩国的Yonsei大学原子线研发中心已成功研制出了全球最薄的金属线，这一成功被视为震惊科技领域的重大突破。此次研制出的金属线宽度为2nm。随着这种超薄金属线技术的面世，未来半导体产品将拥有更大的容量和更快的速度，未来内存芯片的尺寸将会极大程度上被降低，而半导体篆刻工艺也将进入全新的2nm时代。     

原子尺度图像可对SiN特性进行预测

美国橡树岭国家试验室报道，他们实现了一种成像技术，其分辨率可达世界记录的0．007nm，可观察到氮化硅陶瓷中原子的优先占据位置。氮化硅的图像是在ORNL300kWZ衬度扫描透射电镜上取得的。由于采用了像差校正技术，电子透镜缺陷带来的误差，可由计算机予以修正。研究人员发现，原子尺度上的图像与理论计算的预测大致是精确的。特定原子在晶体中的位置主要决定着材料的特性。     

非晶态Fe100—xBx合金中化学短程序对居里温度Tc的影响

用偏双体分布函数给出了化学短程序的定义和化学短程序参量的表述式，用偏约化径向分布函数讨论子化学短程序变化的动力学特性，从而阐明了类金属Ｂ影响居里温度Ｔｃ的原因；Ｂ原子含量的变化影响非晶态Ｆｅ１００－ｘＢｘ合金中异数原子共价键和同类原子金属键的形成；这两键是化学短程序变化的驱动力；化学短程序的变化促使Ｔｃ的变化。