半导体质量控制中的非正态工序能力指数计算模型

分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力指数计算模型,该模型能克服数据偏差大时对计算结果的不良影响,并且其代数计算公式可以简化计算.实例分析结果准确有效.     

基于成品率的多变量工序能力指数模型

在K.S.Chen et al.(2003)和M.T.Chao et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型。该模型不要求工序的单个质量特性数据分布必须满足正态分布,并在一定程度上简化了计算过程,其理论基础对应用人员更容易被理解。同时,指出并改正当前对工序能力指数和成品率关系的错误应用,最后给出该多变量工序能力指数的应用分析。     

多变量工序能力指数系统模型

工序能力最终决定微电子工艺的质量水平。工序能力指数确定能够有效地确保微电子工艺水平。随着微电子工艺水平的快速发展,工艺趋于复杂化,工艺水平评价需要关注一个以上的特征参数。因此,传统的单变量工序能力指数不能有效综合的分析工序的水平。本论文提出了一个多变量工序能力指数模型系统。这个模型系统包括针对数据满足多变量正态分布的域多变量工序能力指数;针对数据不满足多变量正态分布的因子多变量工序能力指数;以及成品率多变量工序能力指数。最后通过实例分析算验证这些多变量工序能力指数是有效和实用的。     

统计过程控制(SPC)技术在紫外像管制作中的应用

采用统计过程控制(SPC)技术对关键工序进行监控是保持产品生产线稳定、减少质量波动的有效方法.可以提高产品的成品率和可靠性.在现有工序状态下,通过采集封接温度、真空度等数据,计算和分析关键工序的工序能力指数,进行工艺调整和改进,直到工序能力指数Cpk≥1.33.通过选择控制图,对数值进行监控.若发现工序失控时,分析原因...     

微组装金丝键合工序统计过程控制技术

金丝键合质量是影响微波多芯片组件(MMCM)可靠性的一个主要因素,有效识别和控制键合过程的波动,是保证工艺稳定性和合格率的有效手段。SPC技术是定量判断工艺是否处于统计受控状态的核心技术。文中对某型号产品中抽取的金丝拉力数据进行正态分布拟合及正态性检验,采用均值-标准差、均值-极差控制图对金丝拉力数据稳定性进行分析,讨论了不同波动异常情况下的影响因素及解决方法。另外对金丝键合工序能力指数Cpk进行计算、评价,着重分析了提高Cpk值的有效方法。     

SPC在微电路生产中腐蚀工序的应用

文章介绍了统计过程控制(SPC)的基本概念和基本原理,以及在微电路生产中腐蚀工序的应用。详细介绍潜在工序能力指数和实际工序能力指数的区别以及双侧规格下的常规计算方法,给出实际生产中工序能力指数的判断准则。研究SPC在腐蚀工序中在线设备运转状态和产品的关键工艺参数的监控内容及方式。讨论SPC实施过程中控制图的建立过程、参数数据的采集、控制图的选用、常用的判异准则以及如何进行工序能力评价。结合实例,论证腐蚀工艺控制过程中出现失控点时的分析思路和处理方法。     

统计过程控制技术在键合工序中的应用

键合工序是半导体器件生产中的关键工序,采用统计过程控制(SPC)技术对关键工序进行监控是保持生产线稳定、减少质量波动的有力工具,可以提高产品的成品率和可靠性。在现有工序状态下采集键合拉力数据,计算和分析键合工序的工序能力指数,进行工艺调整和改进,直到工序能力指数Cpk≥1.33。选择计量控制图,对键合拉力数值进行监控,发现工序失控时,分析原因并及时采取纠正预防措施,保证工艺的一致性和稳定性,提高工艺成品率。     

电子元器件制造过程中非正态工艺参数的统计过程控制技术

在制造过程中实施统计过程控制（SPC）技术。采用常规控制图其基本前提之一是工艺参数服从正态分布,但是在实际电子元器件制造中存在特殊工序,如封装工序等,其工艺参数不服从正态分布。文章针对非正态工艺参数的工艺过程控制,利用Box—Cox转换,将非正态工艺参数转换为正态,然后采用常规控制图,实现了非正态工艺参数的统计过程控制;结合模拟数据分析,结果显示该方法是有效性的、正确性的。     

混合集成电路键合工序能力指数探索

本文介绍了工序能力指数的概念及计算方法。结合我厂产品破坏性物理分析键合拉力测试, 对键合工序能力指数进行探索。     

适用于非晶氧化锌薄膜晶体管的表面势紧凑模型

基于泊松方程和高斯定理,采用非迭代算法,在考虑非晶氧化锌薄膜晶体管(Amorphous zinc oxide thin film transistors,a-ZnO TFTs)带隙能态的指数带尾态和深能态的完整分布条件下,解析地建立了a-ZnO TFTs的表面势紧凑模型。与数值迭代算法的计算结果进行比较,该紧凑模型的绝对误差低至10-5 V数量级,且提高了计算效率;与其它实验拟合的陷阱态密度结果对比,进一步验证了模型的正确性。最后,提出的表面势紧凑模型可适用于a-ZnO TFTs器件漏电流模型的建构及其电路的仿真应用。