工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

用射频溅射法将立方氮化硼(C-BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00 Pa时,立方相不能形成;工作气压为 0.67 Pa时,得到了立方相体积分数为92%的立方氮化硼薄膜.     

高品质立方氮化硼薄膜的制备及应用基础研究

采用射频（RF）磁控溅射的方法，成功地在（100）单晶硅片上沉积制备出了高品质的c-BN薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了c－BN薄膜中因内应力导致的差的附着性能．进一步研究了衬底负偏压、温度与薄膜质量的关系，讨论了薄膜中内应力的状态．在此基础上，深入开展了硬质合金上沉积c-BN薄膜的工作，为c-BN薄膜的实际应用奠定了基础．     

碲铋铌系统玻璃热稳定性及光学带隙研究

制备了组成为(95-χ)TeO25Bi2O3-Nb2O3(χ=0%,χ=5%,χ=10%,χ=15%)的4组碲酸盐玻璃,测试了样品的密度、折射率、玻璃转变温度、玻璃析晶温度、吸收光谱和红外光谱.利用样品的吸收光谱计算了其直接允许跃迁、间接允许跃迁及能量带隙.讨论了Nb2O5含量对玻璃的折射率、热稳定性、光学带隙及能量带隙的影响.该玻璃系统具有较好的热稳定性和较大的折射率.光学带隙和能量带隙随了Nb2O5含量的增大而减小.     

立方氮化硼的合成工艺研究

用氮硼化镁作触媒，用六面顶压机在高温、高压下合成立方氮化硼通过对合成ｃＢＮ的压力，温度，时间及原料六方氮化硼等各种因素的研究，得到了合成ｃＢＮ的压力，温度，时间及原料六方氮化硼等各种因素的研究，得到了合成ｃＢＮ的最佳工艺条件，即温度１５００℃左右压力５ＧＰａ左右。     

镁基触媒合成立方氮化硼的研究

采用金属镁粉与六方氮化硼(HBN)为原料,按质量比1:1的比例混合均匀后在700℃温度下进行氮化处理,得到氮硼化镁混合物,将其作为触媒和六方氮化硼在高温高压条件下合成立方氮化硼(CBN).实验结果表明,氮硼化镁与1500℃条件下制备的HBN可合成出单产高、粗颗粒比例高的CBN单晶,其80/100粒度单晶冲击强度(TI值...     

立方氮化硼材料的制备、性能及应用

介绍了立方氮化硼单晶、聚晶立方氮化硼、氮化硼纤维材料的制备、性能及应用,对聚晶立方氮化硼的特殊性能和其作为刀具材料的应用进行了特别的分析,并指出了氮化硼的发展趋势     

硅掺杂半导体立方氮化硼单晶的制备

本文采用扩散的方法实现了立方氮化硼的硅掺杂,分析了扩散温度、时间对其电阻的影响.实验结果表明:在扩散的初始时段,立方氮化硼的电阻下降很快;而随着掺杂时间的增加,电阻变化趋缓,说明掺杂浓度随时间增加将出现饱和现象.另外,当扩散温度增加时,立方氮化硼的电阻也随之下降,即较高的温度有利于获得较高的掺杂浓度.     

立方氮化硼半导体材料的进展

1987年以来,在日本,以立方氮化硼大单晶的合成为基础,研制了能耐650℃高温的cBN_(p-n)结二极管,进而还发现cBN二极管作为固体发光元件其电致发光光谱在紫外光区域内。     

用四探针方法测量立方氮化硼的电阻率

本文利用薄膜沉积和光刻方法,在Si掺杂的p型立方氮化硼单晶表面制备出微小测量电极,测量出高温高压合成的、并经过热扩散获得的Si掺杂p型立方氮化硼的电阻率和导电特性,为小尺寸晶体材料的电学性质测量提供了一个有效的方法.     

沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响

采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜.研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度.实验结果表明,沉积功率为140 W时薄膜沉积速率最大,达到7.8 nm/min.沉积功率为30 W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200 nm左右.沉积功率为100 W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68%.薄膜样品在波长为500 nm的光吸收系数达到6×104 cm-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70-1.85 eV之间变化.     

W掺杂量对非晶态Ti02：W薄膜光学带隙的影响

在不同的W靶溅射功率下，用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2：W薄膜，并对样品进行了XRD，STS和UV-Vis分析，结果表明试样为非晶态；w靶溅射功率为30w时，带隙为2．75eV；W靶溅射功率为100W时，带隙为3．02eV；W靶溅射功率为150W时，带隙能为2．92eV．STS分析结果表明，在样品的禁带中产生了新的能级，能级宽度为0．83eV．     

W掺杂量对非晶态TiO_2:W薄膜光学带隙的影响

在不同的W靶溅射功率下,用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2:W薄膜,并对样品进行了XRD,STS和UV-V is分析.结果表明试样为非晶态;W靶溅射功率为30 W时,带隙为2.75eV;W靶溅射功率为100 W时,带隙为3.02 eV;W靶溅射功率为150 W时,带隙能为2.92 eV.STS分析结果表明,在样品的禁带中产生了新的能级,能级宽度为0.83 eV.     

硼碳氮薄膜的内应力研究

采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮(BCN)薄膜。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合,扫描电子显微镜(SEM)测量发现样品与衬底间存在较大的内应力。样品剥落后,应力的消除使红外吸收峰向低波数移动。实验还发现,对新制备的硼碳氮薄膜进行600℃热处理能有效释放薄膜中的压应力。     

锗硅薄膜的光学特性研究

GeSi薄膜的光学特性可以随内部组分的变化而变化,在光电子集成方面优于GaAs、InP等传统的发光材料,已引起了人们的广泛关注.采用等离子体CVD法在玻璃衬底上沉积GeSi薄膜,研究了不同生长条件下的样品的光学特性,从样品的紫外\|可见光反射谱和透射谱计算出光学带隙,发现随着Ge含量的增加,薄膜的光学带隙减小.并且研究了样品的光学带隙与温度的关系,当GeH4流量为4sccm时,薄膜的光学带隙随温度的升高有一个最小值,当GeH4流量为8sccm时,温度升高而薄膜的光学带隙基本不变.     

氮化硼对水性膨胀型防火涂料性能的影响

对六方氮化硼和立方氮化硼分别进行了剥离和羟基化改性,并采用X射线衍射、红外光谱分析、BET比表面积分析和热重分析对其结构进行了表征。将剥离前后的六方氮化硼,以及羟基化改性前后的立方氮化硼作为功能性填料应用于水性膨胀型防火涂中,研究了这4种氮化硼对水性膨胀型防火涂料性能的影响。结果表明,它们均能明显提高膨胀型防火涂料的阻燃性能,其中剥离后的六方氮化硼的阻燃效果最好。羟基化改性以及剥离均可提高氮化硼阻燃性能。剥离不仅可以提高六方氮化硼的阻燃性,还可以提高其涂料的耐水性,可能是因为剥离后的六方氮化硼纳米尺寸更小,更趋近于片状（层数减少）,利于在涂料以及碳层中的均匀分散,但羟基化改性由于提高了立方氮化硼的表面亲水性,因而降低了其涂料的耐水性。     

磁控溅射制备Ti-Zn-O复合薄膜及其光学性质研究

TiO2是作为一种宽禁带半导体材料可作为紫外器件,但因其间接带隙结构、禁带宽度仅为3.0eV等特点,严重影响其应用范围。本文利用共溅射技术,通过Zn掺杂,在K9玻璃基底上制备了Ti-Zn-O复合薄膜,并研究了Zn溅射功率对其结构及光学性质的影响。结果显示：所制备的薄膜为ZnTiO3和不饱和TiO2的复合结构,随着Zn粒子的溅射能量增加,晶粒尺寸和表面粗糙度增加,并可将薄膜本征吸收边蓝移至3.61eV。     

沉积在硅尖上的氮化硼薄膜的场发射特性

利用射频磁控溅射方法,在硅尖上沉积了氮化硼（BN）薄膜．红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN（h-BN）相（1380cm^-1和780cm^-1）．在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,与沉积在硅片上的BN薄膜比较,沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射特性明显提高．开启电场为8V／μm,最高发射电流为300μA／cm^2．沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射FN曲线为两段直线,这可能是由于电子发射源于硅尖的尖部和根部造成的．