高效率5V/10A串联稳压电路

<正> 这里向大家介绍一种高效率的5V/10A串联稳压电路,其主要技术指标如下:电压稳定度:S_v≤5×10~(-3)负载稳定度:S_1≤1×10~(-2)波纹电压:U_(o～P-P))≤5mV温度系数:α_T≤5×10~(-4)/℃(-55℃～+60℃)稳压器效率:η≥70%保护电路:减流型、自动恢复,I_(os)≤1A     

啼化福新型各射线探测器的研制

本文介绍一种新型的各射线探测器的制造过程及其特性% 采用背吸杂技术有效地 降低了器件的反向漏电流并提高了成品率, 提出并应用真空镀铜工艺制作& 型啼化镐的 低阻接触, 取得了良好的效果% 该探测器由一个&? 结二极管构成% 在?( ) , ? + 的电压下 其反向漏电流小于, % ? . ??( 一’“ / 0 1 2 1 ? , 在!( ℃ , ? + 的电压下其反向漏电流小于, % 3 . ?? ( 一“ / 0 1 41 ?? ? , 因而探浏器可在!( ℃ 下正常工作% 在标准5? 伦各射线源上获得了?? % “ . ?? 。一, / 的输出电流, 其截止频率大于? , ( 。比     

高灵敏度电流测量

<正> 高灵敏度电流测量,在半导体器件反向漏电流检测、化学仪表和核物理电子学等领域有着极重要的应用,它直接影响着有关仪器的水平。运算放大器在电流测量领域已经得到了广泛的应用。前置级采用改进型达林顿连接的超β差分对管的运放测量电流的灵敏度可以达到5×10~(-13)A。本文将要报告,采用高阻抗低漂移结型场效应管为输入级的运放,其测量电流的极限灵敏度可达到5×10~(-15)A。采用MOS场效     

薄层电解池流动注射法测定锰

本文研究了以石墨玻璃电极为工作电极,大面积饱和甘汞电极为对极的极简单的薄层电解池流动注射安培法测定锰的实验条件。选定了底液为0.01mol/LH_2SO_4—0.05mol/LNa_2SO_4,流速为0.22ml/分,电极面积为1.21cm~2。在—0.10V 电压下,MaO_4~-浓度的检测下限达2×10~(-6)mol/L(1.09×10~(-9)gMn~(2+)),Fe~(3+)严重干扰。在+0.50V 电压下 MnO_6~-浓度的检测下限达2×10~(-5)mol/L(1.09×10~(-8)gMn~(2+)),Fe~(3+)及常见金属离子基水上无干扰。本法测定锰的仪器设备简单,试液用量少(20μl),重现性好,测定速度快。在+0.50V 电压下测定铝合金及普碳钢中的锰,结果亦令人满意。     

一种低功耗高精度带隙基准的设计

基于U MC 0.25μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用N MOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5 V~5.5 V,基准电压变化53μV;温度在-40℃~130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 d B。     

聚合物碳糊修饰电极的研究

本文用聚4—乙烯基吡啶(PVP)修饰石墨粉制备聚合物碳糊修饰电极。在 pH3.5的0.15mol·dm~(-3)NaF 溶液中,将 Cr(Vl)于0.90V(VS.SCE,下同)富集1.5min,然后向阴极扫描至—0.20V 得 i—E 图,Cr(Vl)的峰电位为0.15V。在1.00×10~(-5)～1.00×10~(-6)mol·dm~(-3)范围内 Cr(Vl)浓度与峰高成比例。用于水样测定结果满意。     

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.     

以浸蜡石墨电极为基体的过氧化物酶生物传感器

本文以浸蜡石墨电极为基体电极,将β—环糊精与环氧氯丙烷的交联聚合物(β—CDP)与亚甲蓝的超分子包合物(CMIC)和酶固定在电极上,制成了辣根过氧化物酶生物传感器。由于超分子包合物的形成将原本极易溶于水的电子转移介体——亚甲蓝固定在电极上,有效的减少了其流失,提高了该生物传感器的稳定性和寿命。该生物传感器对过氧化氢有电催化还原作用,电流法测定过氧化氢的线性范围为5.0×10~(-4)—1.0×10~(-2)mol·L~(-1),检出限为2.0×10~(-5)mol·L~(-1),达95%稳态响应电流所用时间小于40s。     

用于温度传感器芯片的高精度低温度系数带隙基准源

为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求,设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性,使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS（Bipolar-CMOS）工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明：在5V电源电压下,在温度-40~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0~7.0V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ,电源调整率为6.7nA /V。     

双冠醚钠离子选择电极的研制

本文用新合成的2—氯—4,6—双(4′—亚氨基苯并—12—冠—4)三嗪(以下简称双冠醚)作电活性物质,制成钠离子选择电极。其电极性能、线性范围:10°～5×10~(-5)M,斜率为55±1mv,对Li~+、NH_4~+、Mg~(2+)、Zn~(2+)和Ca~(2+)的选择系数分别为7.7×10~(-2)、1.1×10~(-2)、8.4×10~(-4)、4.0×10~(-4)和4.6×10~(-4)。     

脉冲极谱仪中电流-电压变换器的研制

本文讨论了脉冲极谱仪中使用的电流-电压变换器,其开环增益不小于120分贝,输入端的电流温漂约2.2×10~(-12)A/℃(反馈电阻为10~7欧姆)。文中着重讨论了结型场效应对管的夹断电压和饱和电流对温漂的影响,并给出了这两个物理量的具休指标。     

精密基准电压源LM4050

LM4050是一种小尺寸封装的精密基准电压源系列。主要特点:小尺寸SOT-23-3封装(3mm×13mm);无需外接输出电容;允许电容负载;反向击穿电压有2500V、4096V、5.000V、8.192V及10.000V。该系列关键特性(以LM4050-2.5为例):输出电压允差(A级25℃)±0 1%(max);低输出噪声(10Hz～10kHz)41 μ Vrms(典型值);宽的工作电流范围60 μA～15mA,工作温度范围-40℃～ 125℃;低温度系数50ppm/℃(max)。该系列主要应用于便携式、电池供电的电子产品、数据采集系统、仪器、工业过程控制、产品测试设备等。     

8-羟基喹啉碳糊修饰电极阴极溶出伏安法连续测定发样中的铜、锌、铊

本文以8—羟基喹啉碳糊修饰电极为工作电极,以 KCl、KCl—酒石酸氢钾和 KCl—酒石酸氢钾—二甲酚橙为底液,用阴极溶出伏安法连续测定发样中的铜、锌、铊的含量,在选定的条件下浓度与峰高的线性关系依次为1.5×10~(-9)—1.5×10~(-6),3.8×10~(-8)～7.5×10~(-6),5×10~(-9)～2×10~(-7)mol/L,方法具有较高的灵敏度。采用标准加入法对同一样品进行7次测定,回收率分别为98.87%、96.95%、97.64%,变异系数为7.50%、6.89%、6.65%。     

羟苄唑PVC膜电极及PVC膜石墨棒电极的研究

羟苄唑是治疗急性出血性结膜炎的药物,其PVC膜电极的研制及应用尚未见报导。作者据以前工作,以羟苄唑—四苯硼离子缔合物为活性物质研制成羟苄唑PVC膜电极(Ⅰ)及PVC膜石墨棒电极(Ⅱ)。经测试,(Ⅰ)的能斯特响应范围为1.0×10~(-2)—4.0×10~(-5)M,检测下限为5.6×10~(-6)M;对羟苄唑的回收率为100.2—105.1％(Ⅱ)的能斯特响应范围为1.0×10~(-2)M—4.3×10~(-5)M,检测下限为8.9×10~(-5)M,回收率为98.6—     

低功耗带隙基准电压源电路设计

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压V_(ref)为567 m V;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的线性度为2 620 ppm/V;在10 Hz~1 k Hz带宽范围内,tt工艺角下基准电压V_(ref)的电源抑制比(PSRR)为51 d B;版图核心面积为0.001 95 mm~2。     

BiCMOS带隙基准源的设计

设计了一款具有高稳定性,低功耗的带隙基准源,采用1.5μm B iCMOS工艺制造,在-40℃~100℃它们的平均温度系数为29×10-6/℃,电源电压抑制比为60dB。在电源电压为3.7V的情况下工作功耗为144μW,低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的IC中应用。     

β-环糊精交联聚合物(β-CDP)包结吡啶偶氮-间苯二酚PAR修饰碳糊电极富集测定痕量钴

本文报道β-CDP-PAR包结树脂修饰碳糊电极在0.1mol-L~(-1)NH_4Cl 缓冲液中,开路富集,与Co~(2+)生成电活性络合物,经介质交换,电位氧化,用微分脉冲阴极溶出伏安法测定,在-0.19V 产生一灵敏的阴极峰,在浓度为2.0×1~(-9)～1.0×10~(-5)mol·L~(-1)范围内与峰电流成良好的线性关系,检测限为1.0×10~(-5)mol·L～(-1)。此方法已用于水样中钴的测定,得到了满意的结果。     

ECL 256×1双极全译码随机存储器组件的电路设计

为了适应千万次以上的大型计算机对超高速存储器的要求,中国科学院上海冶金研究所和北京计算技术研究所共同研制了双极全译码 ECL256×1随机存储器组件。它采用泡发射极、对通隔离、单层布线工艺。存储单元为并联二极管双射极单元[1]-[4]。芯片面积为2.6×3.2mm~2。试制样品的地址取数时间一般小于23ns。最小写入脉冲宽度小于15ns。功耗一般小于500nW,电源电压-5V±10%。工作时最高环境温度75℃。本文介绍单层布线256×1存储器组件的线路设计和测试结果。     

一种矿用开关电源设计

针对现有矿用开关电源存在的谐波电流较大、功率因数较低等问题,采用主动功率因数校正与谐振软开关电源技术设计了一种矿用开关电源,介绍了该电源的设计指标及硬件电路设计方案。试验结果表明:在170V交流输入且输出满载条件下,矿用开关电源输入电流未出现脉冲状,谐波电流小;50℃环境温度下,电源主要器件的最大温度为98.5℃;在输入电压为AC90~265V时,电源功率因数不小于0.96,纹波电压小于30mV,电源效率达86.5%;绝缘耐压试验中绝缘电阻不小于50 MΩ,漏电流低于1mA。     

进料温度和回流比对多元精馏塔能耗的影响——计算机设计与模拟

在 Burroughs—6935大型电子计算机上,对苯—甲苯—乙苯—苯乙烯四元混合物的常压精馏,进行了精馏塔的设计与操作模拟,并在进料温度 T_F=340K～398K(包括冷液,沸点,汽液混合和饱和蒸汽四种进料热状态),回流比 R=1.5～3.5的变化范围内,考察了进料温度和回流比对多元精馏塔再沸釜能耗 q_r 和总能耗 Q_R 的影响。计算结果指出,若保持 R 恒定,进料热状态 Q>1时,与△T_F=10℃相对应的△q_r 随料温的变化幅度约为2×10_3～5×10_3KJ/kg-mol(料液)·hr;Q<1时,约为8×10~3～4×10~4KJ/Kg-mol(料液)·hr。若保持 T_F 恒定,则 R 的增加将使 q_r 也随之增加,同时分离质量也得到提高。精馏塔总能耗 Q_R 随 T_F 和 R 增加而增加。对 Q>1的进料热状态,计算机回归得到:q_r=1.996×10~7×T_F~(-9.464×10~(-5))×R~0.668[KJ/Kg-mol(料液)·hr]