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脉冲镀金在半导体激光器中的应用及工艺优化 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高半导体激光器芯片的焊接成功率以及器件的性能寿命,采用脉冲电镀技术在半导体激光器芯片 P 面沉积了厚金层,详细研究了镀金液 pH 值和电流通断比对镀金层组织形貌、表面粗糙度、内应力、沉积均匀性以及粘附力的影响规律。结果表明,表面粗糙度随 pH 值的升高或通断比的提高而增大。沉积均匀性随 pH 的增大先降低后升高,而随通断比的增大而变差。pH 较大(>10.0)或较小(<8.5)时,镀金层粘附性均不理想。而通断比对镀金层的粘附性影响不大。不同条件下,金膜内应力均为张应力,大小为29~88 MPa。 相似文献
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观微 《激光与光电子学进展》1988,25(3):32
评价光学表面的一个重要参数是表面粗糙度,即使很少量的粗糙也能引起光散射,使光学系统性能变坏。例如,为把表面微观不规则性降到最低,通常在拋光以后还需测量表面粗糙度。对于粗糙度评价已发展了多种技术,其中有些是直接测量表面轮廓的,另一些(如光散射)则是间接测量。 相似文献
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利用电化学扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对n型硅抛光片(111)表面的微缺陷和表面电子结构做了初步研究。大量Si表面不同部位的STM表面形貌象表明,抛光片中粗糙度的为几个纳在面积平整区与许多不规则微缺陷区共存。轻掺Si(111)表面较为平整,微结构边缘平滑,尺寸较大;重掺Si表面微缺陷密度高,结构复杂,平整度明显降低。同时观察到大量有规律的缺陷。 相似文献
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在相同的生长条件下,分别在高质量的GaN 和 AlN 模板上生长InAlN外延层。 测试结果显示:本实验的两个样品的In组分均为~16%,但在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的样品。其中,在GaN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为309.3″和339.1″,样品表面的粗糙度为0.593 nm,v坑密度约为4.2108cm-2;而在AlN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为282.3″和313.5″,样品表面的粗糙度为0.39 nm,v坑密度约为2.8108cm-2 。综合以上结果可初步得知,在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的InAlN外延层,因此,相对于GaN模板来说,AlN模板更适宜高质量的InAlN 外延层的生长。 相似文献
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因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。 相似文献
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利用原子力显微镜分别对在I-型胶原和bFGF表面改性的p(HEMA-MMA)及未改性的p(HEMA-MMA)材料表面对于角膜基质细胞的膜表面结构进行了分析。将角膜基质细胞接种于改性前后的材料表面,用原子力显微镜对不同表面生长的角膜细胞的三维形态和超微结构等方面进行了研究。结果表明,改性后材料表面细胞宽度更大,高度更低,并且铺展较为完全,与正常条件下培养的细胞形态相似。膜超微结构参数分析显示在改性后材料表面生长的细胞膜微区的平均粗糙度(Ra)、均方粗糙度(Rq)、平均高度(MeanHt)、中值高度(MedianHt)明显较高于改性前材料表面的细胞。 相似文献
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为了利用激光散射分布测量表面粗糙度参数,从分析高斯粗糙表面非傍轴散射光能量的角分布特征与轮廓均方根斜率之间的关系,得到了利用散射角分布进行粗糙表面横向粗糙度参数的测量方法。提出了散射光的两个特征值:辐射立体角密度矩M(θ)和M(φ),用以表征散射光能量立体角分布情况,并给出了在非傍轴远场条件下的测量和计算方法。实验证明,给出的特征参数能够得到散射光能量立体角分布特征并可用于测量粗糙表面横向形貌参数。 相似文献
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本文探讨钢带纵包成形工艺,并分析了影响钢带纵包成形的因素,提出了工艺上解决的方法。最后,从中心管式缆对钢带纵包过程中伸长的要求出发,求出了模子的理论最佳角度。 相似文献
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论述作为一种新型发光器件的MIM隧道结的发光机理,报告了该器件的发光现象和I-V特性曲线中负阻现象的实验观察。数据显示,结中表面等离极化激元(SPP)与粗糙度的耦合是引起光发射的主要方面,SPP对隧穿电子的阻塞作用导致了电子输运中的负阻现象。此外,还观察到了直接辐射的紫外峰。 相似文献
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本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(SLS)(Ge)n/(Si)n(n=1,2)的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ge、Si的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的n对(Ge)n/(Si)nSLS电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态,表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移,并随n的不同,转移量不同。 相似文献
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研究了铁基表面镀硅(~50nm 厚)经氮离子束处理(能量为 40ke V,剂量分别为5×1016,1×1017,5×1017cm - 2)后的表面结构和在 1 N H2 S O4 水溶液中的腐蚀行为。 T E M 证明,各试样表面均存在一完整的非晶层;电化学测量和失重实验表明,试样的失重量与浸泡时间满足幂函数规律;经表面处理过的试样,腐蚀电位提高了 30~40m V,腐蚀电流密度下降了 4~6 倍;耐腐蚀性随氮离子剂量的增大而不断提高。文章还结合腐蚀表面的粗糙度(分形维数)讨论了离子注入对表面结构和耐蚀性的影响。 相似文献
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金属/绝缘层/金属隧道结构的粗糙度与发光光谱的关系 总被引:5,自引:0,他引:5
在金属/绝缘层/金属(Metal/Insulator/Metal,MIM)隧道绍发光中,粗糙度与表面等离电磁量子(SurfacePlasmonPolariton,SPP)的耦合起着非常重要的作用,本文利用原子力显微镜摄得发光MIM隧道结粗糙表面的照片,研究了粗糙度分布的统计结果与测得的发光光谱之间的关系。 相似文献
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以苯甲醚为溶剂,采用旋涂法制备PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)转移层膜。当PMMA的质量分数为5%、旋涂速度为2000~6000r/min时,转移层膜的厚度为90~150nm,粗糙度为0.3nm,可满足纳米压印要求。采用接触角测量仪测试计算出PMMA、PS转移层膜的表面能,并通过转移层膜与压印胶之间的粘附功和界面张力的计算,评价了PMMA、PS和Si片对压印胶的润湿和粘附性能。结果表明,PMMA膜可改善压印胶在基片上的润湿铺展性能和粘附性能,而PS膜虽能改善基片的润湿铺展性能,却不利于压印胶的粘附。 相似文献
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通过实验室研究和以最大走带速度为30米/分、最大带宽为300毫米的试验装置的试验,开发了一种在钢带上进行连续真空蒸发镀锌的新技术。无论镀薄的膜还是镀厚的膜,该技术都由于其高的蒸发速度而显示出高的生产率。获得了镀复量瞬时变化和连续生产的方法。在镀层粘附性和耐蚀性方面,由该试验装置所制造的产品,其质量几乎和电镀的一样好。 相似文献
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分析了用光刻胶记录激光散斑来制作粗糙度参数可控表面的方法,并成功地制作了一批样品。这些样品表面具有连续平滑的起伏轮廓,符合粗糙表面散射研究的理论模型,也可用作相位板。 相似文献