Cdln2O4和Cd2SnO4薄膜X—光电子能谱研究

研究了在Ａｒ－Ｏ２混合气氛中从Ｃｄ－Ｉｎ和Ｃｄ－Ｓｎ合金靶射频反应溅射而的ＣｄＩｎ２Ｏ４和Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｘ－光电子能谱。实验结果表明了粉末Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３和ＣｄＩｎ２Ｏ４，Ｃｄ２ＳｎＯ４膜的Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ３Ｄ３／２和３ｄ５／２ＸＰＳ峰值位置的形状的区别，并讨论了Ｏ１ｓ。ＸＰＳ峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时，Ｏ１ｓ分为两个峰。     

一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。     

激光激活氧分子作用下CH_4/O_2反应数值模拟

基于化学动力学模型GRI-Mech3.0机理,利用CHEMKIN4.0软件柱寒流反应器模型模拟了激光作用下CH_4/O_2燃烧反应过程.结果表明,通过激光作用控制反应过程,利用特定波长的激光将氧分子激发到相应的亚稳态,能够有效减少化学反应延迟时间.在波长762 nm、光强10 kW/cm~2(温度1 000 K,压强10~5 Pa)条件下,反应延迟时间由0.23 s减小为0.04 s.特别是在温度及压强较低情况下,反应延迟时间明显减小,具有较好的优化效果.     

纳米晶TiO_2光阳极修饰及光电子复合效应

对染料敏化纳米晶TiO_2薄膜太阳电池的光阳极进行了不同方法的TiCl_4修饰处理,测量了各种修饰处理下的TiO_2太阳电池的光电转换性能。通过准分子脉冲激光(λ=248nm)和氙灯辐照下的开路光电压V_∝随时间的衰减关系,分别研究了单色脉冲和多色连续光激发下的染料敏化TiO_2太阳电池的光电子复合效应,从中明确了TiCl_4修饰对染料敏化TiO_2太阳电池暗电流的调制所起的重要作用。     

CuGa_2O_4光催化剂的制备、表征与光催化产氢性能研究

采用固相反应法合成了具有d~(10)电子构型的CuGa_2O_4光催化剂。采用XRD,UV-Vis和SEM等分析方法对CuGa_2O_4的物理化学性质进行了测试和表征。XRD和SEM的测试结果表明,CuGa_2O_4具有较纯的立方尖晶石结构并呈现不规则微颗粒状,UV-Vis分析结果显示对较宽的太阳光谱都有响应。以葡萄糖作为电子给体,考察了CuGa_2O_4负载RuO_2后的光催化产氢性能,结果显示葡萄糖能提高RuO_2/CuGa_2O_4的光催化产氢效率,同时自身也被很好地降解。经过最初几小时的诱导期后,RuO_2(1.0%)/CuGa_2O_4的平均产氢速率约为10.59μmol/h。     

热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响

射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。     

一种新型水系锌离子电池正极材料NiCo_(2)O_(4)的制备和电化学性能北大核心CSCD

水系锌离子电池的能量密度高、稳定性好、安全系数高。NiCo_(2)O_(4)材料作为双过渡金属氧化物,其导电性能和电化学活性都很出色,本工作首次采用NiCo_(2)O_(4)材料作为水系锌离子电池的正极。采取了溶胶-凝胶法加煅烧热方法制备出立体尖晶石状的NiCo_(2)O_(4)材料,借助扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱分析技术(EDS)和电化学技术等表征测试手段,分析这种新型水系锌离子电池正极材料的形貌和电化学性能。结果表明,立体尖晶石状的NiCo_(2)O_(4)材料有着优良的纯度和结晶性,颗粒分散均匀,没有团聚,无杂质且具有良好稳定的充放电性能。电极在100 mA/g电流密度下,首次放电比容量为92 mA·h/g,100圈充放电测试后放电比容量为60 mA·h/g,200圈后,放电比容量保持在44 mA·h/g。但在循环倍率测试中发现,当电流密度较大时,NiCo_(2)O_(4)电极产生了27 mA·h/g的衰减,在一定程度上有着不可逆的冲击破坏。本研究有助于推动水性锌离子电池电极的应用,为高性能水性锌离子电池电极材料的研发提供实验依据。     

Li4SiO4吸收CO2的实验研究

用固相法合成了用来循环使用的吸收CO2的Li4SiO4材料。通过热力学分析、X射线衍射(XRD)、热重分析(TG)确定了合成条件;用热重分析(TG)仪研究Li4SiO4吸附CO2的性能;用扫描电子显微镜(SEM)来观察Li4SiO4吸附CO2前后表面微观形貌的变化特征。结果发现,在900℃烧结2h可以合成Li4SiO4;材料在600～720℃段吸附CO2反应最为活跃,最高吸附量可达29.16%(质量分数)左右;材料吸附CO2后在750℃开始脱出CO2,到900℃左右可脱附完全,再生为Li4SiO4;CO2的体积百分含量(分压)对Li4SiO4吸附CO2的速度和吸附量有明显影响;气氛相同时,气体流量对吸附速度和吸附量的影响不明显。     

a－Si：H薄膜的表面缺陷研究

ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷会给以该材料制作的半导体器件，如太阳电池、激光唱盘、光导鼓、ＴＦＴ等造成疵点，降低器件的质量和成品率；而对微波功率器件，这些缺陷则是致命的危害。本文讨论表面上由细微颗粒造成的各种缺陷。揭示这些缺陷的微结构形貌，对其形成的原因进行理论分析，并就如何消除这些缺陷，制备光洁如镜的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行讨论。     

CdIn2O4薄膜的AES分析

利用ＡＥＳ方法研究了ＣｄＩｎ２Ｏ４膜的成分分布。膜中的Ｃｄ、Ｉｎ和Ｏ成份随Ｏ浓度的变化而变化，并对膜的电学性质有重要影响。     

射频反应溅射CdIn2O4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响

采用射频反应溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了ＣｄＩｎ２Ｏ４薄膜，报道了在没氧浓度下该膜的透射率和随波长的变化关系。发现氧浓度越高，膜透射率赵低，而消光系数１、折射率相应地越大。对这些结果从ＣＩＯ膜的晶格常数、载流子浓度等角度进行了理论分析。     

EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究

用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０＾－１Ω．ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１，载流子浓度为１．４２×１０＾１７ｃｍ＾－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。     

Cdln2O4膜红外性质分析

利用射频反应溅射Cd-In合金靶沉积的CdIn_2O_4薄膜是n型高兼并半导体,其红外反射率随溅射气体中氧浓度的不同而有异,相同氧浓度下沉积的薄膜经过退火处理后红外反射率也会发生变化。原因是不同氧浓度下沉积薄膜的氧空位不同,其自由载流子浓度也就不同,从而使薄膜有不同的吸收系数。实验结果与理论计算值符合较好。     

In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究

(In,Ga)2Se3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能.实验就多源共蒸发制备In2Se3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究.分析讨论上述3种因素对In2Se3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响.发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In2Se3预制层是单一晶相的In2Se3,其x射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向.反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In2Se3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In2Se3(006)衍射峰为择优取向.     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

NiOxHy薄膜电致变色性能的研究

利用直流磁控溅射法，在Ｏ２＋Ｈ２的气氛下制备了ＮｉＯｘＨｙ薄膜，研究了不同氢气含量对薄膜的初始沉积态、漂白态和着色态透光性能的影响，含氢量为８０％时，薄膜的初始沉积态的平均可见光透射比最高。含氢量为６０％时，薄膜的电致变色能力最佳。用获得的ＮｉＯｘＨｙ薄膜制备的反射型全固态电致变色器件的控光范围可达７７％。对ＮｉＯｘＨｙ薄膜三种状态的红外吸收光谱分析表明，ＮｉＯｘＨｙ薄膜的变色机理可用：Ｎｉ（ＯＨ）２（漂白态）＝ＮｉＯＯＨ（着色态）＋Ｈ＋＋ｅ－表示。