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以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。 相似文献
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本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片表面温度分布是一致的。 相似文献
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对脉冲氢闸流管的热丝脆断问题进行分析,通过理论计算和试验,证实用钨钼合金丝代替钨丝可以达到提高该管使用寿命的目的。 相似文献
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热丝CVD法分解丙酮合成金刚石薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用热丝CVD方法,在丙酮和氢气系统下,用Si和Mo片作衬底进行了合成金刚石薄膜的研究。Raman谱、X射线衍射以及扫描电镜的分析结果表明,制备的金刚石薄膜是多晶金刚石薄膜,当丙酮量为1.1%时,晶粒尺寸约为1-1.7微米。生长速率约为0.4um/h,并讨论了金刚石薄膜质量与实验条件的关系。 相似文献
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半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用. 相似文献
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成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件. 相似文献
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Strained-Si pMOSFETs on very thin relaxed virtual SiGe substrates are presented.The 240nm relaxed virtual Si0.8Ge0.2 layer on 100nm low-temperature Si(LT-Si) is grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy.LT-Si buffer layer is used to release stress of the SiGe layer so as to make it relaxed.DCXRD,AFM,and TEM measurements indicate that the strain relaxed degree of SiGe layer is 85%,RMS roughness is 1.02nm,and threading dislocation density is at most 1e7cm-2.At room temperature,a maximum hole mobility of strained-Si pMOSFET is 140cm2/(V·s).Device performance is comparable to that of devices achieved on several microns thick relaxed virtual SiGe substrates. 相似文献
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快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究 总被引:4,自引:1,他引:4
为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。 相似文献