重叠型大口径电子枪的开发

NEC研制成功的高分辨率显示管用重叠型大口径电子枪(简称SFL电子枪),由于改进了聚焦特性和会聚特性,实现了大容量且高分辨率的高品质显示。 SFL电子枪采用降低象差的非对称预聚焦透镜,抵销自会聚偏转磁场所引起的电子束光点畸变的和重叠型大口径主电子透镜。     

高分辨率彩色CRT XF型电子枪的研究

一、前言随着计算机的普及,计算机辅助设计用显示终端的需求正在迅速扩展.计算机辅助设计用的超高分辨率彩色CRT,一直是用原来的三角形排列电子枪.用这种电子枪的CRT,由于需要采用会聚校正电路,因而具有成本高的缺点.为了降低成本,考虑用自会聚的直列式电子枪.当初它开发用于小型显象管,其后用于大型显象管,再进一步用于提高低、中分辨率显示管的性能.但是很难满足计算机辅助设计终端要求的聚焦性能和会聚性能.本文报导能满足计算机辅助设计所要求的聚焦性能和会聚性能的直列式电子枪,并命名为XF型(扩展场)电子枪.下面将论述这种电子枪的设计思想、三电极部分、主透镜部分、新阴极材料以及性能评价结果.     

彩色显象管电子光学系统的进展

本文介绍了近年来彩显管在电子光学系统方面取得的主要进展,重点介绍了减少象差三极管枪、减速场预聚焦电子枪、动态校正象散和散焦、失会聚校正、枕形失真校正等。     

一种用于校正品字形偏转散焦的新方法

现已开发了一种用于校正屏周边红、兰散焦的新型电子枪,因其有施加的动态聚焦电压,该电子枪对红、兰电子束有正象散透镜作用。     

一字型枪边束优化设计的新方法

在一字型彩色ＣＲＴ中,用Ｇ２、Ｇ３进行会聚电子束,在这样的电子枪系统中,边束电子束在预聚焦透镜处（在Ｇ２和Ｇ３电极之间）向轴向弯曲,此后,电子束倾斜进入主透镜系统。边束电子空过主透镜的正确位置,从而减小光点彗差,同时电子束随聚焦电压情况漂移。为了精确估计电子束在三维结构主透镜中的正确位置,提出了一种新的计算方法。     

强流静电会聚电子枪系统计算机模拟研究

轻、小型层流电子枪在电子束焊接,微波器件等方面具有广泛的应用,希望得到稳定的、环形分布且会聚良好的电子束.但传统电子枪的聚焦系统如磁聚焦或电磁混合聚焦存在结构复杂、重量大的缺点.我们采用具有优异电子发射和抗中毒能力的LaB6作为阴极材料,纯静电聚焦的方式进行仿真、设计.经过理论探讨和计算机模拟仿真,在5 000 V总电压下,输出300 mA强流电子束,导流系数达到了3.35 μA/V3/2.为下一步具体的结构设计提供了可靠依据.     

电子束曝光系统中的物镜像差和最佳电子束电流

本文讨论微米及亚微米级电子束曝光系统中各种透镜像差对合成透镜弥散斑的影响,分析了最佳电子束电流与末级透镜束会聚半角的关系。计算结果表明,计算模拟技术用于求取电子束曝光系统最佳参数是方便的,该方法很适合于求取个别系统的精确答案;电子枪电源及透镜电源稳定性的提高可以减小透镜像差弥散斑并提高可获得的最大电子束流;衍射像差在亚微米电子束曝光系统中有不能忽略的影响。     

椭圆膜孔透镜电子枪中用作动态聚焦和象散控制的四极透镜

引言众所周知,在一列式彩色CRT中使用了自会聚系统,其偏转线圈引起了很大的象散,这种象散大大减弱了屏边缘的分辨率。近来,做了一些尝试以校正这种象散,即在电子枪中使用一种具有双电位主透镜系统的聚焦电极的四极透镜。在四极透镜上加上一个与束偏转同步的动态电压,以补偿由于偏转系统引起的象散。这种动态电压也可以在整个屏上使电子束聚焦,即能够实现动态聚焦。     

单枪三束彩色显像管

日本索尼(Sony)研制成功的单枪三束彩色显像管,动摇了三枪三束彩管的技术基础。它是由一个电子枪同时发射三条电子束,所以叫单枪三束彩管(Trinitron)。光学系统是由三束公用的大口径的主透镜和一对会聚板组成。会聚板的功能是使两条边束实现会聚,因而图象清晰度高。分色板是条孔结构,电子透过率比三枪三束圆孔荫罩高得多,所以图象亮度也高。     

一种64cm彩色显像管电子枪的研制

为了改进聚焦和适应中展幕CPT低成本的发展趋势，开发出一种用于64cm CPT的电子枪，这种电子枪是在现有大屏幕CPT电子枪的基础上开发出来的。由于大屏幕CPT电子枪的会聚帽采用横长孔，使该枪难以直接移植在中屏幕CPT中。通过重新设计会聚帽组件，增添磁场控制器和校正电极，使新电子枪可以与非消彗差偏转线圈配合，作到了低成本，同时获得良好的聚焦性能。     

彩色显像管和偏转线圈

课题 提供一种因有可调整从电子枪射出的电子束轨迹的色纯校正磁件，从而使色纯、会聚的画质调整变得容易的高品质彩色显像管和偏转线圈。解决措施 在彩色显像管中，使由色纯调整用磁件产生的磁场与管轴垂直的面和装在偏转线圈上的紧固件与管轴垂直的面基本重合，在偏转线圈中，使由设在隔离器颈部的色纯调整用磁组件产生的磁场与管轴垂直的面和装在偏转线圈颈部的紧固件与管轴垂直的中心面基本重合。     

41cm细管颈CDT用电子枪

我们开发出了低功耗的４１ｃｍ细管颈ＣＤＴ用电子枪为了消除管颈趋小所产生的问题，这种电子枪应用了２项关键技术。一是采用单一电压、能够动态校正象散的ＤＡＱ系统，校正了通过水平、垂直偏转磁场的电子束的失真。二是主透镜采用扩展电场式透镜，克服了由于细管颈化的机械的制约，从而实现了主透的大口径比，采用这两项技术，实现了与心前的φ２９．１小管颈用电子枪同等或更好的聚焦特性。     

X波段行波管阳极控制电子枪设计

大功率电子枪设计中的主要问题是如何构成强流电子束和使电子枪中电子束聚焦。利用差值计算的方法初步确定了电子枪几何尺寸参数,进而应用数值模拟的方法计算了电子枪的结构及束流特性,设计了应用于X波段连续波大功率行波管的阳极控制电子枪。该电子枪设计参数为：阳极调制,导流系数为0．44μP,射程大于37mm,注腰半径为1mm。结果表明,该电子枪可完全满足x波段连续波大功率行波管对互作用电子束的要求。     

新型碳纳米管场发射显示器自会聚阴极的计算机模拟

提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。     

用CCD测量彩色显像屏特性的光学成像系统设计

本文讨论了彩色显像管色纯漂移，电子束着屏误差，失会聚量测试用的光学成像系统的光路特点、设计原则、放大倍率的选定及光路选型及像差校正方法。     

偏转电子枪原理与结构

一、概述 随着光学、电子等工业的迅速发展,电子束加热方法在真空镀膜技术中也得到了较快的发展和应用,这是因为电子束作为热源能获得远比电阻加热更大的能量密度,并可避免坩埚杂质对蒸发源的沾污。 产生电子束的装置称为电子枪,根据枪体结构不同,可分三种:直形(自加速式)电子枪、环形(静电式)电子枪和最近发展起来的偏转电子枪。三种电子枪的性能比较略见表1。     

大屏幕彩电新电路新技术精萃(25) 南北枕形校正电路

大屏幕彩电的显像管均采用平面直角管,而电子束会聚点的运动轨迹是一个球面,其曲率半径和荧光屏的曲率半径相差甚大,所以在电子束扫描形成光栅的过程中不可避免产生枕形失真,且屏幕越大,失真越严重。通常在大屏幕彩电中都外加枕形校正电路,亦即利用外电路对偏转电路的波形加以预校正,从而补偿光栅的枕形失真。一般在29英寸以下的彩电中设置东西(左右)枕形校正电路,而屏幕尺寸超过29英寸时,还加设有南北(上下)枕形校正电路。因为自会聚显像管东西向枕形失真大于南北向枕形失真,再加上屏幕高度小于宽度(宽高比为4/3),使得东西向枕形失真量大于…     

脉宽大于100微秒的强流大截面电子枪

在CO_2激光器的研究过程中,发现利用普通技术放电,在振动激发比较有效的E/N下,不能产生适当的电离。这两者往往是矛盾的,这就导致人们寻求在最佳的E/N下能产生适度电离的技术,即把电离和激发分开控制的技术。美国阿符科公司首先提出了电子束控制主放电的技术。 目前就电子束的激励方法有电子束控制放电用的电子枪和电子束直接激发激光介质用的电子枪。就产生电子束的方式有热阴极电子枪、冷阴极场致发射电子枪和等离子体电子枪。     

彩色显象管设计趋势

本文叙述彩色显象管由“品”字电子枪和点型屏向一列式电子枪和条形屏过渡。一列式管的优点是自会聚,它不需要在老管型中应用的动态会聚线路。管子结构的这种变化,需要不同的管子设计思路。     

基于等离子体电子枪的束-等离子体系统研究

采用PIC模拟研究了基于等离子体电子枪的小型化束-等离子体系统,探索了等离子体电子枪发射电流随加速电压、阴极等离子体密度、电子束通道半径以及电子束通道长度的变化规律,展示了电子束在高密度等离子体中的聚焦传输行为.